书名:集成电路
:22.00元
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作者:广濑全孝,彭军
出版社:科学出版社
出版日期:2003-02-01
ISBN:9787030108890
字数:
页码:161
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.4kg
《集成电路》是“OHM大学理工系列”之一。书中通俗易懂地介绍了支撑未来信息社会的集成电路技术。《集成电路》共六章。内容包括器件的工作原理、基本电路的设计、LSI的制造技术,以及为了实现LSI的计算机辅助设计(CAD)技术和计算机系统与中央处理器的结构与功能等。
《集成电路》可作为系统学习集成电路技术的大学本科生就研究生的参考教材,亦可供相关专业领域的技术人员参考。
章 集成电路基础
1.1 半导体集成电路与信息处理
1.2 半导体与能量间隙
1.3 n型、p型半导体与费米能级
1.4 pn结与能带
1.5 MOS结构中耗尽层的形成
1.6 MOS存储器
1.7 MOS逻辑电路
练习题
第2章 MOS器件的工作与微细化
2.1 MOS晶体管的工作特性
2.1.1 硅氧化膜与硅界面系统中的可动电荷与固定电荷
2.1.2 MOS晶体管的结构与工作特性
2.1.3 MOS晶体管的结构及其引起的各种现象与面临的课题
2.2 MOS晶体管的工作模型与器件模拟
2.2.1 MOS晶体管工作的基本模型
2.2.2 MOS晶体管的结构设计与器件模拟
2.2.3 器件模拟的课题
2.3 微细化的目的与设计指导思想,等比例缩小规则的出发点与现实
2.3.1 MOS晶体管微细化的目的与设计指导思想
2.3.2 等比例缩小规则的出发点与发展过程
2.3.3 等比例缩小的限度与现代器件设计
2.4 半导体存储器结构的历史与未来
2.4.1 存储器的结构与历史
2.4.2 信息积蓄电容与高介电常数薄膜,强电介质薄膜
练习题
第3章 基本电路与版图设计
3.1 CMOS反相电路
3.1.1 CMOS反相器的结构
3.1.2 直流传输特性
3.1.3 CMOS的特性
3.2 传输门(TG)
3.3 CMOS逻辑电路举例
3.3.1 双输入与非门NAND
3.3.2 双输入与或门NOR
3.3.3 复合门
3.3.4 双输入XOR(EXOR)门(异或逻辑)
3.3.5 触发器与锁存器
3.4 存储器集成电路
3.4.1 存储器的结构及种类
3.4.2 动态存储器(DRAM)
3.4.3 静态存储器(SRAM)
3.4.4 掩模ROM
3.4.5 EPROM(Electrically ProgrammableROM)
3.4.6 EEPROM(ElectricallyErasab1eandProgrammableROM)
3.4.7 快闪只读存储器
3.5 版图设计
3.5.1 设计规则
3.5.2 LSI版图设计方法
练习题
第4章 LSI制造技术
4.1 基本工艺与工艺流程
4.1.1 基本工艺
4.1.2 工艺流程
4.1.3 工艺一体化
4.2 器件隔离
4.2.1 LOCOS隔离与开槽隔离
4.2.2 共他隔离技术
4.3 衬底与阱技术
4.3.1 CMOS工艺与阱的形成
4.3.2 可靠性与阱技术
4.3.3 外延衬底与SOI衬底
4.4 栅与源、漏结的形成
4.4.1 栅工艺
4.4.2 源、漏结的形成
4.4.3 漏极技术
4.5 接触的形成与多层布线
4.5.1 接触的形成
4.5.2 金属化系统
4.5.3 多层布线工艺与平坦化技术
4.6 双极工艺与BiCMOS工艺
4.6.1 双极工艺
4.6.2 BiCMOS工艺
练习题
第5章 LSI设计与CAD
5.1 LSI开发与CAD
5.1.1 LSI设计流程
5.1.2 ASIC设计的方法
5.1.3 模拟器
5.2 功能设计、逻辑设计
5.2.1 系统设计与功能设计
5.2.2 逻辑设计
5.2.3 逻辑模拟器
5.2.4 逻辑综合
5.3 电路设计
5.3.1 CMOS反相器的输入输出特性
5.3.2 CMOS反相器的开关特性
5.3.3 CMOS反相器的功耗
5.3.4 LSI的信号传输延迟时间
5.3.5 电路模拟器
5.4 设计验证
5.4.1 LSI的故障与检验
5.4.2 测试简易化设计
练习题
第6章 中央处理器的基本结构与工作原理
6.1 计算机系统概要
6.2 中央处理器的结构与功能
6.2.1 数值数据的表示
6.2.2 指令系统
6.2.3 中央处理器的结构
6.2.4 中央处理器的工作
6.3 中央处理器的性能
6.3.1 性能的评价
6.3.2 改善性能的手段
练习题
练习题简答
参考文献
这本书的封面设计得相当有冲击力,那种深邃的蓝色调配上跳跃的红色线条,立刻就让人联想到精密和高能。我原本是抱着了解现代科技脉络的好奇心翻开的,期待能有一场关于半导体工艺和晶体管物理的深度对话。然而,读完前几章后,我发现这本书似乎更侧重于宏观的历史叙事和产业变迁,而非我所期望的那些微观的、硬核的技术细节。比如,它花了大量的篇幅去讲述上世纪中叶几位关键科学家的“灵光乍现”时刻,以及不同国家在芯片竞赛中的策略布局,这部分内容写得引人入胜,文笔流畅,颇具史诗感。它成功地描绘了一幅波澜壮阔的技术发展图景,让你仿佛置身于那些充满烟味和咖啡味的实验室里,感受那种突破的激动。但是,当真正涉及到“集成电路”本身的工作原理,比如CMOS的反相器如何实现逻辑运算,或者版图设计中的电迁移效应如何被控制时,文字却变得有些飘忽,往往是一带而过,用一些高度概括的术语带过,这对我这个想深入探究“如何制造”的读者来说,无疑是一种遗憾。总的来说,它更像是一部优秀的科技史传记,而非一本严谨的技术手册。
评分这本书的叙事风格非常口语化,仿佛作者正坐在你对面,用一种轻松愉快的语气给你讲述他年轻时在实验室里遇到的趣事。它充满了生动的比喻和一些自嘲式的幽默,阅读起来完全没有传统技术书籍的枯燥感。比如,在解释半导体的掺杂过程时,他用了一个非常形象的比喻,将杂质原子比作派对上的“不速之客”,它们闯入了原本整齐排列的晶格结构中,从而改变了整个派对(材料)的性质。这种叙事方式无疑拉近了读者与复杂科学概念的距离,让那些原本需要大量预备知识才能理解的内容变得平易近人。然而,这种过分的亲切感也带来了专业性上的牺牲。在关键的数学推导环节,作者倾向于直接给出结论,并用“你自然会明白”之类的表述带过,而不是展示严谨的推导过程。这种“你知道就好”的态度,对于追求逻辑闭环的学习者来说,是无法接受的。它更像是一本优秀的科普读物,旨在激发大众对电子科学的兴趣,而非作为一本可以随时查阅和验证工程数据的工具书。
评分这本书的文字密度让人望而生畏,每一页都像是被塞满了信息,仿佛作者试图在有限的篇幅内,将他所知道的一切相关的知识点都倾倒出来。我花了将近两周的时间,才勉强啃完了前三分之一,而且不得不承认,我跳过了许多复杂的数学推导和冗长的公式证明。这本书的结构非常跳跃,从一个概念迅速切换到另一个概念,中间几乎没有缓冲地带。比如,它前一页还在讨论量子隧穿效应在极小尺寸器件中的影响,下一页就跳跃到了全球供应链管理的风险评估。这种广度令人佩服,但深度却成了问题。我试图找到一些清晰的图示来辅助理解那些复杂的电学特性,但书中的插图数量稀少,而且质量偏低,很多图表看起来像是从早期的教科书上直接扫描下来的,线条模糊,标注不清。这使得理解那些依赖于视觉辅助的抽象概念变得异常困难,我常常需要停下来,打开电脑去搜索引擎上找更清晰的专业图谱来对照阅读。对于初学者来说,这本书的门槛高得令人望而却步,它假定读者已经具备了扎实的电子工程背景,可以直接理解高度抽象的论述。
评分这本书的装帧设计简直是一场灾难,纸张的触感粗糙,油墨的味道在炎热的夏天里散发出来,让人阅读体验大打折扣。更糟糕的是,排版出现了多处明显的错误,比如页码错乱,有些章节的引文编号与文末的参考文献列表完全对不上号,我怀疑这本书在付印前经过的校对流程形同虚设。内容上,这本书的侧重点似乎完全偏向于器件物理学的早期发展,大量篇幅被用来详细介绍早期的锗晶体管和早期的平面工艺的局限性。当涉及到现代的FinFET结构、极紫外光刻技术(EUV)或者先进的封装技术(如Chiplet)时,文字描述变得极其简略,仿佛是匆匆加上的附录。我购买这本书的初衷就是想了解当前行业最前沿的制造瓶颈和解决方案,但这本书的内容更新似乎停滞在了十年前的某个时间点。我花了很大力气去辨认那些晦涩难懂的专业术语,结果发现它们描述的都是已经被历史淘汰的技术路线。这对于一个希望紧跟行业发展速度的工程师来说,无疑是浪费时间。
评分这次阅读体验非常具有启发性,尽管我可能没有从中获得预期的技术指导,但它在哲学层面给了我不少思考。作者似乎对“集成”这个词有着非常广阔的理解,他将“集成”的概念从微观的晶体管电路扩展到了宏观的社会结构和信息网络。书中有一章专门讨论了信息熵与物理复杂度的关系,这个角度相当新颖。他没有过多纠缠于具体的工艺参数,而是将目光投向了信息的组织和系统的涌现行为。例如,他将一个大型数据中心的散热系统设计,类比于生物体内的循环系统,强调了“效率最大化”在不同尺度上的共性。这种跨学科的联结,虽然让这本书在“技术专著”的范畴内显得有些“不务正业”,但却极大地拓宽了我的视野。我开始思考,那些支撑我们现代生活的微小硅片,是如何与我们复杂的社会治理、经济活动形成一个相互依存的巨大系统。遗憾的是,这种哲学思辨在最后几章显得有些力不从心,收尾得略显仓促,仿佛作者在最后时刻突然想起了自己当初答应读者一本关于“电路”的书,于是匆忙补上了一些技术名词。
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