半导体锗材料与器件C 克莱著 屠海令译 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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比C.克莱E.西蒙 著

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店铺： 广影图书专营店

出版社： 冶金工业出版社

ISBN：9787502451752

商品编码：29729084953

包装：平装

出版时间：2010-05-01

基本信息

书名:半导体锗材料与器件C 克莱著 屠海令译

定价：70.00元

售价：47.6元,便宜22.4元,折扣68

作者:(比)C.克莱E.西蒙

出版社：冶金工业出版社

出版日期：2010-05-01

ISBN：9787502451752

字数：467000

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.622kg

编辑推荐

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本书作者Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士是世界知名的半导体材料和器件专家，均任职于国际的微电子研究机构IMEC，他们在书中系统总结了锗材料与工艺技术的**进展和锗器件及其在光电子学、探测器与太阳能电池等领域的研究成果。
全书涵盖了锗晶体生长、缺陷控制、杂质影响、加工工艺、锗器件及器件模拟，以及锗在红外与其他领域的应用等内容，并展望了未来锗材料和器件的发展前景。其内容广泛，数据详实，可作为高等院校、科研院所和相关单位中从事半导体器件与材料物理学习和研究人员的参考用书。

内容提要

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锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。
本书是全面深入探讨这一技术领域的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的*进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的专家。
本书还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从本书中受益。

目录

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作者介绍

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文摘

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序言

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《晶体管原理与实用电路》 内容简介： 本书是一本关于晶体管技术基础知识与实际应用的详尽指南，旨在为电子工程专业的学生、技术人员以及电子爱好者提供一个深入理解晶体管工作原理、掌握电路设计技巧、并能独立完成各类电子项目所需的知识体系。作者从晶体管的物理本质出发，逐步深入到其在不同类型电路中的应用，并辅以大量的实例和实践建议，力求使读者不仅知其然，更知其所以然。 第一部分：晶体管的基础理论 本部分将详细阐述晶体管的核心概念与物理机制。 半导体材料基础： 在深入讲解晶体管之前，我们将首先回顾半导体材料的基本性质。这包括本征半导体（如硅和锗）的原子结构、能带理论、载流子（电子和空穴）的概念，以及杂质（施主和受主）掺杂如何形成N型和P型半导体。我们将探讨这些基本材料特性如何为构建晶体管奠定基础。 PN结的形成与特性： PN结是晶体管的最基本单元。本书将详细分析PN结的形成过程，包括势垒的产生、外加电压对其宽度的影响，以及正向偏置和反向偏置下的电流-电压特性。我们将解释PN结如何实现单向导电性，这是晶体管放大和开关功能的前提。 Bipolar结型晶体管（BJT）的原理： 结构与命名： 介绍NPN型和PNP型BJT的结构，包括发射区、基区和集电区，以及它们各自的功能和掺杂浓度。 工作原理： 详细阐述BJT在不同偏置区域（截止区、放大区、饱和区）下的工作状态。我们将深入剖析载流子在基区扩散、漂移以及在集电区复合的过程，解释集电极电流如何由基极电流控制，从而实现电流放大。 主要参数： 讲解BJT的关键参数，如电流增益（$eta$ 和 $alpha$）、输入电阻、输出电阻、跨导、最大允许功耗、击穿电压等，并说明这些参数对电路设计的影响。 等效电路模型： 介绍BJT的各种小型信号等效电路模型（如$pi$模型、T模型），以及如何利用这些模型来分析BJT放大电路的电压增益、输入阻抗和输出阻抗。 场效应晶体管（FET）的原理： 结型场效应晶体管（JFET）： 讲解JFET的结构（N沟道和P沟道），以及栅极电压如何通过改变夹断区的宽度来控制沟道电阻，从而控制漏极电流。分析其跨导、输入阻抗等特性。 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）： 结构与类型： 详细介绍增强型和耗尽型MOSFET的结构，包括源极、漏极、栅极和衬底。区分N沟道和P沟道MOSFET。 工作原理： 阐述栅极电压如何通过改变氧化层下的电场来感应或耗尽载流子，形成导电沟道。重点讲解MOSFET在不同工作区域（截止区、线性区、饱和区）的特性。 主要参数： 介绍MOSFET的关键参数，如阈值电压、跨导、漏-源电阻、最大允许功耗、栅-源漏电等。 等效电路模型： 提供MOSFET的小型信号等效电路模型，方便分析放大电路。 第二部分：晶体管电路设计与分析 本部分将重点介绍晶体管在实际电路中的应用，包括放大电路、开关电路以及不同类型的应用电路。 晶体管放大电路： 基本放大电路配置： 详细分析共发射极、共集电极（射极跟随器）和共基极放大电路的特点，包括它们的电压增益、电流增益、输入阻抗、输出阻抗以及频率响应。 偏置技术： 介绍固定偏置、发射极自偏置、分压偏置等不同偏置方法的原理、优缺点以及稳定性的分析。讲解如何选择合适的偏置电路以获得稳定的静态工作点。 多级放大电路： 探讨如何将多个放大级联接以获得更高的增益和更好的性能，包括直接耦合、RC耦合和变压器耦合放大器。 负反馈技术： 深入讲解负反馈的概念，分析电压负反馈、电流负反馈、电压串联负反馈和电流并联负反馈等四种基本负反馈组态对放大电路增益、输入阻抗、输出阻抗、带宽和失真的影响。 晶体管开关电路： 晶体管作为开关： 讲解晶体管在截止区和饱和区时的开关特性，以及如何驱动晶体管快速可靠地进行开关动作。 典型开关电路： 分析多谐振荡器、施密特触发器、单稳态触发器等由晶体管构成的基本逻辑门和时序电路。 应用实例： 介绍晶体管在继电器驱动、LED驱动、脉冲发生器等实际应用中的开关电路设计。 晶体管在特定电路中的应用： 振荡器： 讲解产生周期性电信号的振荡器原理，包括LC振荡器（如哈特莱、科莱皮茨）、RC振荡器（如韦恩电桥、相移）以及晶体振荡器。 调制与解调电路： 介绍晶体管在模拟信号调制（如AM、FM）和解调电路中的作用。 滤波器电路： 讲解如何利用晶体管构成有源滤波器，如低通、高通、带通和带阻滤波器。 电源稳压电路： 分析稳压管、串联稳压器、开关稳压器等由晶体管构成的电源稳压电路。 集成电路基础（简述）： 简要介绍晶体管在集成电路（IC）中的基础作用，为读者理解更复杂的集成电路打下基础。 第三部分：实践指导与故障排除 本部分提供实用的电路设计技巧、元器件选择指南以及常见的故障分析和排除方法。 元器件选择与评估： 提供选择合适的晶体管（BJT和FET）时需要考虑的因素，如电流、电压、频率、功率、噪声等指标。介绍如何阅读元器件数据手册（datasheet）来获取关键参数。 PCB布局与布线技巧： 强调良好的PCB布局和布线对于保证电路性能的重要性，包括信号完整性、接地、电源分配、寄生参数等。 电路仿真工具介绍： 推荐一些常用的电路仿真软件（如LTspice, PSpice等），并简述如何利用它们进行电路设计、分析和验证。 实际电路构建与测试： 提供动手实践的指导，包括面包板测试、焊接技巧、常用测试仪器（万用表、示波器、信号发生器）的使用方法。 常见故障分析与排除： 总结晶体管电路中可能出现的常见故障，如静态工作点偏移、增益下降、振荡、信号失真等，并提供系统性的故障诊断思路和排除方法。 本书的特色： 本书的编写注重理论与实践的结合，通过深入浅出的讲解，力求帮助读者建立扎实的晶体管理论基础，并能够将其应用于实际的电路设计与调试中。丰富的图示、表格和实例将帮助读者更好地理解复杂的概念，而实用的技巧和故障排除方法则能为读者在实际操作中提供有力支持。本书不仅是学习晶体管技术的入门读物，也是工程师和爱好者在项目开发过程中的重要参考。

评分☆☆☆☆☆

这本书给我带来的最大感受是其深厚的历史沉淀感和前瞻性视野的完美结合。作者在追溯锗材料在早期半导体工业中地位的同时，并没有沉溺于历史回顾，而是巧妙地将这些历史教训与现代半导体技术的发展趋势联系起来。章节间的过渡非常平滑，从材料本身的晶格缺陷控制，到如何利用这些缺陷特性来设计早期晶体管，逻辑链条清晰可见。我特别留意到书中关于界面态和表面效应的讨论，这部分内容对于理解现代微纳器件的性能瓶颈至关重要。作者用一种近乎诗意的语言描述了这些微观世界里的相互作用，使得原本枯燥的物理化学过程变得生动起来。它不仅是一本技术手册，更像是一部关于人类如何一步步驯服和利用自然界最基本物质的史诗。

评分☆☆☆☆☆

这本书的结构安排非常巧妙，它并没有急于进入高深的应用层面，而是花了大篇幅来夯实基础，这一点我非常赞赏。从半导体材料的宏观特性到微观的电子行为，作者的笔触细腻而精确。我尤其喜欢它在讨论掺杂效应和载流子输运机制时所采用的数学模型推导过程。这些推导过程详略得当，既保证了科学的严谨性，又不会让读者在冗长的代数运算中迷失方向。屠海令先生的翻译质量也值得称道，使得这些原本可能带有浓厚西方学术色彩的专业术语，在中国读者的语境下显得格外流畅自然，几乎感觉不到阅读障碍。这种高水平的学术翻译，极大地提升了阅读体验，确保了信息在跨文化传播中的准确性和易懂性。整个阅读过程就像是进行了一次精心组织的学术漫步，每一步都有明确的目标和收获。

评分☆☆☆☆☆

对于有志于从事半导体器件设计或制造领域的工程师而言，这本书的价值简直是无可估量的。它没有停留在描述“是什么”，而是深入挖掘了“为什么会这样”以及“如何控制它”。举例来说，书中关于PN结特性和雪崩击穿机理的分析，不仅给出了经典的方程，更结合了实际的实验数据和失效分析的案例，这种“知其然，更知其所以然”的讲解方式，是教科书常常欠缺的。它教会我们如何从材料层面去预判和优化器件性能，而不是仅仅依赖于应用层面的电路设计。这种自下而上的理解路径，对于培养真正的系统工程师思维是极其有益的。我个人认为，这本书是那种值得反复翻阅、每次都能发现新细节的参考书，其深度和广度都远远超出了普通入门读物的范畴。

评分☆☆☆☆☆

阅读这本专著，我深刻体会到一种严谨的、批判性的学术态度。作者在提出每一个理论模型时，都会审慎地指出其适用的边界条件和存在的局限性，这与当前许多过度简化的科普读物形成了鲜明对比。例如，在讨论热载流子效应时，它没有简单地给出平均值，而是详细分析了不同能量载流子分布函数的变化，这种对细节的执着，正是区分优秀专业书籍和一般参考资料的关键所在。对于追求精确性和可靠性的读者来说，这种处理方式无疑是令人信服的。它不仅传授知识，更重要的是，它塑造了一种严谨的科学思维模式，教会我们如何以辩证的眼光看待每一个技术方案的优缺点。我感觉自己完成了一次高质量的智力投资，收获远超于书本定价本身。

评分☆☆☆☆☆

这本书真是让我眼前一亮，尤其是对那些希望深入理解材料科学核心概念的读者来说，它简直是一本宝藏。作者在阐述半导体材料基础理论时，那种层层递进、逻辑严密的叙述方式，让人在阅读过程中能很自然地构建起完整的知识体系。我特别欣赏它在晶体结构、能带理论这些基础知识上的讲解，不是简单地罗列公式，而是结合了丰富的物理图像和直观的类比，即便是初学者也能快速抓住要点。书中对材料制备工艺的探讨也相当深入，特别是涉及到锗材料的提纯和单晶生长过程，细节处理得非常到位，让我对“好材料”是如何诞生的有了更清晰的认识。这种理论与实践紧密结合的风格，让这本书不仅仅停留在书本层面，更像是一本实用的技术手册。读完这部分内容，我感觉自己对半导体物理的理解不再是零散的知识点，而是有了一个坚实的理论基础，这对于后续学习更复杂的器件物理至关重要。