基本信息

书名:超大规模集成电路——基础 设计 制造工艺

原价：42.00元

作者：(日)电子信息通信学会 组编,岩田 穆,角南英夫,彭军

出版社：科学出版社

出版日期：2008-01-01

ISBN：9787030202789

字数：373000

页码：309

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.422kg

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内容提要

本书共分为上下两篇，上篇为基础设计篇，主要介绍VLSI的特征及作用、VLSI的设计、逻辑电路、逻辑VLSI、半导体存储器、模拟VLSI、VLSI的设计法与构成法、VLSI的实验等；下篇为制造工艺篇，主要介绍集成工艺、平板印刷、刻蚀、氧化、不纯物导入、绝缘膜堆积、电极与配线等。
本书内容丰富，条理清晰，实用性强，既可供超大规模集成电路研发和设计人员及半导体生产单位管理人员使用，也可作为各院校集成电路相关专业的本科生、研究生及教师的参考书。

目录

上篇 基础与设计
第1章 VLSl的特征及任务
1.1 VLSl的概念与基本技术
1.1.1 VLSl的基本技术与发明
1.1.2 学科体系
1.2 VLSl的种类
1.2.1 按功能分类
1.2.2 按器件分类
1.3 半导体技术路线图
1.4 对系统的影响
1.4.1 计算机系统
1.4.2 通信网络系统
1.4.3 数字家电系统
第2章 VLSl的器件
2.1 VLSl的构成要素
2.2 MOS晶体管
2.2.1 MOS的基本构造
2.2.2 MOS的工作原理与工作区域
2.2.3 MOS的电流电压特性
2.2.4 MOS的器件模型
2.2.5 MOS的等效电路模型
2.3 二极管
2.4 电阻
2.5 电容
2.6 电感
2.7 器件隔离
2.8 布线
2.8.1 多层布线
2.8.2 布线电容
2.9 VLSl技术的比例缩小法则
第3章 逻辑电路
3.1 CMOS逻辑电路
3.1.1 倒相器
3.1.2 NAND门
3.1.3 NOR门
3.1.4 传输门
3.1.5 选择器
3.1.6 异或门
3.1.7 CMOS复合门
3.1.8 时钟CMOS逻辑电路
3.1.9 动态CMOS逻辑电路
3.1.10 电流型逻辑电路
3.2 CMOS逻辑电路的工作速度
3.2.1 门延迟时间
3.2.2 布线的延迟时间
3.3 CMOS逻辑电路的功率消耗
3.3.1 CMOS逻辑电路消耗功率的因素
3.3.2 CMOS-VLSl的功率消耗
3.4 控制电路
3.4.1 寄存器
3.4.2 同步系统
3.4.3 计数器
第4章 逻辑VLSl
4.1 数字运算电路
4.1.1 加法运算
4.1.2 减法电路
4.1.3 乘法运算
4.2 时钟的发生与分配
……
第5章 半导体存储器
第6章 模拟VLSI
第7章 无线通信电路
第8章 VLSI的设计方法及构成方法
第9章 VLSI的测试
下篇 制造工艺
第10章 LSI的制造工艺及其课题
第11章 集成化工艺
第12章 平版印刷术
第13章 腐蚀
第14章 氧化
第15章 掺杂
第16章 淀积绝缘膜
第17章 电极和布线
第18章 后工序——封装
引用参考文献

作者介绍

文摘

序言