微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

韩雁，丁扣宝 著

图书标签:

• 微电子
• 集成电路
• TCAD
• 半导体器件
• 器件仿真
• 模拟仿真
• 工艺建模
• 物理模型
• 设计与应用
• 电子工程

出版社： 电子工业出版社

ISBN：9787121193422

版次：1

商品编码：11198235

包装：平装

丛书名： 微电子与集成电路设计系列规划教材

开本：16开

出版时间：2013-03-01

页数：284

字数：513000

正文语种：中文

编辑推荐

　　《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》不仅能帮助高等学校微电子学、电子科学与技术或其他相关专业的研究生、高年级本科生和企业设计人员掌握TCAD技术，而且也可以作为从事功率器件和集成电路片上ESD防护设计专业的科技工作者的重要参考资料。

内容简介

　　《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》主要内容包括：半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD，工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI，工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工艺及器件仿真工具ISE-TCAD，工艺仿真工具（DIOS）的优化使用，器件仿真工具（DESSIS）的模型分析，片上（芯片级）ESD防护器件的性能评估，ESD防护器件关键参数的仿真，VDMOSFET的设计及仿真验证，IGBT的设计及仿真验证等。

目录

第1章 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD
1.1 集成工艺仿真系统 Sentaurus Process
1.1.1 Sentaurus Process工艺仿真工具简介
1.1.2 Sentaurus Process基本命令介绍
1.1.3 Sentaurus Process 中的小尺寸模型
1.1.4 Sentaurus Process仿真实例
1.2 器件结构编辑工具Sentaurus Structure Editor
1.2.1 Sentaurus Structure Editor（SDE）器件结构编辑工具简介
1.2.2 完成从Sentaurus Process到SentaurusDevice的接口转换
1.2.3 创建三维结构
1.3 器件仿真工具Sentaurus Device
1.3.1 Sentaurus Device器件仿真工具简介
1.3.2 Sentaurus Device主要物理模型
1.3.3 Sentaurus Device仿真实例
1.4 集成电路虚拟制造系统SentaurusWorkbench简介
1.4.1 Sentaurus Workbench（SWB）简介
1.4.2 创建和运行仿真项目
参考文献

第2章 工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI
2.1 TSUPREM-4的工艺模型介绍
2.1.1 扩散模型
2.1.2 离子注入模型
2.1.3 氧化模型
2.1.4 刻蚀模型
2.2 TSUPREM-4基本命令介绍
2.2.1 符号及变量说明
2.2.2 命令类型
2.2.3 常用命令的基本格式与用法
2.3 双极晶体管结构的一维仿真示例
2.3.1 TSUPREM-4输入文件的顺序
2.3.2 初始有源区仿真
2.3.3 网格生成
2.3.4 模型选择
2.3.5 工艺步骤
2.3.6 保存结构
2.3.7 绘制结果
2.3.8 打印层信息
2.3.9 完成有源区仿真
2.3.10 最终结果
2.4 半导体器件仿真工具MEDICI简介
2.4.1 MEDICI的特性
2.4.2 MEDICI的使用
2.4.3 MEDICI的语法概览
2.5 MEDICI实例1——NLDMOS器件仿真
2.6 MEDICI实例2——NPN三极管仿真
参考文献

第3章 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD
3.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真
3.1.1 概述
3.1.2 创建一个初始结构
3.1.3 定义初始衬底
3.1.4 运行ATHENA并且绘图
3.1.5 栅极氧化
3.1.6 提取栅极氧化层的厚度
3.1.7 栅氧厚度的最优化
3.1.8 完成离子注入
3.1.9 在TonyPlot中分析硼掺杂特性
3.1.10 多晶硅栅的淀积
3.1.11 简单几何刻蚀
3.1.12 多晶硅氧化
3.1.13 多晶硅掺杂
3.1.14 隔离氧化层淀积
3.1.15 侧墙氧化隔离的形成
3.1.16 源/漏极注入和退火
3.1.17 金属的淀积
3.1.18 获取器件参数
3.1.19 半个NMOS结构的镜像
3.1.20 电极的确定
3.1.21 保存ATHENA结构文件
3.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真
3.2.1 ATLAS概述
3.2.2 NMOS结构的ATLAS仿真
3.2.3 创建ATLAS输入文档
3.2.4 模型命令组
3.2.5 数字求解方法命令组
3.2.6 解决方案命令组
参考文献

第4章 工艺及器件仿真工具ISE-TCAD
4.1 工艺仿真工具DIOS
4.1.1 关于DIOS
4.1.2 各种命令说明
4.1.3 实例说明
4.2 器件描述工具MDRAW
4.2.1 关于MDRAW
4.2.2 MDRAW的边界编辑
4.2.3 掺杂和优化编辑
4.2.4 MDRAW软件基本使用流程
4.3 器件仿真工具DESSIS
4.3.1 关于DESSIS
4.3.2 设计实例
4.3.3 主要模型简介
4.3.4 小信号AC分析
参考文献

第5章 工艺仿真工具（DIOS）的优化使用
5.1 网格定义
5.2 工艺流程模拟
5.2.1 淀积
5.2.2 刻蚀
5.2.3 离子注入
5.2.4 氧化
5.2.5 扩散
5.3 结构操作及保存输出
参考文献

第6章 器件仿真工具（DESSIS）的模型分析
6.1 传输方程模型
6.2 能带模型
6.3 迁移率模型
6.3.1 晶格散射引起的迁移率退化
6.3.2 电离杂质散射引起的迁移率退化
6.3.3 载流子间散射引起的迁移率退化
6.3.4 高场饱和引起的迁移率退化
6.3.5 表面散射引起的迁移率退化
6.4 雪崩离化模型
6.5 复合模型
参考文献

第7章 TCAD设计工具、仿真流程及ESD器件的性能评估
7.1 ESD防护设计要求及TCAD辅助设计的必要性
7.2 工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程
7.3 工艺和器件仿真的基本流程
7.4 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例
7.4.1 半导体工艺级仿真流程
7.4.2 从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程
7.4.3 半导体器件级仿真的流程
7.5 利用瞬态仿真对ESD综合性能的定性评估
7.5.1 TCAD评估基本设置
7.5.2 有效性评估
7.5.3 敏捷性评估
7.5.4 鲁棒性评估
7.5.5 透明性评估
7.5.6 ESD总体评估
参考文献

第8章 ESD防护器件关键参数的仿真
8.1 ESD仿真中的物理模型选择
8.2 热边界条件的设定
8.3 ESD器件仿真中收敛性问题解决方案
8.4 模型参数对关键性能参数仿真结果的影响
8.5 二次击穿电流的仿真
8.5.1 现有方法局限性
8.5.2 单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍
8.5.3 多脉冲TLP波形仿真介绍
参考文献

第9章 VDMOSFET的设计及仿真验证
9.1 VDMOSFET概述
9.2 VDMOSFET元胞设计
9.2.1 结构参数及工艺参数
9.2.2 工艺流程
9.2.3 工艺仿真
9.2.4 器件仿真
9.2.5 器件优化
9.3 VDMOSFET终端结构的设计
9.3.1 结构参数设计
9.3.2 工艺仿真
9.3.3 器件仿真
9.3.4 参数优化
9.4 VDMOSFET ESD防护结构设计
9.4.1 ESD现象概述
9.4.2 VDMOSFET中的ESD结构
……

前言/序言

　　随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验；也可以对不同器件结构进行优化，获得理想的特性；还可以对电路性能以及电缺陷等进行模拟。
　　技术进步伴随着设计复杂性的增加，导致了TCAD软件功能及其使用越来越复杂。作者结合多年的微电子器件设计和工艺设计的经验，尤其是在功率器件和集成电路片上ESD（静电放电）防护器件方面所做的课题研究，编写了本书，以满足研究和设计工作所需。
　　本书内容主要分两部分：第一部分是主流TCAD软件及其使用介绍，第二部分是TCAD技术的相关模型分析、优化使用方法及在集成电路片上ESD防护器件设计和功率半导体器件设计中的应用。
　　通过学习本书，你可以：
　　利用数值模拟技术进行半导体工艺及器件性能仿真
　　熟悉工艺仿真工具的优化使用
　　设计集成电路片上ESD防护器件
　　设计功率半导体器件
　　在较短时间内以很小的代价设计出合乎要求的半导体器件
　　本书侧重于TCAD技术的应用，选取了主流TCAD软件，每部分的主体设计流程均经过了流片和测试验证，并已用于实际科研工作中，具有较强的代表性和实用性。
　　本书不仅能帮助高等学校微电子学、电子科学与技术或其他相关专业的研究生、高年级本科生和企业设计人员掌握TCAD技术，而且也可以作为从事功率器件和集成电路片上ESD防护设计专业的科技工作者的重要参考资料。
　　教学中，可以根据教学对象和学时等具体情况对书中的内容进行删减和组合，也可以进行适当扩展。为适应教学模式、教学方法和手段的改革，本书配套多媒体电子课件及相应的网络教学资源，请登录华信教育资源网注册下载。
　　本书由浙江大学韩雁教授统筹及定稿，并负责其中第1、2、3、4、7、9和10章的编写，丁扣宝副教授负责第5、6、8章的编写。该书在编写过程中还得到了浙江大学微电子与光电子研究所多名师生的帮助，他们是：黄大海、张世峰、张斌、崔强、王洁、洪慧、胡佳贤、韩成功、彭洋洋、马飞和郑剑锋等。作者在编写的过程中也参考了其他有关文献资料。在此一并表示真诚的感谢。
　　由于作者学识和水平有限，加之TCAD的版本在不断更新发展，错漏之处敬请读者批评指正。
　　韩雁、丁扣宝
　　2013年1月于浙大求是园

《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》 本套教材旨在系统性地介绍微电子器件的物理模型、仿真方法以及在集成电路设计中的应用。全书共分为三个部分，内容涵盖了从基础理论到实际操作的各个层面，力求为读者构建一个全面、深入的知识体系。 第一部分：半导体器件物理与模型 此部分是理解器件仿真基础的关键。我们首先从半导体材料基础讲起，详细阐述晶体结构、能带理论、载流子统计行为（包括费米-狄拉克统计和玻尔兹曼近似）、掺杂与载流子浓度分布等核心概念。在此基础上，深入探讨PN结理论，包括PN结的形成、能带图、电场分布、内建电势、以及不同偏置下的载流子分布和电流特性。我们将详细推导和分析扩散电流和漂移电流的计算公式。 接着，本部分将重点介绍各种关键半导体器件的物理模型。对于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），我们将从其基本结构出发，详细分析亚阈值区、线性区和饱和区的电流方程，并引入二维和三维效应，如短沟道效应、沟道长度调制效应、倾斜沟道效应、量子效应等。我们将考察不同衬底偏置、栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度等参数对器件特性的影响。对于BJT（双极结型晶体管），我们将深入分析其工作原理，推导共发射极电流增益（β）和共集电极电流增益（α）等关键参数，并探讨不同工作区域（截止区、放大区、饱和区）的载流子输运机理，以及速度饱和、基区宽度调制等二阶效应。此外，我们还将介绍二极管（包括肖特基二极管、PIN二极管等）和其他重要的半导体器件，如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、光电器件（光电二极管、LED、太阳能电池）的基本物理原理和模型。 本部分强调理论与模型推导的严谨性，并通过图示和实例，帮助读者直观理解复杂的物理过程。 第二部分：TCAD仿真技术与流程 本部分将聚焦于TCAD（Technology Computer-Aided Design）工具的使用和核心技术。我们将首先介绍TCAD的基本概念和框架，包括其在集成电路设计流程中的定位，以及TCAD仿真与电路仿真（SPICE）的区别和联系。我们将重点讲解TCAD软件系统所包含的预处理器（Structure Editor），如何根据工艺流程生成器件的三维几何结构，以及如何定义材料属性和边界条件。 核心内容将围绕物理模型仿真器（Device Simulator）展开。我们将详细介绍离散化方法，如有限元法（FEM）和有限差分法（FDM），以及求解泊松方程、连续性方程（电子和空穴）、漂移扩散方程等基本半导体方程组的数值算法。我们将深入探讨载流子输运模型，包括漂移扩散模型、能量输运模型（如Baliga模型）、蒙特卡洛模型等，并分析它们各自的适用范围和计算精度。此外，我们还将讲解器件性能相关的物理效应模型，如热效应模型、噪声模型、可靠性模型（如BTI、NBTI、TDDB）等，以及如何将其集成到仿真流程中。 本部分还将详细介绍后处理器（Analysis Tool）的使用，包括如何提取器件的I-V特性曲线、C-V特性曲线、瞬态响应、能量分布图、载流子密度分布图等关键仿真结果，并对仿真结果进行可视化展示和分析。我们将一步步引导读者完成一个完整的TCAD仿真流程，包括工艺仿真（Process Simulation）和器件仿真（Device Simulation）的联动，以及如何通过参数扫描和优化来改进器件设计。 第三部分：TCAD在集成电路设计中的应用 本部分将把前面学到的理论知识和仿真技术应用到实际的集成电路设计场景中。我们将重点关注关键器件的TCAD设计与优化。例如，针对高性能CMOS电路，我们将探讨如何利用TCAD优化MOSFET的栅长、沟道掺杂、势垒层厚度等参数，以提高开关速度、降低亚阈值摆幅、抑制短沟道效应。对于低功耗设计，我们将研究如何通过TCAD减小漏电流、提高阈值电压的稳定性。 我们还将深入探讨新兴器件的TCAD设计与研究，如FinFET、GAAFET（Gate-All-Around FET）、TFET（Tunnel FET）、忆阻器、碳纳米管器件等。我们将分析这些器件的独特结构和工作原理，并通过TCAD仿真来预测其性能，探索优化的设计空间。 此外，本部分还将介绍TCAD在工艺开发和制造中的作用。我们将展示如何利用TCAD仿真预测工艺偏差对器件性能的影响，以及如何通过TCAD反推优化工艺参数。同时，我们将讨论TCAD与EDA（Electronic Design Automation）工具链的集成，包括如何将TCAD仿真得到的器件模型导入电路仿真器（如SPICE）中进行电路级仿真，以及如何实现TCAD驱动的器件设计。 最后，本部分将通过案例分析，结合实际的集成电路设计需求，展示TCAD在器件性能提升、功耗降低、可靠性增强等方面的具体应用，帮助读者将所学知识融会贯通，并激发其在未来集成电路设计领域的研究和创新。

评分☆☆☆☆☆

我对这本书的期待，源于我对微电子技术深邃奥秘的向往，以及对实现这些奥秘的工具的好奇。《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》这个书名，对我来说，就是一扇通往半导体器件设计殿堂的大门。作为一名对前沿科技充满热情的人，我一直关注着集成电路的发展，但往往只能从宏观层面感知其进步。而“TCAD”这个词，则代表了更深层次的技术细节，它暗示着一种能够将理论转化为实际产品的方法论。我希望这本书能详尽地阐述半导体器件的基本物理原理，从材料的电子结构到载流子的行为，再到器件的宏观电学特性，能够清晰地展现其内在联系。更令我期待的是，“TCAD设计与应用”的结合。我希望书中能够深入介绍TCAD在器件设计中的具体应用，例如如何利用TCAD软件对器件进行建模，如何设置仿真参数，如何分析仿真结果，以及如何通过仿真来优化器件的结构和性能。我猜想，这本书会提供一些实际的设计案例，展示如何解决实际工程中的挑战，比如如何设计一个低漏电电流的晶体管，或者一个高效率的功率器件。这本书是否会提供一些对不同工艺技术对器件性能影响的分析？例如，介绍不同离子注入、退火、刻蚀等工艺步骤如何影响器件的电学特性，以及如何通过TCAD来模拟这些影响。我希望通过这本书，能够构建起一个完整的半导体器件设计知识体系，并且能够初步掌握利用TCAD工具进行器件设计和仿真的能力。

评分☆☆☆☆☆

这本书的名字听起来就很硬核，直击半导体核心技术，让我这个对微电子和集成电路一直充满好奇但又不敢轻易入门的读者，既感到一丝敬畏，又涌起一股强烈的探索欲。我一直觉得，现代科技的飞速发展，背后离不开这些微小却强大的半导体器件，它们就像是数字世界的基石。而TCAD（Technology Computer-Aided Design）这个词，更是我近来才接触到的，感觉它像是连接理论与实践的桥梁，能够模拟和优化器件的设计过程。这本书的标题清晰地表明了它的定位——“系列规划教材”，这意味着它不是一本孤立的泛泛而谈的书，而是体系化教学的一部分，对于想要系统学习半导体器件设计的读者来说，这无疑是一个巨大的福音。它承诺的是“设计与应用”，这两个词也触及了我最关心的问题：不只是知道原理，更要懂得如何将这些原理转化为实际可用的设计，并且能够看到这些设计如何在现实世界中发挥作用。我猜想，这本书在理论讲解上一定非常扎实，会深入剖析半导体材料的物理特性，晶体管的工作原理，以及各种先进器件的结构和性能。但更吸引我的是“设计与应用”这部分，它预示着我将有机会了解实际的仿真工具，学习如何利用TCAD软件进行器件的建模、仿真和优化，甚至可能还会涉及一些实际的设计案例和挑战。这本书是否会提供一些循序渐进的练习，帮助我逐步掌握TCAD的各项功能？它是否会解释不同工艺条件对器件性能的影响，以及如何通过设计来规避和解决这些问题？这些都是我非常期待在书中找到答案的。作为一名读者，我渴望的是一种能够激发我思考，引导我动手，最终让我能够真正理解并运用这些知识的学习体验，而这本书的标题，无疑为我描绘了这样一幅充满希望的蓝图。

评分☆☆☆☆☆

我是一名在读的电子信息工程专业的学生，目前正在学习集成电路设计相关的课程。在课堂上，我们接触到了很多半导体器件的理论知识，但感觉离实际的设计和应用还有一定的距离。在老师的推荐下，我了解到《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》这本书，听到“TCAD”这个词，我脑海里立刻闪过一系列专业的仿真软件和复杂的计算模型。我明白，TCAD是连接理论与实践的关键，是实现高效、精确的器件设计和优化的核心技术。这本书的“系列规划教材”的定位，让我觉得它非常适合我们这种系统学习的学生。我希望这本书能够非常详细地讲解半导体器件的物理模型，从最基本的薛定谔方程、泊松方程，到更高级的载流子输运模型，比如漂移扩散模型、能量守恒模型等。并且，我更期待的是，书中能够清晰地展示如何将这些物理模型应用到TCAD软件中。例如，如何定义器件的几何结构、选择材料参数、设置仿真边界条件，以及如何解读仿真结果。这本书是否会涉及一些不同类型的半导体器件，比如MOSFET、BJT、FinFET，甚至是新兴的存储器件？我希望它能覆盖我们课程中需要用到的主要器件类型，并且提供针对性的TCAD设计和仿真方法。此外，我特别关注“应用”这个词，这让我相信本书会提供一些实际的设计案例，比如如何通过TCAD设计一个具有特定阈值电压的MOSFET，或者如何优化一个PN结二极管以提高其击穿电压。这本书的图表和仿真截屏是否足够丰富，能够直观地展示TCAD的设计流程和仿真结果？

评分☆☆☆☆☆

这本书的标题《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》让我联想到了一个系统性的学习路径。我一直在寻找一本能够将半导体器件的理论知识与实际的仿真设计工具相结合的书籍。作为一名研究生，我明白在学术研究和实际工程项目中，对器件性能的精确理解和优化是至关重要的，而TCAD正是实现这一目标的关键。这本书的“系列规划教材”的定位，预示着它可能是一个更宏大的教学体系的一部分，这对于我这样需要系统掌握知识的研究生来说，无疑是极具吸引力的。我期望书中能够深入探讨各种半导体器件的物理机制，例如量子力学效应、热电子效应、隧道效应等，并详细介绍这些效应如何通过TCAD模型来体现。同时，我也非常期待书中能够详细讲解TCAD软件的使用方法，包括如何建立器件模型，如何选择合适的物理模型和参数，如何进行稳态和瞬态仿真，以及如何后处理和分析仿真结果。这本书是否会涵盖不同类型的半导体器件，如CMOS、Bipolar、SOI、FinFET，甚至是一些新型的器件，如GaN器件、SiC器件？我希望能看到针对这些器件的TCAD设计方法和优化策略。此外，“应用”这个词让我非常感兴趣，我希望书中能够提供一些实际的应用案例，比如如何利用TCAD设计一个高性能的低功耗CMOS晶体管，或者如何仿真和优化一个用于高频应用的RF器件。书中是否会包含一些实际的工艺集成问题，以及如何通过TCAD来解决这些问题？

评分☆☆☆☆☆

这本书的标题《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》非常吸引我，尤其是“TCAD设计与应用”这几个字，让我觉得它直击了半导体器件设计的核心。我一直对集成电路的“幕后英雄”——半导体器件——非常着迷，但苦于缺乏系统性的学习途径。这本书的“系列规划教材”定位，让我看到了一个条理清晰、内容丰富的学习框架。我希望这本书能够从最根本的半导体物理原理讲起，详细解释各种半导体材料的特性，以及它们是如何构建出各种功能器件的。我想了解PN结的形成机制，MOSFET的栅控原理，以及各种高级器件的结构和工作方式。但更吸引我的是“TCAD设计与应用”部分，我希望它能够像一本“操作指南”一样，教我如何使用TCAD软件进行器件的设计和仿真。这本书是否会介绍不同种类的TCAD软件，以及它们各自的优缺点？它是否会提供循序渐进的教程，指导我如何建立器件模型，如何设置仿真参数，以及如何解读仿真结果？我特别好奇，书中是否会讲解如何通过TCAD来优化器件的性能，例如如何调整器件的尺寸、掺杂浓度、栅极氧化层厚度等参数，以达到预期的电气特性。这本书的“应用”部分，是否会涵盖一些实际的设计案例，例如如何设计一个用于低功耗应用的晶体管，或者一个用于高速信号传输的器件？我希望通过这本书，能够真正理解器件的设计过程，并对TCAD这一强大的设计工具有一个全面的认识。

评分☆☆☆☆☆

我是一名资深的电子工程师，在集成电路设计领域已经工作多年。虽然我主要专注于版图设计和后端验证，但对于器件层面的物理原理和设计方法，我一直抱有浓厚的兴趣，并且也希望能够更新自己的知识体系。当我看到《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》这本书时，我立刻被它的专业性和前瞻性所吸引。“TCAD设计与应用”是当前半导体行业的核心技术之一，而“系列规划教材”的定位，则暗示着这本书的内容将非常系统和全面。我希望这本书能够在器件物理层面进行深入的讲解，例如，详细阐述载流子在半导体材料中的输运机制，不同掺杂浓度和缺陷对器件性能的影响，以及温度、电场等外部因素如何改变器件特性。更重要的是，我希望这本书能够详细介绍TCAD工具在器件设计中的应用，比如如何利用TCAD进行器件的建模、仿真和参数提取，如何评估不同设计方案的优劣，以及如何优化器件结构和工艺参数以满足性能要求。我特别想知道，书中是否会涉及一些先进的器件模型，以及这些模型在TCAD软件中的实现方式。这本书是否会提供一些实际的设计案例，展示如何利用TCAD解决实际工程中的问题？例如，如何设计一个具有特定跨导和输出电阻的MOSFET，或者如何优化一个二极管以实现更快的开关速度？我希望这本书能够提供一些深刻的见解，帮助我理解并掌握TCAD在现代集成电路设计中的关键作用。

评分☆☆☆☆☆

我被这本书的书名《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》所吸引，因为它直接点出了我一直以来想要深入了解的核心技术——半导体器件的设计与应用，并且明确了其核心工具——TCAD。我一直对集成电路这个充满魔力的领域抱有极大的兴趣，但总是感觉隔着一层纱，无法真正触及到其设计细节。这本书的“系列规划教材”定位，让我看到了一个循序渐进、体系化的学习路径。我希望书中能够从半导体器件的最基本原理出发，深入浅出地讲解PN结、MOSFET等核心器件的物理机制，并且能够解释不同材料特性如何影响器件的性能。但最让我期待的是“TCAD设计与应用”这部分。我希望这本书能够详细介绍TCAD在器件设计中的作用，例如如何利用TCAD软件来模拟器件的结构，如何设置仿真参数，如何分析仿真结果，以及如何通过仿真来优化器件的设计。这本书是否会提供一些实际的器件设计案例，让我能够跟着学习如何设计一个特定类型的器件？例如，如何设计一个具有特定阈值电压的NMOS晶体管，或者如何优化一个二极管以提高其导通效率？我希望书中能够提供详细的操作步骤和图示，让我能够直观地理解TCAD的设计流程。同时，“应用”这个词也让我充满期待，我希望能够了解这些设计出来的器件是如何在实际的集成电路中发挥作用的，并且能够看到TCAD在解决实际工程问题中的价值。

评分☆☆☆☆☆

我是一名业余的电子爱好者，对半导体技术一直抱有浓厚的兴趣。虽然我没有接受过系统的工程训练，但凭借着一些基础的电子知识，我时常会对着各种集成电路芯片感到好奇，想知道它们是如何被制造出来的，又是如何工作的。当我偶然看到《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》这本书时，我既觉得它高深莫测，又隐隐觉得它可能是我深入了解这个领域的绝佳机会。我听说过TCAD，但对它的具体功能和应用知之甚少，只知道它与半导体器件的设计紧密相关。这本书的“设计与应用”的提法，让我看到了理论与实践结合的可能性。我希望这本书能够从最基础的半导体物理知识讲起，用尽可能清晰的语言解释PN结、MOSFET等基本器件的形成原理，以及它们在电路中的作用。但更吸引我的是“TCAD设计与应用”这部分，我期待它能够像一本“秘籍”一样，揭示如何使用TCAD工具来“创造”这些器件。这本书是否会展示一些简化的TCAD设计流程，让我能够理解基本的操作步骤？它是否会介绍一些常见的半导体材料特性，以及这些特性是如何影响器件性能的？我特别好奇，这本书是否会解释一些宏观的器件结构设计，比如栅极长度、沟道宽度等参数对电流、电压等性能指标的影响，并且展示如何通过TCAD来观察和优化这些参数。即使我无法直接操作专业的TCAD软件，我也希望这本书能够通过图文并茂的方式，让我对器件的设计过程有一个直观的认识。

评分☆☆☆☆☆

这本书的书名《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》让我感到它是一本系统性、专业性极强的教材。我一直认为，理解半导体器件的设计，离不开对TCAD（Technology Computer-Aided Design）这一仿真工具的掌握。这本书的“系列规划教材”定位，让我相信它能够为我提供一个扎实的学习基础。我希望书中能够详细讲解各种半导体器件的工作原理，从基础的PN结到复杂的CMOS晶体管，再到一些先进的器件，比如FinFET、GAAFET等。并且，我更期待的是，书中能够深入阐述TCAD在这些器件设计中的具体应用。例如，如何利用TCAD软件建立器件的几何模型，如何选择合适的材料参数和物理模型，如何进行稳态和瞬态仿真，以及如何分析仿真结果来评估器件的性能。这本书是否会提供一些不同工艺条件下对器件性能影响的分析？例如，当改变栅极长度、沟道宽度、氧化层厚度等参数时，器件的阈值电压、跨导、漏电流等会发生怎样的变化，以及如何在TCAD中进行这些参数的优化。我还希望书中能够包含一些实际的设计案例，展示如何利用TCAD来设计一个具有特定性能指标的器件，并且能够解决实际工程中遇到的问题。例如，如何设计一个低功耗的晶体管，或者一个高击穿电压的功率器件。

评分☆☆☆☆☆

我之前读过一些关于半导体器件的科普读物，它们往往用比较通俗易懂的语言解释一些基本概念，比如PN结、MOSFET等，但总感觉隔靴搔痒，无法深入了解其精妙之处。当我在书店看到这本《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》时，立刻被它严谨的标题所吸引。我一直认为，真正的技术理解，来自于对底层原理的深刻洞察，以及对设计工具的熟练掌握。TCAD这个概念，对我来说就像打开了一扇新世界的大门，我深知在现代集成电路设计中，仿真和优化是必不可少的重要环节，而TCAD正是实现这一目标的关键技术。这本书的“系列规划教材”的定位，让我相信它不仅仅是一本技术手册，而更像是一套完整的学习体系，能够帮助我从零开始，逐步构建起对半导体器件设计的认知框架。我特别好奇，书中在讲解器件物理原理时，是否会与TCAD仿真结果进行对比分析？例如，当讲解载流子传输理论时，是否会展示TCAD模拟出来的电流-电压特性曲线，并解释曲线的形成原因？而且，“应用”这个词也让我充满了期待。我希望这本书能不仅仅停留在理论层面，而是能够引导我学习如何使用实际的TCAD软件，比如Sentaurus TCAD、Silvaco TCAD等（虽然我不知道书里具体会用哪个），去构建一个简单的器件模型，进行仿真，并根据仿真结果来优化器件结构或工艺参数。这本书是否会提供一些实际的设计项目，让我们有机会在实践中学习？我希望它能够提供一些不同类型器件的设计流程，比如CMOS晶体管、BJT、甚至是一些更先进的器件，并且详细介绍如何利用TCAD工具来完成这些设计。如果书中能够包含一些实际的工艺步骤对器件性能的影响分析，那将是极好的。

评分☆☆☆☆☆

正品

评分☆☆☆☆☆

简要介绍了多个公司半导体仿真的基本方法，适合初学者。

评分☆☆☆☆☆

实用，质量不错！！！

评分☆☆☆☆☆

典型的名气大于本身价值，各种软件泛泛的讲，只能说是科普

评分☆☆☆☆☆

这方面的书比较少。感觉看手册还是太单调了，学渣无力。

评分☆☆☆☆☆

老公要的书。

评分☆☆☆☆☆

该书适合有一定半导体基础的人士阅读，如果该书能够结合实例来展开分析，效果会更好。例如结合LED、PN结等工程实例来展开讲解，会显得更加详实。

评分☆☆☆☆☆

该书适合有一定半导体基础的人士阅读，如果该书能够结合实例来展开分析，效果会更好。例如结合LED、PN结等工程实例来展开讲解，会显得更加详实。

评分☆☆☆☆☆

讲的比较简单，适合入门