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内容简介

编者根据使用情况和评审意见对原书作了适当修改，力图以简明扼要的方式全面、准确介绍半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷、载流子的统计分布及其运动规律、非热平衡态半导体、pn结、金属-半导体接触、异质结、半导体表面、以及主要的半导体效应。

目录

前言
绪论
第1章半导体的物质结构和能带
结构
1.1半导体的原子结合与晶体结构
1.1.1元素的电负性与原子的结合力
1.1.2共价结合与正四面体结构
1.1.3主要半导体的晶体结构
1.2半导体的电子状态和能带
1.2.1能级与能带
1.2.2零势场与周期势场中的电子
状态
1.2.3能带的填充与晶体的导电性及
空穴的概念
1.3半导体中载流子的有效质量
1.3.1能带极值附近的E(k)函数
1.3.2电子和空穴的有效质量
1.3.3各向异性半导体中载流子的有效
质量
1.4半导体中的杂质和缺陷能级
1.4.1杂质的施、受主作用及其能级
1.4.2深能级杂质
1.4.3缺陷的施、受主作用及其能级
1.5典型半导体的能带结构
1.5.1能带结构的基本内容及其表征
1.5.2主要半导体的能带结构
1.6半导体能带工程概要
1.6.1半导体固溶体
1.6.2利用固溶体技术剪裁能带结构
1.6.3能带结构的量子尺寸效应
习题
第2章半导体中的载流子及其输运
性质
2.1载流子的漂移运动与半导体的
电导率
2.1.1欧姆定律的微分形式
2.1.2半导体的电导率
2.2热平衡状态下的载流子统计
2.2.1热平衡状态下的电子和空穴
2.2.2费米分布函数与费米能级
2.2.3费米分布函数与玻耳兹曼分布
函数
2.2.4非简并半导体的载流子密度
2.2.5本征半导体的载流子密度
2.3载流子密度对杂质和温度的依赖性
2.3.1杂质电离度
2.3.2非简并半导体载流子密度随温度
的变化
2.3.3简并半导体
2.4载流子迁移率
2.4.1恒定电场下载流子漂移运动的微观
描述
2.4.2决定载流子迁移率的物理因素
2.4.3有效质量各向异性时的载流子
迁移率
2.5载流子散射及其对迁移率的影响
2.5.1散射的物理本质
2.5.2电离杂质散射及其对迁移率的
影响
2.5.3晶格振动散射及其对迁移率的
影响
2.5.4其他散射机构
2.6半导体的电阻率及其与掺杂浓度和
温度的关系
2.6.1半导体的电阻率
2.6.2电阻率与掺杂浓度的关系
2.6.3电阻率与温度的关系
2.7强电场中的载流子输运
2.7.1强电场效应
2.7.2热电子与速度饱和
2.7.3负微分迁移率
2.7.4耿氏效应及其应用
2.7.5强电场下的速度过冲和准弹道
输运
2.8半导体的热导率
2.8.1热导率的定义
2.8.2半导体中的导热机构
2.8.3维德曼-弗兰茨定律
习题
第3章非热平衡状态下的半导体
3.1半导体的非热平衡状态
3.1.1额外载流子的产生与复合
3.1.2额外载流子的寿命
3.1.3准费米能级
3.2复合理论
3.2.1直接辐射复合
3.2.2通过单一复合中心的间接复合
3.2.3表面复合
3.2.4俄歇复合
3.2.5陷阱效应及其对复合的影响
3.3额外载流子的运动
3.3.1额外载流子的扩散与扩散方程
3.3.2扩散方程在不同边界条件下
的解
3.3.3电场中的额外载流子运动
3.3.4爱因斯坦关系
3.4电流连续性方程及其应用
3.4.1电流连续性方程
3.4.2稳态电流连续性方程及其解
3.4.3连续性方程的应用
3.5半导体的光吸收
3.5.1吸收系数及相关光学常数
3.5.2半导体的本征吸收
3.5.3其他吸收过程
3.6半导体的光电导和光致发光
3.6.1半导体的光电导
3.6.2半导体的光致发光
习题
第4章PN结
4.1PN结的形成及其平衡态
4.1.1PN结的形成及其杂质分布
4.1.2热平衡状态下的PN结
4.2PN结的伏安特性
4.2.1广义欧姆定律
4.2.2理想状态下的PN结伏安特性
方程
4.2.3PN结伏安特性对理想方程的
偏离
4.3PN结电容
4.3.1PN结势垒区的电场及电势
分布
4.3.2势垒电容
4.3.3扩散电容
4.3.4用电容-电压法测量半导体的杂质
浓度
4.4PN结击穿
4.4.1雪崩击穿
4.4.2隧道击穿
4.4.3热电击穿
4.5PN结的光伏效应
4.5.1光生电动势原理
4.5.2光照PN结的电流-电压方程
4.5.3光照PN结的特征参数
4.6PN结发光
4.6.1发光原理
4.6.2半导体激光器原理
习题
第5章金属-半导体接触
5.1金属-半导体接触及其平衡状态
5.1.1金属和半导体的功函数
5.1.2有功函数差的金属-半导体
接触
5.1.3表面态对接触电势差的影响
5.1.4欧姆接触
5.2金属-半导体接触的非平衡状态
5.2.1不同偏置状态下的肖特基势垒
5.2.2正偏肖特基势垒区中的费米
能级
5.2.3厚势垒金属-半导体接触的伏安
特性
5.2.4薄势垒金属-半导体接触的伏安
特性
5.2.5金属-半导体接触的少子注入
问题
5.2.6非平衡态肖特基势垒接触的特点
及其应用
习题
第6章异质结和纳米结构
6.1异质结的构成及其能带
6.1.1异质结的构成与类型
6.1.2理想异质结的能带结构
6.1.3界面态对异质结能带结构的
影响
6.2异质结特性及其应用
6.2.1伏安特性
6.2.2注入特性
6.2.3光伏特性
6.2.4异质结的应用
6.3半导体量子阱和超晶格
6.3.1量子阱和超晶格的结构与种类
6.3.2量子阱和超晶格中的电子状态
6.3.3量子阱效应和超晶格效应
习题
第7章半导体表面与MIS结构
7.1半导体表面与表面态
7.1.1理想晶体表面模型及其解
7.1.2实际半导体表面
7.1.3Si�睸iO2系统的性质及其优化
处理
7.2表面电场效应与MIS结构
7.2.1表面电场的产生与应用
7.2.2理想MIS结构及其表面电场
效应
7.2.3理想MIS结构的空间电荷层与
表面势
7.3MIS结构的电容-电压特性

7.3.1理想MIS结构的电容-电压
特性
7.3.2实际MIS结构的电容-电压
特性
7.4表面电导与表面迁移率
7.4.1表面电导
7.4.2表面散射与表面载流子的有效迁
移率
7.4.3影响表面迁移率的主要因素
7.4.4表面迁移率模型与载流子的表面
饱和漂移速度
习题
第8章半导体效应
8.1热电效应
8.1.1塞贝克效应
8.1.2珀耳帖效应
8.1.3汤姆逊效应
8.1.4塞贝克系数、珀耳帖系数和汤姆
逊系数间的关系
8.2霍尔效应
8.2.1霍尔效应原理
8.2.2霍尔迁移率
8.2.3霍尔系数
8.3磁阻与压阻效应
8.3.1磁阻效应
8.3.2压阻效应
习题
参考文献

前言/序言

本书是参照教育部高等学校电子科学与技术专业教学指导分委员会提出的电子科学与技术专业和微电子学专业人才培养目标及其对基本课程设置和教学内容的建议，在多年从事半导体物理教学活动的基础上，汇集多位前辈师长的呕心之作编写而成。“半导体物理学”在我国高校独立设课已有半个多世纪，作为半导体与微电子技术这个新兴学科的一门重要基础理论课程，为学科建设和人才培养做出了巨大贡献。就这门课程的教材而言，前有黄昆、谢希德二位大师的开山经典，后有叶良修、刘恩科诸师诠释经典、传承薪火的鸿篇巨制，以及施敏、Neamen等海外名师及时反映学界最新成就的煌煌名著，讲授此课，自可博采众长，以最容易让学生接受的方式去理解和掌握深奥的理论，为学好后续课程打下坚实基础。
进入新世纪以来，随着我国教育、教学改革的深化和电子与信息产业的迅猛发展，高级专业人才的培养更加侧重素质教育，知识结构开始向多元化方向发展，包括半导体物理学在内，一些传统专业基础课程的学时不得不大幅度削减，而半导体物理的新知识、新理论却在不断涌现，越来越厚的教科书与越来越少的学时形成一种难以化解的冲突。因此，我们不揣冒昧，在多年来讲授半导体物理学时以本书参考文献中所列12本教材或专著作为主要参考文献而编写的讲义基础上，加工完善而成这本简明教程。本书在编写时除考虑学时外，更多地还考虑到主要授课对象为高等学校工科高年级学生。
本书是在第1版的基础上修订而成，基本保持了传统半导体物理学教材的篇章结构，但有所突破。例如，将半导体光学性质及其应用的一些主要内容合并入讲述非热平衡态半导体的第3章等。这样做，主要是为了适应不同计划学时的需要。大体上，讲完全书至少需要80学时。学时不足50的情况下可只讲前3章或前4章，学时稍有富余则可依次后延。
本书第4、5、8章由西安电子科技大学雷天民教授编写；西安理工大学马剑平教授编写了第3、7章；陈治明教授编写了绪论及第1、2、6章，并负责策划和全书的统稿。
本书的作者们满怀敬意向参考文献中所列12本主要参考与引用书籍的作者和出版社表示最诚挚的感谢，并向为本书选编了大部分习题的西安理工大学杨莺副教授和认真校阅书稿并协助绘制插图的林生晃、刘文涛表示感谢。
编者
半导体物理学简明教程（第2版） 电子书 下载 mobi epub pdf txt

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