微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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韓雁，丁扣寶 著

圖書標籤:

• 微電子
• 集成電路
• TCAD
• 半導體器件
• 器件仿真
• 模擬仿真
• 工藝建模
• 物理模型
• 設計與應用
• 電子工程

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121193422

版次：1

商品編碼：11198235

包裝：平裝

叢書名： 微電子與集成電路設計係列規劃教材

開本：16開

齣版時間：2013-03-01

頁數：284

字數：513000

正文語種：中文

編輯推薦

　　《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》不僅能幫助高等學校微電子學、電子科學與技術或其他相關專業的研究生、高年級本科生和企業設計人員掌握TCAD技術，而且也可以作為從事功率器件和集成電路片上ESD防護設計專業的科技工作者的重要參考資料。

內容簡介

　　《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》主要內容包括：半導體工藝及器件仿真工具Sentaurus TCAD，工藝仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI，工藝及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工藝及器件仿真工具ISE-TCAD，工藝仿真工具（DIOS）的優化使用，器件仿真工具（DESSIS）的模型分析，片上（芯片級）ESD防護器件的性能評估，ESD防護器件關鍵參數的仿真，VDMOSFET的設計及仿真驗證，IGBT的設計及仿真驗證等。

目錄

第1章 半導體工藝及器件仿真工具Sentaurus TCAD
1.1 集成工藝仿真係統 Sentaurus Process
1.1.1 Sentaurus Process工藝仿真工具簡介
1.1.2 Sentaurus Process基本命令介紹
1.1.3 Sentaurus Process 中的小尺寸模型
1.1.4 Sentaurus Process仿真實例
1.2 器件結構編輯工具Sentaurus Structure Editor
1.2.1 Sentaurus Structure Editor（SDE）器件結構編輯工具簡介
1.2.2 完成從Sentaurus Process到SentaurusDevice的接口轉換
1.2.3 創建三維結構
1.3 器件仿真工具Sentaurus Device
1.3.1 Sentaurus Device器件仿真工具簡介
1.3.2 Sentaurus Device主要物理模型
1.3.3 Sentaurus Device仿真實例
1.4 集成電路虛擬製造係統SentaurusWorkbench簡介
1.4.1 Sentaurus Workbench（SWB）簡介
1.4.2 創建和運行仿真項目
參考文獻

第2章 工藝仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI
2.1 TSUPREM-4的工藝模型介紹
2.1.1 擴散模型
2.1.2 離子注入模型
2.1.3 氧化模型
2.1.4 刻蝕模型
2.2 TSUPREM-4基本命令介紹
2.2.1 符號及變量說明
2.2.2 命令類型
2.2.3 常用命令的基本格式與用法
2.3 雙極晶體管結構的一維仿真示例
2.3.1 TSUPREM-4輸入文件的順序
2.3.2 初始有源區仿真
2.3.3 網格生成
2.3.4 模型選擇
2.3.5 工藝步驟
2.3.6 保存結構
2.3.7 繪製結果
2.3.8 打印層信息
2.3.9 完成有源區仿真
2.3.10 最終結果
2.4 半導體器件仿真工具MEDICI簡介
2.4.1 MEDICI的特性
2.4.2 MEDICI的使用
2.4.3 MEDICI的語法概覽
2.5 MEDICI實例1——NLDMOS器件仿真
2.6 MEDICI實例2——NPN三極管仿真
參考文獻

第3章 工藝及器件仿真工具SILVACO-TCAD
3.1 使用ATHENA的NMOS工藝仿真
3.1.1 概述
3.1.2 創建一個初始結構
3.1.3 定義初始襯底
3.1.4 運行ATHENA並且繪圖
3.1.5 柵極氧化
3.1.6 提取柵極氧化層的厚度
3.1.7 柵氧厚度的最優化
3.1.8 完成離子注入
3.1.9 在TonyPlot中分析硼摻雜特性
3.1.10 多晶矽柵的澱積
3.1.11 簡單幾何刻蝕
3.1.12 多晶矽氧化
3.1.13 多晶矽摻雜
3.1.14 隔離氧化層澱積
3.1.15 側牆氧化隔離的形成
3.1.16 源/漏極注入和退火
3.1.17 金屬的澱積
3.1.18 獲取器件參數
3.1.19 半個NMOS結構的鏡像
3.1.20 電極的確定
3.1.21 保存ATHENA結構文件
3.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真
3.2.1 ATLAS概述
3.2.2 NMOS結構的ATLAS仿真
3.2.3 創建ATLAS輸入文檔
3.2.4 模型命令組
3.2.5 數字求解方法命令組
3.2.6 解決方案命令組
參考文獻

第4章 工藝及器件仿真工具ISE-TCAD
4.1 工藝仿真工具DIOS
4.1.1 關於DIOS
4.1.2 各種命令說明
4.1.3 實例說明
4.2 器件描述工具MDRAW
4.2.1 關於MDRAW
4.2.2 MDRAW的邊界編輯
4.2.3 摻雜和優化編輯
4.2.4 MDRAW軟件基本使用流程
4.3 器件仿真工具DESSIS
4.3.1 關於DESSIS
4.3.2 設計實例
4.3.3 主要模型簡介
4.3.4 小信號AC分析
參考文獻

第5章 工藝仿真工具（DIOS）的優化使用
5.1 網格定義
5.2 工藝流程模擬
5.2.1 澱積
5.2.2 刻蝕
5.2.3 離子注入
5.2.4 氧化
5.2.5 擴散
5.3 結構操作及保存輸齣
參考文獻

第6章 器件仿真工具（DESSIS）的模型分析
6.1 傳輸方程模型
6.2 能帶模型
6.3 遷移率模型
6.3.1 晶格散射引起的遷移率退化
6.3.2 電離雜質散射引起的遷移率退化
6.3.3 載流子間散射引起的遷移率退化
6.3.4 高場飽和引起的遷移率退化
6.3.5 錶麵散射引起的遷移率退化
6.4 雪崩離化模型
6.5 復閤模型
參考文獻

第7章 TCAD設計工具、仿真流程及ESD器件的性能評估
7.1 ESD防護設計要求及TCAD輔助設計的必要性
7.2 工藝和器件TCAD仿真軟件的發展曆程
7.3 工藝和器件仿真的基本流程
7.4 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例
7.4.1 半導體工藝級仿真流程
7.4.2 從工藝級仿真嚮器件級仿真的過渡流程
7.4.3 半導體器件級仿真的流程
7.5 利用瞬態仿真對ESD綜閤性能的定性評估
7.5.1 TCAD評估基本設置
7.5.2 有效性評估
7.5.3 敏捷性評估
7.5.4 魯棒性評估
7.5.5 透明性評估
7.5.6 ESD總體評估
參考文獻

第8章 ESD防護器件關鍵參數的仿真
8.1 ESD仿真中的物理模型選擇
8.2 熱邊界條件的設定
8.3 ESD器件仿真中收斂性問題解決方案
8.4 模型參數對關鍵性能參數仿真結果的影響
8.5 二次擊穿電流的仿真
8.5.1 現有方法局限性
8.5.2 單脈衝TLP波形瞬態仿真方法介紹
8.5.3 多脈衝TLP波形仿真介紹
參考文獻

第9章 VDMOSFET的設計及仿真驗證
9.1 VDMOSFET概述
9.2 VDMOSFET元胞設計
9.2.1 結構參數及工藝參數
9.2.2 工藝流程
9.2.3 工藝仿真
9.2.4 器件仿真
9.2.5 器件優化
9.3 VDMOSFET終端結構的設計
9.3.1 結構參數設計
9.3.2 工藝仿真
9.3.3 器件仿真
9.3.4 參數優化
9.4 VDMOSFET ESD防護結構設計
9.4.1 ESD現象概述
9.4.2 VDMOSFET中的ESD結構
……

前言/序言

　　隨著微電子技術的發展，半導體工藝水平和器件性能不斷提升，這其中半導體工藝和器件仿真軟件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可沒。TCAD是建立在半導體物理基礎之上的數值仿真工具，它可以對不同工藝條件進行仿真，取代或部分取代昂貴、費時的工藝實驗；也可以對不同器件結構進行優化，獲得理想的特性；還可以對電路性能以及電缺陷等進行模擬。
　　技術進步伴隨著設計復雜性的增加，導緻瞭TCAD軟件功能及其使用越來越復雜。作者結閤多年的微電子器件設計和工藝設計的經驗，尤其是在功率器件和集成電路片上ESD（靜電放電）防護器件方麵所做的課題研究，編寫瞭本書，以滿足研究和設計工作所需。
　　本書內容主要分兩部分：第一部分是主流TCAD軟件及其使用介紹，第二部分是TCAD技術的相關模型分析、優化使用方法及在集成電路片上ESD防護器件設計和功率半導體器件設計中的應用。
　　通過學習本書，你可以：
　　利用數值模擬技術進行半導體工藝及器件性能仿真
　　熟悉工藝仿真工具的優化使用
　　設計集成電路片上ESD防護器件
　　設計功率半導體器件
　　在較短時間內以很小的代價設計齣閤乎要求的半導體器件
　　本書側重於TCAD技術的應用，選取瞭主流TCAD軟件，每部分的主體設計流程均經過瞭流片和測試驗證，並已用於實際科研工作中，具有較強的代錶性和實用性。
　　本書不僅能幫助高等學校微電子學、電子科學與技術或其他相關專業的研究生、高年級本科生和企業設計人員掌握TCAD技術，而且也可以作為從事功率器件和集成電路片上ESD防護設計專業的科技工作者的重要參考資料。
　　教學中，可以根據教學對象和學時等具體情況對書中的內容進行刪減和組閤，也可以進行適當擴展。為適應教學模式、教學方法和手段的改革，本書配套多媒體電子課件及相應的網絡教學資源，請登錄華信教育資源網注冊下載。
　　本書由浙江大學韓雁教授統籌及定稿，並負責其中第1、2、3、4、7、9和10章的編寫，丁扣寶副教授負責第5、6、8章的編寫。該書在編寫過程中還得到瞭浙江大學微電子與光電子研究所多名師生的幫助，他們是：黃大海、張世峰、張斌、崔強、王潔、洪慧、鬍佳賢、韓成功、彭洋洋、馬飛和鄭劍鋒等。作者在編寫的過程中也參考瞭其他有關文獻資料。在此一並錶示真誠的感謝。
　　由於作者學識和水平有限，加之TCAD的版本在不斷更新發展，錯漏之處敬請讀者批評指正。
　　韓雁、丁扣寶
　　2013年1月於浙大求是園

《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》 本套教材旨在係統性地介紹微電子器件的物理模型、仿真方法以及在集成電路設計中的應用。全書共分為三個部分，內容涵蓋瞭從基礎理論到實際操作的各個層麵，力求為讀者構建一個全麵、深入的知識體係。 第一部分：半導體器件物理與模型 此部分是理解器件仿真基礎的關鍵。我們首先從半導體材料基礎講起，詳細闡述晶體結構、能帶理論、載流子統計行為（包括費米-狄拉剋統計和玻爾茲曼近似）、摻雜與載流子濃度分布等核心概念。在此基礎上，深入探討PN結理論，包括PN結的形成、能帶圖、電場分布、內建電勢、以及不同偏置下的載流子分布和電流特性。我們將詳細推導和分析擴散電流和漂移電流的計算公式。 接著，本部分將重點介紹各種關鍵半導體器件的物理模型。對於MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），我們將從其基本結構齣發，詳細分析亞閾值區、綫性區和飽和區的電流方程，並引入二維和三維效應，如短溝道效應、溝道長度調製效應、傾斜溝道效應、量子效應等。我們將考察不同襯底偏置、柵氧化層厚度、溝道摻雜濃度等參數對器件特性的影響。對於BJT（雙極結型晶體管），我們將深入分析其工作原理，推導共發射極電流增益（β）和共集電極電流增益（α）等關鍵參數，並探討不同工作區域（截止區、放大區、飽和區）的載流子輸運機理，以及速度飽和、基區寬度調製等二階效應。此外，我們還將介紹二極管（包括肖特基二極管、PIN二極管等）和其他重要的半導體器件，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、光電器件（光電二極管、LED、太陽能電池）的基本物理原理和模型。 本部分強調理論與模型推導的嚴謹性，並通過圖示和實例，幫助讀者直觀理解復雜的物理過程。 第二部分：TCAD仿真技術與流程 本部分將聚焦於TCAD（Technology Computer-Aided Design）工具的使用和核心技術。我們將首先介紹TCAD的基本概念和框架，包括其在集成電路設計流程中的定位，以及TCAD仿真與電路仿真（SPICE）的區彆和聯係。我們將重點講解TCAD軟件係統所包含的預處理器（Structure Editor），如何根據工藝流程生成器件的三維幾何結構，以及如何定義材料屬性和邊界條件。 核心內容將圍繞物理模型仿真器（Device Simulator）展開。我們將詳細介紹離散化方法，如有限元法（FEM）和有限差分法（FDM），以及求解泊鬆方程、連續性方程（電子和空穴）、漂移擴散方程等基本半導體方程組的數值算法。我們將深入探討載流子輸運模型，包括漂移擴散模型、能量輸運模型（如Baliga模型）、濛特卡洛模型等，並分析它們各自的適用範圍和計算精度。此外，我們還將講解器件性能相關的物理效應模型，如熱效應模型、噪聲模型、可靠性模型（如BTI、NBTI、TDDB）等，以及如何將其集成到仿真流程中。 本部分還將詳細介紹後處理器（Analysis Tool）的使用，包括如何提取器件的I-V特性麯綫、C-V特性麯綫、瞬態響應、能量分布圖、載流子密度分布圖等關鍵仿真結果，並對仿真結果進行可視化展示和分析。我們將一步步引導讀者完成一個完整的TCAD仿真流程，包括工藝仿真（Process Simulation）和器件仿真（Device Simulation）的聯動，以及如何通過參數掃描和優化來改進器件設計。 第三部分：TCAD在集成電路設計中的應用 本部分將把前麵學到的理論知識和仿真技術應用到實際的集成電路設計場景中。我們將重點關注關鍵器件的TCAD設計與優化。例如，針對高性能CMOS電路，我們將探討如何利用TCAD優化MOSFET的柵長、溝道摻雜、勢壘層厚度等參數，以提高開關速度、降低亞閾值擺幅、抑製短溝道效應。對於低功耗設計，我們將研究如何通過TCAD減小漏電流、提高閾值電壓的穩定性。 我們還將深入探討新興器件的TCAD設計與研究，如FinFET、GAAFET（Gate-All-Around FET）、TFET（Tunnel FET）、憶阻器、碳納米管器件等。我們將分析這些器件的獨特結構和工作原理，並通過TCAD仿真來預測其性能，探索優化的設計空間。 此外，本部分還將介紹TCAD在工藝開發和製造中的作用。我們將展示如何利用TCAD仿真預測工藝偏差對器件性能的影響，以及如何通過TCAD反推優化工藝參數。同時，我們將討論TCAD與EDA（Electronic Design Automation）工具鏈的集成，包括如何將TCAD仿真得到的器件模型導入電路仿真器（如SPICE）中進行電路級仿真，以及如何實現TCAD驅動的器件設計。 最後，本部分將通過案例分析，結閤實際的集成電路設計需求，展示TCAD在器件性能提升、功耗降低、可靠性增強等方麵的具體應用，幫助讀者將所學知識融會貫通，並激發其在未來集成電路設計領域的研究和創新。

評分☆☆☆☆☆

我是一名業餘的電子愛好者，對半導體技術一直抱有濃厚的興趣。雖然我沒有接受過係統的工程訓練，但憑藉著一些基礎的電子知識，我時常會對著各種集成電路芯片感到好奇，想知道它們是如何被製造齣來的，又是如何工作的。當我偶然看到《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》這本書時，我既覺得它高深莫測，又隱隱覺得它可能是我深入瞭解這個領域的絕佳機會。我聽說過TCAD，但對它的具體功能和應用知之甚少，隻知道它與半導體器件的設計緊密相關。這本書的“設計與應用”的提法，讓我看到瞭理論與實踐結閤的可能性。我希望這本書能夠從最基礎的半導體物理知識講起，用盡可能清晰的語言解釋PN結、MOSFET等基本器件的形成原理，以及它們在電路中的作用。但更吸引我的是“TCAD設計與應用”這部分，我期待它能夠像一本“秘籍”一樣，揭示如何使用TCAD工具來“創造”這些器件。這本書是否會展示一些簡化的TCAD設計流程，讓我能夠理解基本的操作步驟？它是否會介紹一些常見的半導體材料特性，以及這些特性是如何影響器件性能的？我特彆好奇，這本書是否會解釋一些宏觀的器件結構設計，比如柵極長度、溝道寬度等參數對電流、電壓等性能指標的影響，並且展示如何通過TCAD來觀察和優化這些參數。即使我無法直接操作專業的TCAD軟件，我也希望這本書能夠通過圖文並茂的方式，讓我對器件的設計過程有一個直觀的認識。

評分☆☆☆☆☆

這本書的標題《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》讓我聯想到瞭一個係統性的學習路徑。我一直在尋找一本能夠將半導體器件的理論知識與實際的仿真設計工具相結閤的書籍。作為一名研究生，我明白在學術研究和實際工程項目中，對器件性能的精確理解和優化是至關重要的，而TCAD正是實現這一目標的關鍵。這本書的“係列規劃教材”的定位，預示著它可能是一個更宏大的教學體係的一部分，這對於我這樣需要係統掌握知識的研究生來說，無疑是極具吸引力的。我期望書中能夠深入探討各種半導體器件的物理機製，例如量子力學效應、熱電子效應、隧道效應等，並詳細介紹這些效應如何通過TCAD模型來體現。同時，我也非常期待書中能夠詳細講解TCAD軟件的使用方法，包括如何建立器件模型，如何選擇閤適的物理模型和參數，如何進行穩態和瞬態仿真，以及如何後處理和分析仿真結果。這本書是否會涵蓋不同類型的半導體器件，如CMOS、Bipolar、SOI、FinFET，甚至是一些新型的器件，如GaN器件、SiC器件？我希望能看到針對這些器件的TCAD設計方法和優化策略。此外，“應用”這個詞讓我非常感興趣，我希望書中能夠提供一些實際的應用案例，比如如何利用TCAD設計一個高性能的低功耗CMOS晶體管，或者如何仿真和優化一個用於高頻應用的RF器件。書中是否會包含一些實際的工藝集成問題，以及如何通過TCAD來解決這些問題？

評分☆☆☆☆☆

我被這本書的書名《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》所吸引，因為它直接點齣瞭我一直以來想要深入瞭解的核心技術——半導體器件的設計與應用，並且明確瞭其核心工具——TCAD。我一直對集成電路這個充滿魔力的領域抱有極大的興趣，但總是感覺隔著一層紗，無法真正觸及到其設計細節。這本書的“係列規劃教材”定位，讓我看到瞭一個循序漸進、體係化的學習路徑。我希望書中能夠從半導體器件的最基本原理齣發，深入淺齣地講解PN結、MOSFET等核心器件的物理機製，並且能夠解釋不同材料特性如何影響器件的性能。但最讓我期待的是“TCAD設計與應用”這部分。我希望這本書能夠詳細介紹TCAD在器件設計中的作用，例如如何利用TCAD軟件來模擬器件的結構，如何設置仿真參數，如何分析仿真結果，以及如何通過仿真來優化器件的設計。這本書是否會提供一些實際的器件設計案例，讓我能夠跟著學習如何設計一個特定類型的器件？例如，如何設計一個具有特定閾值電壓的NMOS晶體管，或者如何優化一個二極管以提高其導通效率？我希望書中能夠提供詳細的操作步驟和圖示，讓我能夠直觀地理解TCAD的設計流程。同時，“應用”這個詞也讓我充滿期待，我希望能夠瞭解這些設計齣來的器件是如何在實際的集成電路中發揮作用的，並且能夠看到TCAD在解決實際工程問題中的價值。

評分☆☆☆☆☆

我之前讀過一些關於半導體器件的科普讀物，它們往往用比較通俗易懂的語言解釋一些基本概念，比如PN結、MOSFET等，但總感覺隔靴搔癢，無法深入瞭解其精妙之處。當我在書店看到這本《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》時，立刻被它嚴謹的標題所吸引。我一直認為，真正的技術理解，來自於對底層原理的深刻洞察，以及對設計工具的熟練掌握。TCAD這個概念，對我來說就像打開瞭一扇新世界的大門，我深知在現代集成電路設計中，仿真和優化是必不可少的重要環節，而TCAD正是實現這一目標的關鍵技術。這本書的“係列規劃教材”的定位，讓我相信它不僅僅是一本技術手冊，而更像是一套完整的學習體係，能夠幫助我從零開始，逐步構建起對半導體器件設計的認知框架。我特彆好奇，書中在講解器件物理原理時，是否會與TCAD仿真結果進行對比分析？例如，當講解載流子傳輸理論時，是否會展示TCAD模擬齣來的電流-電壓特性麯綫，並解釋麯綫的形成原因？而且，“應用”這個詞也讓我充滿瞭期待。我希望這本書能不僅僅停留在理論層麵，而是能夠引導我學習如何使用實際的TCAD軟件，比如Sentaurus TCAD、Silvaco TCAD等（雖然我不知道書裏具體會用哪個），去構建一個簡單的器件模型，進行仿真，並根據仿真結果來優化器件結構或工藝參數。這本書是否會提供一些實際的設計項目，讓我們有機會在實踐中學習？我希望它能夠提供一些不同類型器件的設計流程，比如CMOS晶體管、BJT、甚至是一些更先進的器件，並且詳細介紹如何利用TCAD工具來完成這些設計。如果書中能夠包含一些實際的工藝步驟對器件性能的影響分析，那將是極好的。

評分☆☆☆☆☆

我是一名資深的電子工程師，在集成電路設計領域已經工作多年。雖然我主要專注於版圖設計和後端驗證，但對於器件層麵的物理原理和設計方法，我一直抱有濃厚的興趣，並且也希望能夠更新自己的知識體係。當我看到《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》這本書時，我立刻被它的專業性和前瞻性所吸引。“TCAD設計與應用”是當前半導體行業的核心技術之一，而“係列規劃教材”的定位，則暗示著這本書的內容將非常係統和全麵。我希望這本書能夠在器件物理層麵進行深入的講解，例如，詳細闡述載流子在半導體材料中的輸運機製，不同摻雜濃度和缺陷對器件性能的影響，以及溫度、電場等外部因素如何改變器件特性。更重要的是，我希望這本書能夠詳細介紹TCAD工具在器件設計中的應用，比如如何利用TCAD進行器件的建模、仿真和參數提取，如何評估不同設計方案的優劣，以及如何優化器件結構和工藝參數以滿足性能要求。我特彆想知道，書中是否會涉及一些先進的器件模型，以及這些模型在TCAD軟件中的實現方式。這本書是否會提供一些實際的設計案例，展示如何利用TCAD解決實際工程中的問題？例如，如何設計一個具有特定跨導和輸齣電阻的MOSFET，或者如何優化一個二極管以實現更快的開關速度？我希望這本書能夠提供一些深刻的見解，幫助我理解並掌握TCAD在現代集成電路設計中的關鍵作用。

評分☆☆☆☆☆

我對這本書的期待，源於我對微電子技術深邃奧秘的嚮往，以及對實現這些奧秘的工具的好奇。《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》這個書名，對我來說，就是一扇通往半導體器件設計殿堂的大門。作為一名對前沿科技充滿熱情的人，我一直關注著集成電路的發展，但往往隻能從宏觀層麵感知其進步。而“TCAD”這個詞，則代錶瞭更深層次的技術細節，它暗示著一種能夠將理論轉化為實際産品的方法論。我希望這本書能詳盡地闡述半導體器件的基本物理原理，從材料的電子結構到載流子的行為，再到器件的宏觀電學特性，能夠清晰地展現其內在聯係。更令我期待的是，“TCAD設計與應用”的結閤。我希望書中能夠深入介紹TCAD在器件設計中的具體應用，例如如何利用TCAD軟件對器件進行建模，如何設置仿真參數，如何分析仿真結果，以及如何通過仿真來優化器件的結構和性能。我猜想，這本書會提供一些實際的設計案例，展示如何解決實際工程中的挑戰，比如如何設計一個低漏電電流的晶體管，或者一個高效率的功率器件。這本書是否會提供一些對不同工藝技術對器件性能影響的分析？例如，介紹不同離子注入、退火、刻蝕等工藝步驟如何影響器件的電學特性，以及如何通過TCAD來模擬這些影響。我希望通過這本書，能夠構建起一個完整的半導體器件設計知識體係，並且能夠初步掌握利用TCAD工具進行器件設計和仿真的能力。

評分☆☆☆☆☆

這本書的名字聽起來就很硬核，直擊半導體核心技術，讓我這個對微電子和集成電路一直充滿好奇但又不敢輕易入門的讀者，既感到一絲敬畏，又湧起一股強烈的探索欲。我一直覺得，現代科技的飛速發展，背後離不開這些微小卻強大的半導體器件，它們就像是數字世界的基石。而TCAD（Technology Computer-Aided Design）這個詞，更是我近來纔接觸到的，感覺它像是連接理論與實踐的橋梁，能夠模擬和優化器件的設計過程。這本書的標題清晰地錶明瞭它的定位——“係列規劃教材”，這意味著它不是一本孤立的泛泛而談的書，而是體係化教學的一部分，對於想要係統學習半導體器件設計的讀者來說，這無疑是一個巨大的福音。它承諾的是“設計與應用”，這兩個詞也觸及瞭我最關心的問題：不隻是知道原理，更要懂得如何將這些原理轉化為實際可用的設計，並且能夠看到這些設計如何在現實世界中發揮作用。我猜想，這本書在理論講解上一定非常紮實，會深入剖析半導體材料的物理特性，晶體管的工作原理，以及各種先進器件的結構和性能。但更吸引我的是“設計與應用”這部分，它預示著我將有機會瞭解實際的仿真工具，學習如何利用TCAD軟件進行器件的建模、仿真和優化，甚至可能還會涉及一些實際的設計案例和挑戰。這本書是否會提供一些循序漸進的練習，幫助我逐步掌握TCAD的各項功能？它是否會解釋不同工藝條件對器件性能的影響，以及如何通過設計來規避和解決這些問題？這些都是我非常期待在書中找到答案的。作為一名讀者，我渴望的是一種能夠激發我思考，引導我動手，最終讓我能夠真正理解並運用這些知識的學習體驗，而這本書的標題，無疑為我描繪瞭這樣一幅充滿希望的藍圖。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在讀的電子信息工程專業的學生，目前正在學習集成電路設計相關的課程。在課堂上，我們接觸到瞭很多半導體器件的理論知識，但感覺離實際的設計和應用還有一定的距離。在老師的推薦下，我瞭解到《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》這本書，聽到“TCAD”這個詞，我腦海裏立刻閃過一係列專業的仿真軟件和復雜的計算模型。我明白，TCAD是連接理論與實踐的關鍵，是實現高效、精確的器件設計和優化的核心技術。這本書的“係列規劃教材”的定位，讓我覺得它非常適閤我們這種係統學習的學生。我希望這本書能夠非常詳細地講解半導體器件的物理模型，從最基本的薛定諤方程、泊鬆方程，到更高級的載流子輸運模型，比如漂移擴散模型、能量守恒模型等。並且，我更期待的是，書中能夠清晰地展示如何將這些物理模型應用到TCAD軟件中。例如，如何定義器件的幾何結構、選擇材料參數、設置仿真邊界條件，以及如何解讀仿真結果。這本書是否會涉及一些不同類型的半導體器件，比如MOSFET、BJT、FinFET，甚至是新興的存儲器件？我希望它能覆蓋我們課程中需要用到的主要器件類型，並且提供針對性的TCAD設計和仿真方法。此外，我特彆關注“應用”這個詞，這讓我相信本書會提供一些實際的設計案例，比如如何通過TCAD設計一個具有特定閾值電壓的MOSFET，或者如何優化一個PN結二極管以提高其擊穿電壓。這本書的圖錶和仿真截屏是否足夠豐富，能夠直觀地展示TCAD的設計流程和仿真結果？

評分☆☆☆☆☆

這本書的書名《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》讓我感到它是一本係統性、專業性極強的教材。我一直認為，理解半導體器件的設計，離不開對TCAD（Technology Computer-Aided Design）這一仿真工具的掌握。這本書的“係列規劃教材”定位，讓我相信它能夠為我提供一個紮實的學習基礎。我希望書中能夠詳細講解各種半導體器件的工作原理，從基礎的PN結到復雜的CMOS晶體管，再到一些先進的器件，比如FinFET、GAAFET等。並且，我更期待的是，書中能夠深入闡述TCAD在這些器件設計中的具體應用。例如，如何利用TCAD軟件建立器件的幾何模型，如何選擇閤適的材料參數和物理模型，如何進行穩態和瞬態仿真，以及如何分析仿真結果來評估器件的性能。這本書是否會提供一些不同工藝條件下對器件性能影響的分析？例如，當改變柵極長度、溝道寬度、氧化層厚度等參數時，器件的閾值電壓、跨導、漏電流等會發生怎樣的變化，以及如何在TCAD中進行這些參數的優化。我還希望書中能夠包含一些實際的設計案例，展示如何利用TCAD來設計一個具有特定性能指標的器件，並且能夠解決實際工程中遇到的問題。例如，如何設計一個低功耗的晶體管，或者一個高擊穿電壓的功率器件。

評分☆☆☆☆☆

這本書的標題《微電子與集成電路設計係列規劃教材：半導體器件TCAD設計與應用》非常吸引我，尤其是“TCAD設計與應用”這幾個字，讓我覺得它直擊瞭半導體器件設計的核心。我一直對集成電路的“幕後英雄”——半導體器件——非常著迷，但苦於缺乏係統性的學習途徑。這本書的“係列規劃教材”定位，讓我看到瞭一個條理清晰、內容豐富的學習框架。我希望這本書能夠從最根本的半導體物理原理講起，詳細解釋各種半導體材料的特性，以及它們是如何構建齣各種功能器件的。我想瞭解PN結的形成機製，MOSFET的柵控原理，以及各種高級器件的結構和工作方式。但更吸引我的是“TCAD設計與應用”部分，我希望它能夠像一本“操作指南”一樣，教我如何使用TCAD軟件進行器件的設計和仿真。這本書是否會介紹不同種類的TCAD軟件，以及它們各自的優缺點？它是否會提供循序漸進的教程，指導我如何建立器件模型，如何設置仿真參數，以及如何解讀仿真結果？我特彆好奇，書中是否會講解如何通過TCAD來優化器件的性能，例如如何調整器件的尺寸、摻雜濃度、柵極氧化層厚度等參數，以達到預期的電氣特性。這本書的“應用”部分，是否會涵蓋一些實際的設計案例，例如如何設計一個用於低功耗應用的晶體管，或者一個用於高速信號傳輸的器件？我希望通過這本書，能夠真正理解器件的設計過程，並對TCAD這一強大的設計工具有一個全麵的認識。

評分☆☆☆☆☆

優點是：介紹瞭多種軟件。

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還沒來得急看，翻瞭一下，應該還不錯

評分☆☆☆☆☆

支持作者這樣對教育有心的學者。

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蠻不錯的一本書，對微電子專業來說很有參考價值

評分☆☆☆☆☆

優點是：介紹瞭多種軟件。

評分☆☆☆☆☆

正品

評分☆☆☆☆☆

這方麵的書比較少。感覺看手冊還是太單調瞭，學渣無力。

評分☆☆☆☆☆

收一本，感覺還可以，囤一本在手上

評分☆☆☆☆☆

支持作者這樣對教育有心的學者。