半導體數據手冊 冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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德馬德朗 著

圖書標籤:

• 半導體
• 數據手冊
• 電子工程
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• 集成電路
• 器件
• 參考資料
• 技術手冊
• 電路設計
• 工程師

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齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345154

商品編碼：29820852392

包裝：平裝

齣版時間：2014-03-01

基本信息

書名：半導體數據手冊 冊

定價：128.00元

作者：(德)馬德朗

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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馬德朗編著的《半導體數據手冊(附光盤下)/Springer手冊精選原版係列》內容涉及四麵體鍵的化閤物特性的實驗數據，三、四、五、六族元素特性的實驗數據，各族元素的二元化閤物特性的實驗數據，各族元素的三元化閤物特性的實驗數據以及硼，過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據等主要方麵，以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜誌和缺陷等。對於必要的背景知識和近期的發展均有較為完整和詳細的闡述，適閤不同層次的群體用於學習和研究。本冊23章包括更多元素，更多二元化閤物，更多三元化閤物。

目錄

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C Further elements
11 Group III elements
　11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
　1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
　12.0 Crystal structure and electronic structure
　12.1 Phosphorus (P)
　12.2 Arsenic (As)
　12.3 Antimony (Sb)
　12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
　13.0 Crystal structure and electronic structure
　13.1 Sulfur (S)
　13.2 Selenium (Se)
　1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
　14.0 Crystal structure and electronic structure
　14.1 CsAu
　14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
　15.0 Crystal structure and electronic structure
　15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
　15.2 I3-Vpounds
　15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
　15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
　15.2.3 Na3Sb
　15.2.4 K3Sb
　15.2.5 Rb3Sb
　15.2.6 Cs3Sb
　15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
　15.3 I2-I-V pounds
　15.3.1 Na2KSb
　15.3.2 K2CsSb
　15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
　16.0 Crystal structure and electronic structure
　16.1 Cupric oxide (Cu0)
　16.2 Cuprous oxide (Cu20)
　16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
　16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
　16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
　16.6 Silver oxides (A9xOy)
　16.7 Silver sulfide (Ag2S)
　16.8 Silver selenide (Ag2Se)
　16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
　17.0 Crystal structure and electronic structure
　17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
　17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
　17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
　17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
　17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
　17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
　18.0 Crystal structure and electronic structure
　18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
　18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
　18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
　18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
　18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
　18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
　18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
　18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
　18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
　18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
　18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds
E Further Ternary Compounds
F Boron, Transition Metal and Rare Earth Compounds with Semiconducting Properties
G Ternary rare earth pounds

作者介紹

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文摘

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序言

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晶體管的神奇世界：從物理原理到現代應用 前言 我們生活在一個信息爆炸的時代，而支撐這一切的，正是那些微小卻功能強大的電子元件——晶體管。從智能手機、電腦到汽車、飛機，幾乎所有現代科技的基石都離不開晶體管的貢獻。然而，對於許多人而言，晶體管的世界仿佛是深奧難懂的物理學和工程學的代名詞，充滿瞭晦澀的術語和復雜的電路圖。本書正是為瞭打破這種隔閡而生，旨在以一種清晰、係統且富有啓發性的方式，帶領讀者走進晶體管的奇妙領域。 我們將從最基礎的物理原理齣發，深入剖析晶體管的工作機製，揭示其背後蘊含的精妙物理現象。在此基礎上，本書將逐步拓展到不同類型晶體管的特性、設計與製造工藝，並重點介紹它們在當今電子設備中的廣泛應用。我們力求在保證科學嚴謹性的同時，用通俗易懂的語言解釋復雜的概念，並通過豐富的圖示和實例，幫助讀者建立直觀的理解。 本書的目標是讓讀者不僅瞭解晶體管“是什麼”，更能明白“為什麼”它能如此神奇地工作，以及“如何”它改變瞭我們的世界。無論您是電子工程專業的學生、科技愛好者，還是希望深入瞭解現代科技運作原理的普通讀者，本書都將為您提供寶貴的知識和深刻的洞見。 第一章：半導體材料的奧秘 要理解晶體管，首先必須理解其核心——半導體材料。本章將帶您穿越至微觀世界，探索構成半導體世界的原子級彆風景。 什麼是半導體？ 我們將從物質的導電性齣發，區分導體、絕緣體和半導體。解釋半導體為何介於兩者之間，它們的電學特性是如何隨溫度、光照等因素變化的。 矽的“秘密”： 矽作為最常見的半導體材料，其獨特的原子結構和價電子行為是理解一切的基礎。我們將詳細介紹矽原子的電子排布，以及其形成共價鍵的特性。 本徵半導體與雜質半導體： 瞭解純淨的矽（本徵半導體）的導電能力為何有限，以及通過“摻雜”引入特定雜質（如磷、硼）如何能夠極大地改變其導電性，進而形成N型和P型半導體。這將是理解PN結形成的關鍵。 載流子的舞蹈： 深入解析在N型半導體中占主導地位的電子，以及在P型半導體中起關鍵作用的空穴。理解它們是如何在電場作用下移動，形成電流的。 原子世界的“魔法”： 將使用類比和直觀的圖示，解釋摻雜過程如何影響晶格結構，以及如何通過精密的控製來創造齣具有特定電學性能的半導體材料。 第二章：PN結的誕生與原理 PN結是所有半導體器件的“細胞”，是晶體管工作的基本單元。本章將聚焦於PN結的形成過程及其核心電學特性。 P型與N型半導體的“相遇”： 描繪P型和N型半導體材料在微觀層麵接觸時發生的一切。解釋擴散作用如何導緻電子從N區流嚮P區，空穴從P區流嚮N區。 耗盡層： 深入剖析PN結形成過程中，在界麵區域齣現的“耗盡層”。解釋為何在這個區域內載流子濃度極低，以及耗盡層為何會産生內建電場。 外加電壓的影響： 正嚮偏置： 當外加電壓使得PN結的P區為正，N區為負時，耗盡層變窄，內建電場減弱，載流子得以越過勢壘，形成較大的正嚮電流。我們將詳細解釋這一過程的動態變化。 反嚮偏置： 當外加電壓使得PN結的P區為負，N區為正時，耗盡層變寬，內建電場增強，載流子難以越過勢壘，隻有微小的反嚮漏電流。 擊穿現象： 解釋PN結在反嚮電壓過高時可能發生的擊穿現象，包括齊納擊穿和雪崩擊穿，以及其背後的物理機製。 PN結的“單嚮導電性”： 總結PN結最重要的特性——隻允許電流從P區流嚮N區（正嚮偏置），而不允許從N區流嚮P區（反嚮偏置）。這將是理解二極管和三極管功能的關鍵。 第三章：二極管：電流的“單行道” 二極管是利用PN結單嚮導電性製成的最簡單的半導體器件。本章將深入探討二極管的結構、工作原理和在電路中的應用。 二極管的結構與符號： 介紹不同類型的二極管，如整流二極管、穩壓二極管、發光二極管（LED）、肖特基二極管等，以及它們在電路圖中的標準符號。 工作原理迴顧： 再次強調PN結在不同偏置下的行為，解釋為何二極管能夠實現“單嚮導電”。 伏安特性麯綫： 繪製並分析二極管的伏安特性麯綫，理解正嚮導通電壓、反嚮漏電流和擊穿電壓等關鍵參數。 整流應用： 詳細闡述二極管如何用於將交流電轉換為直流電，包括半波整流和全波整流電路的原理和應用。 穩壓與發光： 介紹穩壓二極管（齊納管）如何利用擊穿特性實現電壓穩定，以及發光二極管（LED）如何將電能轉化為光能，並探討其發光原理和色彩的産生。 其他特殊二極管： 簡要介紹光電二極管、變容二極管等，展示二極管的多樣化功能。 第四章：三極管（BJT）：電流的“放大器” 三極管，又稱雙極結型晶體管（BJT），是半導體技術中最重要的發明之一，實現瞭電流的放大。本章將深入解析其結構、工作原理和放大特性。 NPN型與PNP型三極管： 介紹三極管的基本結構，即由兩個PN結串聯組成，有發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）三個電極。詳細解釋NPN型和PNP型三極管的構造差異。 三極管的工作區域： 截止區： 基極電流為零或很小時，三極管不導通，處於關閉狀態。 放大區： 基極電流對集電極電流有控製作用，集電極電流是基極電流的放大，實現電流放大功能。 飽和區： 集電極電流達到最大值，基極電流再增大也無法引起集電極電流的顯著增加，相當於開關的“開”狀態。 電流放大原理： 核心在於“注入”和“收集”。發射極注入大量載流子到基極，基極載流子數量較少，大部分載流子能夠擴散到集電極，形成集電極電流，而微小的基極電流可以控製這個過程。 電流放大係數（β）： 定義並解釋直流和交流電流放大係數，這是衡量三極管放大能力的重要參數。 共射極、共基極、共集電極放大電路： 介紹三種基本的三極管放大電路組態，分析它們在電壓增益、電流增益、輸入電阻和輸齣電阻方麵的特點，以及各自的應用場景。 三極管作為開關： 解釋如何利用三極管在截止區和飽和區之間切換，實現數字電路中的開關功能。 第五章：場效應晶體管（FET）：電壓的“控製器” 場效應晶體管（FET）是與BJT並駕齊驅的另一類重要晶體管，其控製方式是電壓控製，並且具有更高的輸入阻抗。本章將聚焦於FET的類型、工作原理和應用。 FET的基本原理： 解釋FET的工作原理是利用電場來控製半導體溝道中的載流子濃度，從而改變溝道的導電性。 結型場效應管（JFET）： 介紹JFET的結構，以及其柵極（Gate）和溝道（Channel）之間的PN結如何通過改變反嚮偏置電壓來控製溝道寬度和導電性。 MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應管）： 增強型MOSFET： 介紹其結構，即通過柵極電壓在絕緣層下方感應齣導電溝道，從而實現導通。 耗盡型MOSFET： 介紹其結構，即本身就存在溝道，可以通過柵極電壓來“耗盡”溝道中的載流子，減小導電性。 P溝道與N溝道MOSFET： 解釋不同類型的MOSFET，以及它們在溝道載流子類型上的差異。 MOSFET的工作區域： 截止區、綫性區（或稱歐姆區）和飽和區，並解釋各區域下的工作特性。 MOSFET的優勢： 強調MOSFET具有極高的輸入阻抗，幾乎不消耗輸入電流，以及其優異的集成能力，使其成為現代集成電路的主流。 CMOS技術： 介紹互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術，它是現代數字集成電路設計的核心，結閤瞭P溝道和N溝道MOSFET的優點，實現瞭低功耗和高速度。 第六章：晶體管的製造工藝：從沙子到芯片 看到令人驚嘆的微小集成電路，您是否好奇它們是如何被製造齣來的？本章將帶您走進晶圓廠，瞭解晶體管製造的復雜而精密的流程。 從矽晶圓開始： 介紹高純度矽的提煉過程，以及如何將矽拉製成單晶圓。 光刻技術： 解釋光刻（Photolithography）在集成電路製造中的核心作用，如何利用紫外光和掩膜闆將電路圖案精確地轉移到矽片上。 摻雜與離子注入： 詳細介紹如何通過擴散和離子注入技術，精確地在矽片上引入特定雜質，形成N型和P型區域。 薄膜沉積： 介紹各種薄膜沉積技術（如化學氣相沉積CVD、物理氣相沉積PVD），如何為晶體管的各個層（如絕緣層、金屬連接層）提供精確的材料。 刻蝕技術： 解釋乾法刻蝕（如等離子刻蝕）和濕法刻蝕，如何精確地去除不需要的材料，塑造齣晶體管的立體結構。 互連技術： 介紹如何在晶體管之間以及芯片與外部之間建立連接，包括多層金屬布綫技術。 測試與封裝： 簡述芯片在製造完成後的電學測試，以及如何將裸露的芯片封裝起來，形成我們熟悉的電子元器件。 摩爾定律的挑戰與未來： 探討集成電路製造工藝不斷進步的趨勢，以及當前麵臨的物理極限和未來的發展方嚮。 第七章：晶體管的應用：無處不在的智能 晶體管作為信息時代的基石，其應用範圍之廣令人驚嘆。本章將通過生動的實例，展示晶體管在各個領域的關鍵作用。 數字邏輯電路： 邏輯門： 解釋晶體管如何構成最基本的邏輯門（與門、或門、非門、異或門等），這是構建所有數字係統的基礎。 微處理器： 介紹微處理器（CPU）的復雜結構，其中包含數十億甚至數萬億個晶體管，它們協同工作，執行計算和控製任務。 存儲器： 解釋動態隨機存取存儲器（DRAM）和靜態隨機存取存儲器（SRAM）等存儲單元是如何利用晶體管來實現數據的存儲和讀取。 模擬電路： 放大器： 迴顧晶體管的放大能力，介紹運算放大器（Op-amp）等高性能模擬集成電路，它們在信號處理、濾波、振蕩等方麵發揮著重要作用。 射頻電路： 探討晶體管在無綫通信中的應用，如手機、Wi-Fi、藍牙等設備中的信號發射和接收電路。 消費電子産品： 智能手機與平闆電腦： 詳細分析這些設備內部的核心芯片，包括中央處理器、圖形處理器、存儲控製器等，它們都由數以億計的晶體管構成。 電視、冰箱、空調等傢電： 介紹晶體管在這些傢電的控製電路、顯示驅動、電源管理等方麵的應用。 通信與網絡： 基站與路由器： 探討晶體管在通信基礎設施中的作用，負責信號的傳輸、交換和處理。 汽車電子： 發動機控製單元（ECU）、安全係統： 介紹晶體管在汽車的智能化和自動化方麵扮演的關鍵角色。 工業自動化與醫療設備： 機器人、傳感器、診斷儀器： 展現晶體管如何驅動現代工業生産和精密醫療的進步。 第八章：晶體管的未來展望 盡管晶體管技術已經取得瞭巨大的成就，但其發展從未停止。本章將展望晶體管技術的未來趨勢和挑戰。 超越矽的材料： 探討除瞭矽之外，如砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等新型半導體材料在特定領域的應用潛力，以及它們在高性能電子器件上的優勢。 三維堆疊與異構集成： 介紹將多個芯片或不同功能的器件垂直堆疊的3D集成技術，以及異構集成如何將不同工藝製造的器件組閤在一起，以提升性能和功能。 量子計算與超越摩爾定律： 簡要介紹量子計算的興起，以及它與傳統晶體管在計算範式上的根本區彆。探討“超越摩爾定律”的各種創新思路，如新器件結構、新型計算架構等。 人工智能與邊緣計算： 分析AI芯片的特殊需求，以及如何利用晶體管技術設計齣更高效、更低功耗的AI處理器，支持邊緣計算的發展。 可持續發展與綠色電子： 探討在半導體製造過程中如何減少能源消耗和環境影響，以及如何設計更節能的電子器件。 結語 從最初的鍺管，到如今納米級的矽晶體管，晶體管的發展曆程就是一部人類智慧不斷突破極限的史詩。它們以肉眼難以察覺的微小身軀，承載著海量的信息，驅動著我們日益智能化的世界。本書希望能夠為您打開一扇通往這個神奇世界的大門，讓您對我們身邊無處不在的科技有更深入的理解和更由衷的驚嘆。願您在閱讀本書的過程中，能夠體會到科學的魅力，激發對探索未知的熱情。

評分☆☆☆☆☆

評價九 坦白說，《半導體數據手冊》這本書，在我拿到之前，我曾經對它的實用性産生過一絲疑慮。畢竟，“數據手冊”聽起來總有一種冰冷、生硬的感覺，我擔心它會像很多“炫技”的書籍一樣，內容晦澀難懂，與實際應用脫節。然而，當我翻開它的時候，我所有的疑慮都被打消瞭。這本書的作者，顯然是一位經驗豐富的工程師，他不僅僅是簡單地羅列瞭數據，更是將這些數據融入到瞭具體的應用場景之中。我最喜歡的是，它在介紹每一個半導體器件時，都會配上非常詳細的電路應用示例，並對電路的工作原理、性能特點以及關鍵的選型考量進行深入的分析。例如，在講解如何選擇閤適的音頻放大器時，它會詳細介紹不同類型放大器的失真度、信噪比、輸齣功率等參數，以及這些參數對音質的影響，並給齣瞭具體的選型錶格。這種“由點到麵”的講解方式，讓我能夠清晰地理解數據背後的價值。我曾經因為對某個高壓MOSFET的擊穿電壓理解不足，導緻電路損壞。有瞭這本書，我能夠清晰地看到不同電壓等級的MOSFET的擊穿特性麯綫，並選擇齣安全裕度足夠的器件。這本書讓我感受到瞭知識的溫度，也讓我對半導體技術有瞭更直觀、更深刻的認識。它不僅僅是一本工具書，更像是一本“實戰指南”，為我提供瞭寶貴的實踐經驗。

評分☆☆☆☆☆

評價十 作為一個曾經在半導體行業摸爬滾打多年的老兵，我深知一本高質量數據手冊的重要性。《半導體數據手冊》這本書，無疑是我近些年看到過的最優秀的一本。它不僅僅是收錄瞭海量的器件數據，更重要的是，它以一種非常係統、嚴謹、權威的方式，將這些數據進行瞭梳理和呈現。從最基礎的PN結二極管，到復雜的FPGA、ASIC，書中幾乎涵蓋瞭所有重要的半導體器件類型。我尤其欣賞它在介紹每一個器件時，都會提供詳細的參數錶格，並且對每一個參數都進行瞭清晰的解釋。例如，在講解二極管的“反嚮漏電流”時，它會給齣不同溫度下的典型值，並解釋其對電路性能的影響。這使得我們在進行器件選型和電路設計時，能夠做到心中有數，避免齣現不必要的風險。書中的插圖和圖錶設計也非常專業，很多復雜的器件結構圖、參數麯綫圖都繪製得非常清晰，而且標注準確。我曾經因為對某個功率半導體器件的散熱特性評估不足，導緻産品在高溫環境下齣現過熱降額。有瞭這本書，我能夠直接找到其熱阻參數和不同散熱條件下的結溫估算方法，從而優化瞭我的散熱設計。這本書就像是一位老練的“參謀”，為我提供瞭最權威、最可靠的參考依據，讓我能夠更加自信地進行技術決策，也讓我對半導體技術的發展有瞭更深的理解和感悟。

評分☆☆☆☆☆

評價四 我一直認為，真正的學習不在於記住多少知識點，而在於能否將知識融會貫通，並應用於實際。這一點，《半導體數據手冊》這本書做到瞭極緻。它不僅僅是一本羅列參數的工具書，更像是一本深入淺齣的教材，將半導體器件的原理、特性和應用有機地結閤在一起。我尤其欣賞它在介紹每個器件時，都附帶瞭對該器件工作原理的簡要闡述，這對於我這樣非電子專業背景的讀者來說，至關重要。通過這些原理性的講解，我能夠理解為什麼這個器件會有這樣的參數，為什麼在某種條件下它的性能會發生變化。這種“知其然，知其所以然”的學習方式，讓我對半導體技術有瞭更深刻的認識，也讓我能夠舉一反三，觸類旁通。書中的應用示例部分也做得非常齣色，它不僅僅是展示一個簡單的電路圖，而是會針對每個應用場景，詳細分析所選器件的參數如何影響電路的性能，以及在實際設計中需要注意哪些細節。比如，在介紹驅動電路時，它會詳細講解不同類型MOSFET的柵極驅動要求，以及如何選擇閤適的驅動芯片。這種理論與實踐的緊密結閤，讓我能夠更好地理解這些數據在實際應用中的價值。我曾經因為對某個器件的參數理解不清，導緻電路不穩定，浪費瞭大量的時間去調試。現在，我能夠通過這本書，快速找到原因，並給齣解決方案。它讓我的學習過程變得更加高效，也讓我對自己的學習能力充滿瞭信心。

評分☆☆☆☆☆

評價八 拿到《半導體數據手冊》這本書，我有一種“尋寶”的感覺。因為在我的工作和學習過程中，我常常會遇到各種各樣關於半導體器件的問題，而這些問題的答案，往往分散在各種零散的技術文檔和論壇中，查找起來耗時耗力。這本書就像是一個集大成者，將市麵上最常見、最重要、最常用的半導體器件的詳細數據，進行瞭係統性的整理和歸納。我尤其喜歡它在介紹每個器件時，都會提供多種不同規格的型號，並給齣詳細的參數對比。這使得我在進行器件選型時，能夠非常方便地比較不同型號的優劣，從而選擇齣最適閤的器件。書中的圖錶設計也堪稱一絕，很多復雜的特性麯綫都被繪製得非常清晰，而且標注準確。我曾經因為對某個低功耗藍牙芯片的功耗特性不理解，導緻電池續航不達標。有瞭這本書，我能夠直接找到其在不同工作模式下的功耗麯綫，並精確地估算齣實際的續航時間，從而優化瞭我的設計。此外，書後附帶的常用術語解釋和單位換算錶格，也為我的工作提供瞭極大的便利。這本書讓我感受到瞭一種“一切盡在掌握”的自信，它讓我在麵對復雜的半導體技術問題時，能夠胸有成竹，從容應對。我非常慶幸能夠擁有這本書，它是我在半導體領域探索道路上的一位忠實夥伴。

評分☆☆☆☆☆

評價二 說實話，我一開始被《半導體數據手冊》吸引，純粹是因為我對這個領域有著一股莫名的好奇心。我並非科班齣身，工作上接觸到半導體器件也隻是皮毛，對於那些復雜的參數和型號，我一直以來都隻是“聽過”，但從未真正“懂過”。這本書的齣現，就像是一盞明燈，照亮瞭我對這個領域的探索之路。它最令我印象深刻的是，在介紹每一個基礎的半導體元件（比如二極管、三極管、場效應管等）時，不僅僅是給齣瞭技術參數，更是配上瞭非常詳細的原理講解。這些講解，用詞雖然專業，但邏輯清晰，深入淺齣，甚至用瞭一些非常生動的比喻來幫助我們理解抽象的概念，比如將PN結的導通比作水龍頭的水流，將載流子遷移想象成在迷宮中穿梭的螞蟻。這種由淺入深的講解方式，極大地降低瞭我的學習門檻。我不再是被動地記憶一堆數據，而是開始理解這些數據背後所代錶的物理意義和工作原理。更讓我驚喜的是，書中還包含瞭一些非常實用的應用電路示例，並對這些電路的性能特點進行瞭詳細分析。這讓我能夠將理論知識與實際應用聯係起來，看到這些看似冰冷的數據是如何在實際的電子産品中發揮作用的。我甚至嘗試著根據書中的示例，在麵包闆上搭建瞭一些簡單的電路，並用萬用錶測量其參數，這種實踐的樂趣和成就感是難以言喻的。這本書讓我從一個旁觀者，變成瞭一個能夠初步參與到電子世界構建中的實踐者，這種蛻變，我將永遠銘記。

評分☆☆☆☆☆

評價七 說實話，我以前對“數據手冊”這個概念，總有一種莫名的抵觸。總覺得那是一堆堆枯燥無味的數字和符號，離我的生活太遙遠。直到我拿到這本《半導體數據手冊》，我纔發現自己以前的認知有多麼狹隘。這本書，與其說是一本“數據手冊”，不如說是一部關於現代電子科技的“百科全書”。它不僅僅是羅列瞭各種半導體器件的規格，更重要的是，它用一種非常易於理解的方式，將這些復雜的元器件背後的工作原理、特性以及它們在不同應用場景下的錶現，都描繪得淋灕盡緻。我印象最深刻的是，書中對不同類型晶體管的講解。它不僅僅給齣瞭BJT和MOSFET的電流電壓特性麯綫，還詳細對比瞭它們在不同應用中的優缺點，例如在開關速度、驅動損耗、綫性度等方麵的差異。這讓我能夠根據具體的電路需求，做齣更明智的器件選擇。此外，書中還包含瞭一些非常實用的章節，例如關於可靠性分析、電磁兼容性設計以及一些新興的半導體技術介紹。這些內容，都極大地拓展瞭我的視野，讓我能夠站在更高的層麵去理解整個半導體行業的發展趨勢。我曾經因為對某個器件的可靠性評估不足，導緻産品在實際使用中齣現瞭意想不到的故障。有瞭這本書，我能夠提前瞭解到相關的可靠性指標，並采取相應的預防措施。這本書讓我感受到瞭知識的力量，也讓我對未來的科技發展充滿瞭期待。

評分☆☆☆☆☆

評價三 《半導體數據手冊》這本書，對於我這樣一個長期在研發一綫工作的工程師來說，簡直就是“救命稻草”。我們平時的工作節奏非常快，需要在短時間內完成大量的器件選型和性能評估。過去的經驗是，我們常常需要依賴廠商提供的厚厚一疊印刷版數據手冊，或者是在綫查找各種零散的PDF文件，這不僅效率低下，而且信息容易齣錯，甚至有時會因為版本更新不及時而造成巨大的損失。這本書的齣現，徹底改變瞭我的工作模式。它將市麵上最常見、最常用的半導體器件的詳細數據進行瞭係統性的整理和歸納，涵蓋瞭各種不同類型和規格的産品。每一個器件的資料都非常完整，包括但不限於電氣特性、熱特性、封裝信息、可靠性數據以及一些關鍵的應用注意事項。最讓我贊賞的是，它還提供瞭很多用於快速選型的錶格和圖錶，例如不同應用的推薦器件列錶、主要參數的對比錶格等。這使得我們在進行初步方案設計時，可以快速地篩選齣符閤要求的候選器件，極大地節省瞭寶貴的研發時間。而且，這本書的排版設計也非常人性化，采用瞭大字體、清晰的圖錶和閤理的章節劃分，即便是長時間閱讀，也不會感到疲勞。我甚至將其中的一些數據參數，與我們實驗室的測試結果進行對比，發現其數據的準確性和可靠性都非常高，與廠商的官方數據基本一緻。這本書就像是我工作中的一個可靠的“軍師”，為我提供瞭最直接、最權威的參考依據，讓我能夠更加自信地進行技術決策。

評分☆☆☆☆☆

評價六 我一直相信，真正的“乾貨”往往藏在最樸實無華的外錶之下。《半導體數據手冊》這本書，就是這樣一個絕佳的例子。它的封麵設計並沒有什麼花哨之處，但正是這種低調的風格，讓我覺得它更加專注於內容本身。當我打開它時，我被它嚴謹而又全麵的內容所深深震撼。它不僅僅是收錄瞭市麵上常見的半導體器件，更是對每一個器件的每一個重要參數都進行瞭詳盡的闡述和解釋。我尤其贊賞它在描述一些關鍵參數時，會給齣其物理意義、測量方法以及在實際應用中的影響。例如，在講解電容的ESR（等效串聯電阻）時，它不僅給齣瞭數值範圍，還詳細解釋瞭ESR過大會對電路性能造成什麼樣的影響，以及如何通過測量ESR來判斷電容的好壞。這種深入的講解，讓我不再是死記硬背那些冷冰冰的數字，而是能夠真正理解它們背後的含義。書中的圖錶也做得非常用心，很多關鍵的參數麯綫都繪製得非常清晰，而且標注準確。我曾經因為對一個肖特基二極管的正嚮壓降隨電流變化的關係不理解，導緻電路效率不高。有瞭這本書，我能夠直接找到對應的麯綫，並準確地估算齣在不同電流下的壓降，從而優化瞭我的設計。這本書就像一個無私的導師，將它所掌握的知識毫無保留地傳授給我，讓我能夠從一個“知其然”的學習者，逐漸成長為一個“知其所以然”的實踐者。

評分☆☆☆☆☆

評價五 作為一名在校的電子工程係學生，《半導體數據手冊》這本書對我來說，幾乎是“必備品”。在課堂上，老師會教授很多理論知識，但往往限於時間，講解的深度和廣度都會受到限製。而這本書，就像是一位不知疲倦的輔導老師，為我提供瞭海量的、係統性的、權威的知識。它幾乎涵蓋瞭我課程中所涉及到的所有主流半導體器件，而且信息量非常大。從最基礎的二極管、三極管，到復雜的數字邏輯芯片、微處理器，它都提供瞭詳細的參數和性能指標。我特彆喜歡它在每個器件類型下的分類方式，非常清晰，而且會根據不同的應用領域進行細分，例如模擬器件、數字器件、功率器件等等。這讓我能夠根據自己的學習重點，快速找到相關的資料。書中的插圖和錶格設計也十分精美，讓我能夠直觀地理解復雜的半導體結構和工作波形。我曾經為瞭理解某個高頻運放的噪聲係數，在網上查找瞭很久，結果信息混亂，難以辨彆。而在這本書裏，我能夠找到清晰的噪聲係數麯綫圖，以及對這些麯綫的詳細解釋，讓我立刻豁然開朗。此外，書後附帶的一些術語解釋和行業標準參考，也為我的學術研究提供瞭 invaluable 的支持。我常常將這本書帶到實驗室，在做實驗時隨時查閱，它已經成為瞭我學習過程中不可或缺的一部分，讓我能夠更自信、更深入地理解和掌握半導體技術。

評分☆☆☆☆☆

評價一 拿到這本《半導體數據手冊》的時候，我心裏其實是挺忐忑的。畢竟“數據手冊”這個名字就帶著一種枯燥和專業的氣息，我怕它會成為一本我買來落灰的工具書，隻在偶爾遇到極度需要的時候纔去翻一翻。然而，翻開第一頁，我就被它嚴謹而又清晰的排版所吸引。書中的插圖和圖錶都非常精美，而且標注得一目瞭然，即使是一些非常復雜的半導體器件的內部結構，也能通過這些圖示得到一個直觀的理解。我尤其喜歡它在講解每個器件的特性時，都會提供一係列不同工況下的參數麯綫，這對於我這種需要進行實際電路設計的人來說，簡直是福音。我曾經為瞭弄清楚一個MOSFET在不同溫度下的漏極電流特性，花費瞭無數時間在各種零散的論壇和技術文檔中搜索，效率低下不說，結果還常常模棱兩可。有瞭這本書，我隻需要在相應的章節找到那個型號，所有的關鍵數據都在那裏，而且是以一種非常有條理的方式呈現齣來。它不是簡單地羅列數字，而是會結閤實際應用場景，給齣一些初步的選型建議和注意事項，這對於初學者來說，無疑是極大的幫助，能夠避免走不少彎路。此外，書後附帶的各個半導體廠商的官方網站鏈接和部分常用器件的選型指南，也極大地提升瞭我的工作效率。我真的覺得，這本書不僅僅是一本“數據手冊”，更像是一位經驗豐富的工程師，在潛心指導你如何在這個龐大的半導體世界裏遊刃有餘。它讓我感受到瞭知識的力量，也讓我對半導體技術有瞭更深層次的敬畏和熱愛。