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內容簡介

　　《現代物理基礎叢書·典藏版：薄膜生長（第2版）》集中介紹瞭薄膜科學中的關鍵部分-一薄膜生長，全書由五個方麵15章的內容組成：第1至4章主要從薄膜的角度介紹相平衡和晶體錶麵原子結構的基礎知識。第五至七章主要介紹薄膜中的缺陷和擴散。第八、九章主要介紹薄膜生長的三種模式和成核長大動理學，第十至十三章主要介紹金屬薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜的生長和生長中齣現的分形現象，第十四、十五章介紹薄膜製備和研究的各種方法，《現代物理基礎叢書·典藏版：薄膜生長（第2版）》不僅係統地介紹瞭有關薄膜生長的固體物理學知識，而且介紹瞭薄膜生長的前沿進展和薄膜檢測的各種先進方法，
　　《現代物理基礎叢書·典藏版：薄膜生長（第2版）》可作為固體物理、材料科學專業的研究生教學用書，也可供從事薄膜研製和生産的科技人員參考。

內頁插圖

目錄

第二版前言
第一版前言

第一章 相平衡和界麵相
1．1 相平衡
1．2 元素和閤金的相圖
1．3 固溶體的能量
1．4 固溶體的組態熵
1．5 界麵相
1．6 界麵麯率半徑對壓強的影響
1．7 晶體錶麵能、界麵能和黏附能
1．8 固體錶麵張力的測定方法
1．9 錶麵能對薄膜穩定性的影響
參考文獻

第二章 晶體和晶體錶麵的對稱性
2．1 晶體的對稱性
2．1．1 晶體的平移對稱性（平移群）
2．1．2 14種布拉維點陣和7種晶係
2．1．3 32種點群
2．1．4 230種空間群
2．1．5 群的基本概念
2．2 晶體錶麵的對稱性
2．2．1 晶體錶麵的平移對稱性
2．2．2 5種二維布拉維點陣和4種二維晶係
2．2．3 10種二維點群
2．2．4 17種二維空間群
2．3 晶麵間距和晶列間距公式
2．3．1 晶麵間距公式
2．3．2 晶列間距公式
2．4 倒易點陣
2．4．1 三維倒易點陣
2．4．2 二維倒易點陣
2．4．3 倒易點陣矢量和晶列、晶麵的關係
參考文獻

第三章 晶體錶麵原子結構
3．1 -些晶體錶麵的原子結構
3．2 錶麵原子的配位數
3．3 錶麵的颱麵一颱階一扭摺（TLK）結構
3．4 鄰晶麵上原子的近鄰數
3．5 晶體錶麵能的各嚮異性
3．6 颱階和颱麵的粗糙化
參考文獻

第四章 再構錶麵和吸附錶麵
4．1 再構錶麵和吸附錶麵結構的標記
4．2 半導體再構錶麵結構
4．2．1 Si（111）
4．2．2 Si（001）
4．2．3 Si（110）
4．2．4 Ge（111）
4．2．5 Ge（001）
4．2．6 GeSi（111）
4．2．7 GaAs（110）
4．2．8 GaAs（001）
4．2．9 GaAs（111）
4．3 金屬再構錶麵結構
4．4 吸附錶麵結構
4．4．1 物理吸附和化學吸附
4．4．2 Si吸附錶麵
4．4．3 Ge吸附錶麵
4．4．4 GaAs吸附錶麵
4．4．5 金屬的吸附錶麵
4．5 錶麵相變
……

第五章 薄膜中的晶體缺陷
第六章 外延薄膜中缺陷的形成過程
第七章 薄膜中的擴散
第八章 薄膜的成核長大熱力學
第九章 薄膜的成核長大動理學
第十章 金屬薄膜的生長
第十一章 半導體薄膜的生長
第十二章 氧化物薄膜的生長
第十三章 薄膜中的分形
第十四章 薄膜的製備方法
第十五章 薄膜研究方法

前言/序言

　　《薄膜生長》第一版齣版於2001年9月，到2010年1月第五次印刷，共印刷8300冊，這說明，此書作為研究生教材擁有較廣泛的讀者，正如《薄膜生長》第一版前言所述，隨著固態高科技産業的迅速發展，薄膜科學和技術愈來愈受到重視，薄膜領域中科研和生産的聯係愈來愈緊密，這十幾年來齣現瞭不少薄膜生長、薄膜結構、薄膜研究方法的新知識，需要把它們補充到本書的專題部分中去（基礎部分基本上沒有變動）。
　　這些新增加的內容主要是：
　　1）本書第二版增加瞭11.7節“石墨烯的製備、結構和性質”和11.8節“拓撲絕緣體的製備、結構和性質”，這兩節介紹近年來得到廣泛重視的新型薄膜材料。石墨烯是近乎完美的二維材料。由於石墨烯獨特的電子結構、優異的物理性質及潛在的應用前景，它的發現獲得2011年度諾貝爾物理學奬。拓撲絕緣體是近十年來發現的新型固體材料，其主要特徵是固體內部為絕緣體，其錶麵態或邊緣態是導體，這種材料具有新奇的量子性質。
　　2）本書第二版13.4節“金屬誘導非晶半導體薄膜低溫快速晶化”是本書第一版13.3.2小節“非晶態薄膜中的分形晶化”發展齣來的一小節。過去的內容以基礎研究成果為主，目前增加的最主要是應用基礎研究成果。為瞭使快速晶化的薄膜能滿足器件製備的要求，研究重點集中在使晶態半導體薄膜的晶粒盡可能大、錶麵盡可能光潔，並能覆蓋宏觀器件要求的全部麵積。
　　3）薄膜研究方法（本書第一版第十五章）中的“X射綫衍射方法”的以下3小節增加瞭較多的內容：
　　15.1.3節“高分辨和掠入射X射綫衍射”；
　　15.1.4節“外延薄膜的一些高分辨X射綫衍射實驗結果”；
　　15.1.5節“掠入射衍射的一些實驗結果”。
　　掠入射X射綫（與樣品錶麵的夾角為1度量級）的全外反射效應顯著增強瞭樣品錶層的衍射強度，使高分辨和掠入射X射綫衍射一起成為納米量級薄膜三維結構和多層結構的常規研究方法。
　　4）本書第一版第十五章中的“光電子能譜（PES）”擴充為以下3小節：
　　15.4.1節“X光電子能譜（XPS）”；
　　15.4.2節“紫外光電子能譜（UPS）及反嚮光電子能譜（IPES）”；
　　15.4.3節“角分辨光電子能譜（ARPES）”；
　　反嚮光電子能譜利用5^15eV入射電子激發齣來的發光譜測定價帶上麵的空能帶中電子狀態的分布，這裏的ARPES特彆重要，它也是一種紫外光電子能譜，它的突齣優點是可以同時測定光電子的能量和動量（角分辨的功能），成為測定單晶薄膜以及新型材料的能帶結構的先進方法。
　　5）本書第十五章中的“掃描探針顯微術（SPM）”主要擴充瞭以下1小節：
　　15.5.1節“掃描隧道顯微術和譜學（STM/STS）”。
　　擴充的內容包括近年來得到廣泛應用的STS譜學方法，包括一次微分譜和二次微分譜的原理和方法，以及新發展齣來的譜學成像方法。這些方法主要用於錶麵電子態的測量（一次微分譜）和振動激發態或自鏇激發態（二次微分譜）的測量。STS譜學技術已成為錶麵局域電子態探測的常規方法。
　　近年來，電子顯微術有很多新的進展，由於我們有一本新書《微分析物理及其應用》（丁澤軍、吳自勤、孫霞、張人佶編著，中國科學技術大學齣版社，2009）可供參考，本書第二版沒有作補充。
　　補充後的第二版字數約為450000，比第一版的字數351000增加約1／4，並且列入科學齣版社“現代物理基礎叢書”。
　　為瞭便於讀者查閱有關資料，本書第二版的末尾增加瞭索引。
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