集成电路 广濑全孝；彭军 9787030108890 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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出版社： 科学出版社

ISBN：9787030108890

商品编码：29526809851

包装：平装

出版时间：2003-02-01

基本信息

书名：集成电路

定价：22.00元

作者：广濑全孝；彭军

出版社：科学出版社

出版日期：2003-02-01

ISBN：9787030108890

字数：

页码：161

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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《集成电路》是“OHM大学理工系列”之一。书中通俗易懂地介绍了支撑未来信息社会的集成电路技术。《集成电路》共六章。内容包括器件的工作原理、基本电路的设计、LSI的制造技术，以及为了实现LSI的计算机辅助设计（CAD）技术和计算机系统与中央处理器的结构与功能等。
《集成电路》可作为系统学习集成电路技术的大学本科生就研究生的参考教材，亦可供相关专业领域的技术人员参考。

目录

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作者介绍

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文摘

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序言

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《半导体制造工艺解析》 内容简介： 本书旨在为读者提供一个全面而深入的半导体制造工艺的理论框架与实践指南。从硅片的制备到最终的封装测试，本书系统地阐述了集成电路制造过程中的关键环节，并对其背后的科学原理、工程挑战以及最新的技术发展进行了详尽的剖析。本书尤其关注那些对芯片性能、良率和成本产生至关重要影响的工艺步骤，为相关领域的研发人员、工程师、技术学生以及对半导体产业有浓厚兴趣的读者提供了宝贵的参考。 第一部分：硅片制备与晶圆制造基础 集成电路的基石是高纯度的硅片。本书第一部分将从晶体硅的生长开始，介绍直拉法（Czochralski method）和区熔法（Float zone method）等主流的单晶硅生长技术。我们将详细解析晶体生长过程中的温度梯度控制、坩埚材料选择、拉速与旋转速度等关键参数，以及它们如何影响晶体的缺陷密度和纯度。随后，本书将重点介绍硅片的外延生长（Epitaxy）工艺。外延层是构成器件的关键区域，其生长质量直接决定了器件的电学性能。我们将深入探讨气相外延（VPE）、液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等不同外延技术的原理、设备构成、工艺流程以及常见缺陷的成因与避免方法。 在晶圆制造方面，本书将详细介绍光刻（Photolithography）工艺，这是集成电路制造中最核心、最复杂也是最昂贵的工艺之一。我们将从光刻机的光学原理、曝光系统、对准系统等方面入手，深入讲解光刻胶（Photoresist）的选择、涂布、显影、刻蚀等关键步骤。对于不同世代的光刻技术，如深紫外（DUV）光刻和极紫外（EUV）光刻，我们将分析其光源、掩模版、光学器件以及分辨率的提升原理，并讨论它们在提升集成电路密度方面所扮演的角色。此外，本书还将涵盖晶圆的清洗（Cleaning）、刻蚀（Etching）和化学机械抛光（CMP）等重要工艺。刻蚀工艺是实现图形转移的关键，我们将区分干法刻蚀（Dry Etching）和湿法刻蚀（Wet Etching）的原理、特点、适用范围以及等离子体刻蚀（Plasma Etching）中的关键参数控制。CMP工艺则是在多层金属互连结构中实现表面平坦化的关键，我们将解析其化学和机械协同作用的原理。 第二部分：器件构建与互连技术 集成电路的核心在于微观器件的构建。本书第二部分将聚焦于半导体器件的形成过程。我们将详细介绍离子注入（Ion Implantation）和扩散（Diffusion）技术，这两种技术是精确控制半导体材料掺杂浓度和分布的关键。我们将深入解析不同掺杂剂（如磷、砷、硼）的注入能量、剂量、角度以及退火（Annealing）过程对器件性能的影响。 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为现代集成电路中最基本的器件单元，其沟道形成、栅极氧化、源漏区形成等过程将得到详细的阐述。我们将分析不同沟道类型的MOSFET（如NMOS、PMOS）以及其关键参数（如阈值电压、迁移率、漏电流）的形成机制。对于CMOS（互补金属氧化物半导体）技术，我们将探讨其NMOS和PMOS器件的集成以及互补工作原理。 随着集成电路密度的不断提高，器件之间的互连技术变得尤为重要。本书将详细介绍金属互连（Metallization）工艺，包括溅射（Sputtering）、化学气相沉积（CVD）等金属薄膜沉积技术，以及金属图形的刻蚀。我们将重点分析铜互连（Copper Interconnect）和铝互连（Aluminum Interconnect）的优缺点，以及它们在不同工艺节点中的应用。此外，本书还将介绍介质层（Dielectric Layer）的沉积和图案化，这些介质层是隔离不同金属层、防止短路的绝缘材料。本书将深入探讨低介电常数（Low-k）材料的应用，以及它们在降低互连线 RC 延迟方面的作用。 第三部分：先进制造技术与可靠性 集成电路制造技术日新月异，本书第三部分将聚焦于当前和未来的先进制造技术。我们将详细介绍FinFET（鳍式场效应晶体管）和GAAFET（全栅场效应晶体管）等三维器件结构，分析它们如何克服传统平面器件的短沟道效应，提升栅极控制能力和漏电流。本书将深入探讨EUV光刻技术在下一代逻辑器件制造中的关键作用，包括其光源技术、光学系统设计以及掩模版制造的挑战。 在封装技术方面，本书将介绍引线键合（Wire Bonding）、倒装芯片（Flip Chip）以及晶圆级封装（WLP）等主流封装技术。我们将分析不同封装技术的优缺点、适用范围以及对芯片性能和散热的影响。现代集成电路往往需要集成多种功能，本书也将提及3D IC（三维集成电路）和异质集成（Heterogeneous Integration）等概念，探讨它们如何通过垂直堆叠或将不同功能的芯片集成在一起，实现更高的性能和更小的尺寸。 最后，本书将深入探讨集成电路的可靠性（Reliability）问题。我们将分析导致芯片失效的常见因素，如电迁移（Electromigration）、热应力（Thermal Stress）、栅氧化击穿（Gate Oxide Breakdown）以及封装材料的可靠性。本书将介绍各种可靠性测试方法和评估标准，以及如何通过工艺优化和材料选择来提升芯片的长期可靠性。 总结： 《半导体制造工艺解析》是一本集理论深度、技术广度与工程实践于一体的专业书籍。本书的写作风格严谨细致，逻辑清晰，力求用通俗易懂的语言解释复杂的科学原理和工程技术。通过对本书的学习，读者将能够深刻理解集成电路是如何从一块普通的硅片，通过一系列精密、复杂的制造工艺，最终演变成我们日常生活中无处不在的高科技产品。本书将为读者提供一个坚实的知识基础，并激发对半导体制造领域更深层次的探索和创新。

评分☆☆☆☆☆

这本书的深度和广度都超出了我的预期，它更像是一部系统性的工具书而非单纯的教科书。我尤其欣赏作者在介绍器件原理时那种抽丝剥茧的细致程度。很多其他教材只是蜻蜓点水地提一下工作机制，但这本书却深入到了材料层面和物理极限，这对于追求极致性能的工程师来说简直是福音。阅读过程中，我感觉自己仿佛在跟着两位经验丰富的大师进行深度研讨会，他们不仅告诉你“是什么”，更重要的是“为什么会这样”以及“如何做得更好”。书中的案例分析部分处理得尤为精彩，它们不仅仅是理论的简单复述，而是结合了实际的工程挑战和解决方案，充满了实战的智慧。我甚至发现，我过去在工作中遇到的一些棘手的噪声和功耗问题，在这本书里找到了理论上的根源和可能的优化方向。这本书不是读完就束之高阁的，而是需要伴随职业生涯持续研磨的案头宝典。

评分☆☆☆☆☆

这本书的排版和设计真是让人眼前一亮，拿到手里就能感受到它沉甸甸的分量，这可不是那种轻飘飘的速成读物，一看就是下了大功夫的。封面设计简约大气，但里面的内容却展现了极高的专业性。我特别喜欢它对复杂概念的拆解方式，像是高手在为你引路，每一步都走得非常扎实。那些原本让我望而生畏的电路图和数学公式，在作者的笔下仿佛变得有生命力起来，逻辑清晰得让人忍不住想立刻动手实践一番。特别是对于那些刚接触集成电路领域的新手来说，这本书提供了一个完美的起点，它没有直接给你“标准答案”，而是引导你思考如何构建知识体系。我花了整整一个周末来啃第一章，收获的不仅仅是知识，更是一种面对技术难题时的自信心。那种“原来如此”的豁然开朗感，是看再多网络教程也无法替代的宝贵体验。这本书的价值，绝对值得放在书架最显眼的位置，随时翻阅，每次都会有新的感悟。

评分☆☆☆☆☆

不得不说，这本书的作者们在组织和呈现材料方面展现了极高的叙事能力。虽然主题是高度技术性的集成电路，但阅读起来却出奇地顺畅，这得益于其精妙的章节逻辑和知识的递进关系。每一部分内容的衔接都如同浑然天成，让你在不知不觉中完成了从宏观架构到微观实现的完整跨越。我发现自己对某些以前感到模糊的概念，比如寄生效应的精确建模，通过这本书的学习变得异常清晰和直观。这种清晰度来源于作者对细节的绝对掌控，他们似乎预料到了读者在哪个节点会产生疑问，并提前准备好了最恰当的解释角度。这本书对我最大的帮助在于提升了我的“系统思维”，让我不再仅仅关注单个模块的性能，而是学会如何从整个芯片的功耗、面积和速度的相互制约关系中寻找最优解。它不仅仅是关于电路，更是关于工程决策的艺术。

评分☆☆☆☆☆

作为一名资深的电子爱好者，我一直在寻找那种能够跨越初级和高级鸿沟的桥梁书籍，这本书恰好填补了这个空白。它最让我称赞的一点是其平衡感，它既没有陷入晦涩难懂的纯理论推导，也没有流于肤浅的“搭积木”式应用介绍。作者似乎深谙读者的心理，知道什么时候该放慢脚步讲解基础，什么时候可以适当提速探讨前沿技术。例如，它对特定工艺节点的演进描述，清晰地勾勒出了半导体行业的发展脉络，这对于理解当前的技术瓶颈至关重要。此外，书中的插图和图表制作得非常精良，色彩运用得当，有效减轻了大量文字带来的阅读疲劳。我甚至打印了一些关键的对比图表贴在了我的工作台上，随时提醒自己保持对细节的关注。这本书的阅读体验是流畅且富有启发性的，它激发了我对模拟电路设计更深层次的思考。

评分☆☆☆☆☆

这本书的厚度足以让人望而生畏，但一旦沉浸其中，时间仿佛都静止了。它就像一本武林秘籍，需要心无旁骛地去钻研，才能体会到其中蕴含的深厚内功。我最欣赏的是它对“为什么”的坚持，而不是简单地罗列“怎么做”。比如在讨论电源管理单元（PMU）的设计时，它不仅仅给出了一个参考电路，而是详细分析了不同架构在不同负载条件下的瞬态响应差异，这种对实际工作场景的深刻洞察力是其他教材难以企及的。我甚至把书中的一些高级技巧应用到我正在进行的项目中，立竿见影地提升了系统的稳定性和效率。这本书的语言风格是严谨而富有权威感的，没有任何多余的修饰，每一个字都像是经过千锤百炼的精确表达。对于任何想在集成电路设计领域走得更远的人来说，这绝对是一本不容错过的“内功心法”。