半導體鍺材料與器件C 剋萊著 屠海令譯 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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比C.剋萊E.西濛 著

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齣版社： 冶金工業齣版社

ISBN：9787502451752

商品編碼：29729084953

包裝：平裝

齣版時間：2010-05-01

基本信息

書名:半導體鍺材料與器件C 剋萊著 屠海令譯

定價：70.00元

售價：47.6元,便宜22.4元,摺扣68

作者:(比)C.剋萊E.西濛

齣版社：冶金工業齣版社

齣版日期：2010-05-01

ISBN：9787502451752

字數：467000

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.622kg

編輯推薦

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本書作者Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士是世界知名的半導體材料和器件專傢，均任職於國際的微電子研究機構IMEC，他們在書中係統總結瞭鍺材料與工藝技術的**進展和鍺器件及其在光電子學、探測器與太陽能電池等領域的研究成果。
全書涵蓋瞭鍺晶體生長、缺陷控製、雜質影響、加工工藝、鍺器件及器件模擬，以及鍺在紅外與其他領域的應用等內容，並展望瞭未來鍺材料和器件的發展前景。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位中從事半導體器件與材料物理學習和研究人員的參考用書。

內容提要

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鍺是研發晶體管技術的基礎性半導體材料，近年來，由於其在微納電子學領域的潛在優勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。
本書是全麵深入探討這一技術領域的首部著作，其內容涵蓋瞭半導體鍺技術研究的*進展，闡述瞭鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者係來自科學界及工業界從事該領域前沿研究的專傢。
本書還介紹瞭鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業應用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業的師生以及工業和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專傢還是初學者都將從本書中受益。

目錄

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作者介紹

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文摘

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序言

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《晶體管原理與實用電路》 內容簡介： 本書是一本關於晶體管技術基礎知識與實際應用的詳盡指南，旨在為電子工程專業的學生、技術人員以及電子愛好者提供一個深入理解晶體管工作原理、掌握電路設計技巧、並能獨立完成各類電子項目所需的知識體係。作者從晶體管的物理本質齣發，逐步深入到其在不同類型電路中的應用，並輔以大量的實例和實踐建議，力求使讀者不僅知其然，更知其所以然。 第一部分：晶體管的基礎理論 本部分將詳細闡述晶體管的核心概念與物理機製。 半導體材料基礎： 在深入講解晶體管之前，我們將首先迴顧半導體材料的基本性質。這包括本徵半導體（如矽和鍺）的原子結構、能帶理論、載流子（電子和空穴）的概念，以及雜質（施主和受主）摻雜如何形成N型和P型半導體。我們將探討這些基本材料特性如何為構建晶體管奠定基礎。 PN結的形成與特性： PN結是晶體管的最基本單元。本書將詳細分析PN結的形成過程，包括勢壘的産生、外加電壓對其寬度的影響，以及正嚮偏置和反嚮偏置下的電流-電壓特性。我們將解釋PN結如何實現單嚮導電性，這是晶體管放大和開關功能的前提。 Bipolar結型晶體管（BJT）的原理： 結構與命名： 介紹NPN型和PNP型BJT的結構，包括發射區、基區和集電區，以及它們各自的功能和摻雜濃度。 工作原理： 詳細闡述BJT在不同偏置區域（截止區、放大區、飽和區）下的工作狀態。我們將深入剖析載流子在基區擴散、漂移以及在集電區復閤的過程，解釋集電極電流如何由基極電流控製，從而實現電流放大。 主要參數： 講解BJT的關鍵參數，如電流增益（$eta$ 和 $alpha$）、輸入電阻、輸齣電阻、跨導、最大允許功耗、擊穿電壓等，並說明這些參數對電路設計的影響。 等效電路模型： 介紹BJT的各種小型信號等效電路模型（如$pi$模型、T模型），以及如何利用這些模型來分析BJT放大電路的電壓增益、輸入阻抗和輸齣阻抗。 場效應晶體管（FET）的原理： 結型場效應晶體管（JFET）： 講解JFET的結構（N溝道和P溝道），以及柵極電壓如何通過改變夾斷區的寬度來控製溝道電阻，從而控製漏極電流。分析其跨導、輸入阻抗等特性。 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）： 結構與類型： 詳細介紹增強型和耗盡型MOSFET的結構，包括源極、漏極、柵極和襯底。區分N溝道和P溝道MOSFET。 工作原理： 闡述柵極電壓如何通過改變氧化層下的電場來感應或耗盡載流子，形成導電溝道。重點講解MOSFET在不同工作區域（截止區、綫性區、飽和區）的特性。 主要參數： 介紹MOSFET的關鍵參數，如閾值電壓、跨導、漏-源電阻、最大允許功耗、柵-源漏電等。 等效電路模型： 提供MOSFET的小型信號等效電路模型，方便分析放大電路。 第二部分：晶體管電路設計與分析 本部分將重點介紹晶體管在實際電路中的應用，包括放大電路、開關電路以及不同類型的應用電路。 晶體管放大電路： 基本放大電路配置： 詳細分析共發射極、共集電極（射極跟隨器）和共基極放大電路的特點，包括它們的電壓增益、電流增益、輸入阻抗、輸齣阻抗以及頻率響應。 偏置技術： 介紹固定偏置、發射極自偏置、分壓偏置等不同偏置方法的原理、優缺點以及穩定性的分析。講解如何選擇閤適的偏置電路以獲得穩定的靜態工作點。 多級放大電路： 探討如何將多個放大級聯接以獲得更高的增益和更好的性能，包括直接耦閤、RC耦閤和變壓器耦閤放大器。 負反饋技術： 深入講解負反饋的概念，分析電壓負反饋、電流負反饋、電壓串聯負反饋和電流並聯負反饋等四種基本負反饋組態對放大電路增益、輸入阻抗、輸齣阻抗、帶寬和失真的影響。 晶體管開關電路： 晶體管作為開關： 講解晶體管在截止區和飽和區時的開關特性，以及如何驅動晶體管快速可靠地進行開關動作。 典型開關電路： 分析多諧振蕩器、施密特觸發器、單穩態觸發器等由晶體管構成的基本邏輯門和時序電路。 應用實例： 介紹晶體管在繼電器驅動、LED驅動、脈衝發生器等實際應用中的開關電路設計。 晶體管在特定電路中的應用： 振蕩器： 講解産生周期性電信號的振蕩器原理，包括LC振蕩器（如哈特萊、科萊皮茨）、RC振蕩器（如韋恩電橋、相移）以及晶體振蕩器。 調製與解調電路： 介紹晶體管在模擬信號調製（如AM、FM）和解調電路中的作用。 濾波器電路： 講解如何利用晶體管構成有源濾波器，如低通、高通、帶通和帶阻濾波器。 電源穩壓電路： 分析穩壓管、串聯穩壓器、開關穩壓器等由晶體管構成的電源穩壓電路。 集成電路基礎（簡述）： 簡要介紹晶體管在集成電路（IC）中的基礎作用，為讀者理解更復雜的集成電路打下基礎。 第三部分：實踐指導與故障排除 本部分提供實用的電路設計技巧、元器件選擇指南以及常見的故障分析和排除方法。 元器件選擇與評估： 提供選擇閤適的晶體管（BJT和FET）時需要考慮的因素，如電流、電壓、頻率、功率、噪聲等指標。介紹如何閱讀元器件數據手冊（datasheet）來獲取關鍵參數。 PCB布局與布綫技巧： 強調良好的PCB布局和布綫對於保證電路性能的重要性，包括信號完整性、接地、電源分配、寄生參數等。 電路仿真工具介紹： 推薦一些常用的電路仿真軟件（如LTspice, PSpice等），並簡述如何利用它們進行電路設計、分析和驗證。 實際電路構建與測試： 提供動手實踐的指導，包括麵包闆測試、焊接技巧、常用測試儀器（萬用錶、示波器、信號發生器）的使用方法。 常見故障分析與排除： 總結晶體管電路中可能齣現的常見故障，如靜態工作點偏移、增益下降、振蕩、信號失真等，並提供係統性的故障診斷思路和排除方法。 本書的特色： 本書的編寫注重理論與實踐的結閤，通過深入淺齣的講解，力求幫助讀者建立紮實的晶體管理論基礎，並能夠將其應用於實際的電路設計與調試中。豐富的圖示、錶格和實例將幫助讀者更好地理解復雜的概念，而實用的技巧和故障排除方法則能為讀者在實際操作中提供有力支持。本書不僅是學習晶體管技術的入門讀物，也是工程師和愛好者在項目開發過程中的重要參考。

評分☆☆☆☆☆

這本書真是讓我眼前一亮，尤其是對那些希望深入理解材料科學核心概念的讀者來說，它簡直是一本寶藏。作者在闡述半導體材料基礎理論時，那種層層遞進、邏輯嚴密的敘述方式，讓人在閱讀過程中能很自然地構建起完整的知識體係。我特彆欣賞它在晶體結構、能帶理論這些基礎知識上的講解，不是簡單地羅列公式，而是結閤瞭豐富的物理圖像和直觀的類比，即便是初學者也能快速抓住要點。書中對材料製備工藝的探討也相當深入，特彆是涉及到鍺材料的提純和單晶生長過程，細節處理得非常到位，讓我對“好材料”是如何誕生的有瞭更清晰的認識。這種理論與實踐緊密結閤的風格，讓這本書不僅僅停留在書本層麵，更像是一本實用的技術手冊。讀完這部分內容，我感覺自己對半導體物理的理解不再是零散的知識點，而是有瞭一個堅實的理論基礎，這對於後續學習更復雜的器件物理至關重要。

評分☆☆☆☆☆

閱讀這本專著，我深刻體會到一種嚴謹的、批判性的學術態度。作者在提齣每一個理論模型時，都會審慎地指齣其適用的邊界條件和存在的局限性，這與當前許多過度簡化的科普讀物形成瞭鮮明對比。例如，在討論熱載流子效應時，它沒有簡單地給齣平均值，而是詳細分析瞭不同能量載流子分布函數的變化，這種對細節的執著，正是區分優秀專業書籍和一般參考資料的關鍵所在。對於追求精確性和可靠性的讀者來說，這種處理方式無疑是令人信服的。它不僅傳授知識，更重要的是，它塑造瞭一種嚴謹的科學思維模式，教會我們如何以辯證的眼光看待每一個技術方案的優缺點。我感覺自己完成瞭一次高質量的智力投資，收獲遠超於書本定價本身。

評分☆☆☆☆☆

對於有誌於從事半導體器件設計或製造領域的工程師而言，這本書的價值簡直是無可估量的。它沒有停留在描述“是什麼”，而是深入挖掘瞭“為什麼會這樣”以及“如何控製它”。舉例來說，書中關於PN結特性和雪崩擊穿機理的分析，不僅給齣瞭經典的方程，更結閤瞭實際的實驗數據和失效分析的案例，這種“知其然，更知其所以然”的講解方式，是教科書常常欠缺的。它教會我們如何從材料層麵去預判和優化器件性能，而不是僅僅依賴於應用層麵的電路設計。這種自下而上的理解路徑，對於培養真正的係統工程師思維是極其有益的。我個人認為，這本書是那種值得反復翻閱、每次都能發現新細節的參考書，其深度和廣度都遠遠超齣瞭普通入門讀物的範疇。

評分☆☆☆☆☆

這本書給我帶來的最大感受是其深厚的曆史沉澱感和前瞻性視野的完美結閤。作者在追溯鍺材料在早期半導體工業中地位的同時，並沒有沉溺於曆史迴顧，而是巧妙地將這些曆史教訓與現代半導體技術的發展趨勢聯係起來。章節間的過渡非常平滑，從材料本身的晶格缺陷控製，到如何利用這些缺陷特性來設計早期晶體管，邏輯鏈條清晰可見。我特彆留意到書中關於界麵態和錶麵效應的討論，這部分內容對於理解現代微納器件的性能瓶頸至關重要。作者用一種近乎詩意的語言描述瞭這些微觀世界裏的相互作用，使得原本枯燥的物理化學過程變得生動起來。它不僅是一本技術手冊，更像是一部關於人類如何一步步馴服和利用自然界最基本物質的史詩。

評分☆☆☆☆☆

這本書的結構安排非常巧妙，它並沒有急於進入高深的應用層麵，而是花瞭大篇幅來夯實基礎，這一點我非常贊賞。從半導體材料的宏觀特性到微觀的電子行為，作者的筆觸細膩而精確。我尤其喜歡它在討論摻雜效應和載流子輸運機製時所采用的數學模型推導過程。這些推導過程詳略得當，既保證瞭科學的嚴謹性，又不會讓讀者在冗長的代數運算中迷失方嚮。屠海令先生的翻譯質量也值得稱道，使得這些原本可能帶有濃厚西方學術色彩的專業術語，在中國讀者的語境下顯得格外流暢自然，幾乎感覺不到閱讀障礙。這種高水平的學術翻譯，極大地提升瞭閱讀體驗，確保瞭信息在跨文化傳播中的準確性和易懂性。整個閱讀過程就像是進行瞭一次精心組織的學術漫步，每一步都有明確的目標和收獲。