書名:集成電路
:22.00元
售價:15.4元,便宜6.6元,摺扣70
作者:廣瀨全孝,彭軍
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2003-02-01
ISBN:9787030108890
字數:
頁碼:161
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
《集成電路》是“OHM大學理工係列”之一。書中通俗易懂地介紹瞭支撐未來信息社會的集成電路技術。《集成電路》共六章。內容包括器件的工作原理、基本電路的設計、LSI的製造技術,以及為瞭實現LSI的計算機輔助設計(CAD)技術和計算機係統與中央處理器的結構與功能等。
《集成電路》可作為係統學習集成電路技術的大學本科生就研究生的參考教材,亦可供相關專業領域的技術人員參考。
章 集成電路基礎
1.1 半導體集成電路與信息處理
1.2 半導體與能量間隙
1.3 n型、p型半導體與費米能級
1.4 pn結與能帶
1.5 MOS結構中耗盡層的形成
1.6 MOS存儲器
1.7 MOS邏輯電路
練習題
第2章 MOS器件的工作與微細化
2.1 MOS晶體管的工作特性
2.1.1 矽氧化膜與矽界麵係統中的可動電荷與固定電荷
2.1.2 MOS晶體管的結構與工作特性
2.1.3 MOS晶體管的結構及其引起的各種現象與麵臨的課題
2.2 MOS晶體管的工作模型與器件模擬
2.2.1 MOS晶體管工作的基本模型
2.2.2 MOS晶體管的結構設計與器件模擬
2.2.3 器件模擬的課題
2.3 微細化的目的與設計指導思想,等比例縮小規則的齣發點與現實
2.3.1 MOS晶體管微細化的目的與設計指導思想
2.3.2 等比例縮小規則的齣發點與發展過程
2.3.3 等比例縮小的限度與現代器件設計
2.4 半導體存儲器結構的曆史與未來
2.4.1 存儲器的結構與曆史
2.4.2 信息積蓄電容與高介電常數薄膜,強電介質薄膜
練習題
第3章 基本電路與版圖設計
3.1 CMOS反相電路
3.1.1 CMOS反相器的結構
3.1.2 直流傳輸特性
3.1.3 CMOS的特性
3.2 傳輸門(TG)
3.3 CMOS邏輯電路舉例
3.3.1 雙輸入與非門NAND
3.3.2 雙輸入與或門NOR
3.3.3 復閤門
3.3.4 雙輸入XOR(EXOR)門(異或邏輯)
3.3.5 觸發器與鎖存器
3.4 存儲器集成電路
3.4.1 存儲器的結構及種類
3.4.2 動態存儲器(DRAM)
3.4.3 靜態存儲器(SRAM)
3.4.4 掩模ROM
3.4.5 EPROM(Electrically ProgrammableROM)
3.4.6 EEPROM(ElectricallyErasab1eandProgrammableROM)
3.4.7 快閃隻讀存儲器
3.5 版圖設計
3.5.1 設計規則
3.5.2 LSI版圖設計方法
練習題
第4章 LSI製造技術
4.1 基本工藝與工藝流程
4.1.1 基本工藝
4.1.2 工藝流程
4.1.3 工藝一體化
4.2 器件隔離
4.2.1 LOCOS隔離與開槽隔離
4.2.2 共他隔離技術
4.3 襯底與阱技術
4.3.1 CMOS工藝與阱的形成
4.3.2 可靠性與阱技術
4.3.3 外延襯底與SOI襯底
4.4 柵與源、漏結的形成
4.4.1 柵工藝
4.4.2 源、漏結的形成
4.4.3 漏極技術
4.5 接觸的形成與多層布綫
4.5.1 接觸的形成
4.5.2 金屬化係統
4.5.3 多層布綫工藝與平坦化技術
4.6 雙極工藝與BiCMOS工藝
4.6.1 雙極工藝
4.6.2 BiCMOS工藝
練習題
第5章 LSI設計與CAD
5.1 LSI開發與CAD
5.1.1 LSI設計流程
5.1.2 ASIC設計的方法
5.1.3 模擬器
5.2 功能設計、邏輯設計
5.2.1 係統設計與功能設計
5.2.2 邏輯設計
5.2.3 邏輯模擬器
5.2.4 邏輯綜閤
5.3 電路設計
5.3.1 CMOS反相器的輸入輸齣特性
5.3.2 CMOS反相器的開關特性
5.3.3 CMOS反相器的功耗
5.3.4 LSI的信號傳輸延遲時間
5.3.5 電路模擬器
5.4 設計驗證
5.4.1 LSI的故障與檢驗
5.4.2 測試簡易化設計
練習題
第6章 中央處理器的基本結構與工作原理
6.1 計算機係統概要
6.2 中央處理器的結構與功能
6.2.1 數值數據的錶示
6.2.2 指令係統
6.2.3 中央處理器的結構
6.2.4 中央處理器的工作
6.3 中央處理器的性能
6.3.1 性能的評價
6.3.2 改善性能的手段
練習題
練習題簡答
參考文獻
這本書的文字密度讓人望而生畏,每一頁都像是被塞滿瞭信息,仿佛作者試圖在有限的篇幅內,將他所知道的一切相關的知識點都傾倒齣來。我花瞭將近兩周的時間,纔勉強啃完瞭前三分之一,而且不得不承認,我跳過瞭許多復雜的數學推導和冗長的公式證明。這本書的結構非常跳躍,從一個概念迅速切換到另一個概念,中間幾乎沒有緩衝地帶。比如,它前一頁還在討論量子隧穿效應在極小尺寸器件中的影響,下一頁就跳躍到瞭全球供應鏈管理的風險評估。這種廣度令人佩服,但深度卻成瞭問題。我試圖找到一些清晰的圖示來輔助理解那些復雜的電學特性,但書中的插圖數量稀少,而且質量偏低,很多圖錶看起來像是從早期的教科書上直接掃描下來的,綫條模糊,標注不清。這使得理解那些依賴於視覺輔助的抽象概念變得異常睏難,我常常需要停下來,打開電腦去搜索引擎上找更清晰的專業圖譜來對照閱讀。對於初學者來說,這本書的門檻高得令人望而卻步,它假定讀者已經具備瞭紮實的電子工程背景,可以直接理解高度抽象的論述。
評分這本書的裝幀設計簡直是一場災難,紙張的觸感粗糙,油墨的味道在炎熱的夏天裏散發齣來,讓人閱讀體驗大打摺扣。更糟糕的是,排版齣現瞭多處明顯的錯誤,比如頁碼錯亂,有些章節的引文編號與文末的參考文獻列錶完全對不上號,我懷疑這本書在付印前經過的校對流程形同虛設。內容上,這本書的側重點似乎完全偏嚮於器件物理學的早期發展,大量篇幅被用來詳細介紹早期的鍺晶體管和早期的平麵工藝的局限性。當涉及到現代的FinFET結構、極紫外光刻技術(EUV)或者先進的封裝技術(如Chiplet)時,文字描述變得極其簡略,仿佛是匆匆加上的附錄。我購買這本書的初衷就是想瞭解當前行業最前沿的製造瓶頸和解決方案,但這本書的內容更新似乎停滯在瞭十年前的某個時間點。我花瞭很大力氣去辨認那些晦澀難懂的專業術語,結果發現它們描述的都是已經被曆史淘汰的技術路綫。這對於一個希望緊跟行業發展速度的工程師來說,無疑是浪費時間。
評分這本書的封麵設計得相當有衝擊力,那種深邃的藍色調配上跳躍的紅色綫條,立刻就讓人聯想到精密和高能。我原本是抱著瞭解現代科技脈絡的好奇心翻開的,期待能有一場關於半導體工藝和晶體管物理的深度對話。然而,讀完前幾章後,我發現這本書似乎更側重於宏觀的曆史敘事和産業變遷,而非我所期望的那些微觀的、硬核的技術細節。比如,它花瞭大量的篇幅去講述上世紀中葉幾位關鍵科學傢的“靈光乍現”時刻,以及不同國傢在芯片競賽中的策略布局,這部分內容寫得引人入勝,文筆流暢,頗具史詩感。它成功地描繪瞭一幅波瀾壯闊的技術發展圖景,讓你仿佛置身於那些充滿煙味和咖啡味的實驗室裏,感受那種突破的激動。但是,當真正涉及到“集成電路”本身的工作原理,比如CMOS的反相器如何實現邏輯運算,或者版圖設計中的電遷移效應如何被控製時,文字卻變得有些飄忽,往往是一帶而過,用一些高度概括的術語帶過,這對我這個想深入探究“如何製造”的讀者來說,無疑是一種遺憾。總的來說,它更像是一部優秀的科技史傳記,而非一本嚴謹的技術手冊。
評分這次閱讀體驗非常具有啓發性,盡管我可能沒有從中獲得預期的技術指導,但它在哲學層麵給瞭我不少思考。作者似乎對“集成”這個詞有著非常廣闊的理解,他將“集成”的概念從微觀的晶體管電路擴展到瞭宏觀的社會結構和信息網絡。書中有一章專門討論瞭信息熵與物理復雜度的關係,這個角度相當新穎。他沒有過多糾纏於具體的工藝參數,而是將目光投嚮瞭信息的組織和係統的湧現行為。例如,他將一個大型數據中心的散熱係統設計,類比於生物體內的循環係統,強調瞭“效率最大化”在不同尺度上的共性。這種跨學科的聯結,雖然讓這本書在“技術專著”的範疇內顯得有些“不務正業”,但卻極大地拓寬瞭我的視野。我開始思考,那些支撐我們現代生活的微小矽片,是如何與我們復雜的社會治理、經濟活動形成一個相互依存的巨大係統。遺憾的是,這種哲學思辨在最後幾章顯得有些力不從心,收尾得略顯倉促,仿佛作者在最後時刻突然想起瞭自己當初答應讀者一本關於“電路”的書,於是匆忙補上瞭一些技術名詞。
評分這本書的敘事風格非常口語化,仿佛作者正坐在你對麵,用一種輕鬆愉快的語氣給你講述他年輕時在實驗室裏遇到的趣事。它充滿瞭生動的比喻和一些自嘲式的幽默,閱讀起來完全沒有傳統技術書籍的枯燥感。比如,在解釋半導體的摻雜過程時,他用瞭一個非常形象的比喻,將雜質原子比作派對上的“不速之客”,它們闖入瞭原本整齊排列的晶格結構中,從而改變瞭整個派對(材料)的性質。這種敘事方式無疑拉近瞭讀者與復雜科學概念的距離,讓那些原本需要大量預備知識纔能理解的內容變得平易近人。然而,這種過分的親切感也帶來瞭專業性上的犧牲。在關鍵的數學推導環節,作者傾嚮於直接給齣結論,並用“你自然會明白”之類的錶述帶過,而不是展示嚴謹的推導過程。這種“你知道就好”的態度,對於追求邏輯閉環的學習者來說,是無法接受的。它更像是一本優秀的科普讀物,旨在激發大眾對電子科學的興趣,而非作為一本可以隨時查閱和驗證工程數據的工具書。
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