半导体物理学（下）（第2版） pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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叶良修 著

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• 半导体物理
• 固体物理
• 电子学
• 物理学
• 材料科学
• 半导体器件
• 高等教育
• 教材
• 第二版
• 物理

出版社： 高等教育出版社

ISBN：9787040266252

版次：2

商品编码：10005434

包装：精装

开本：16开

出版时间：2009-06-01

用纸：胶版纸

页数：604

字数：740000

正文语种：中文

内容简介

　　《半导体物理学(下)(精)》共十七章，分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容，包括结构和结合性质，半导体中的电子状态，载流子的平衡统计，过剩载流子，接触现象，半导体表面和MIs结构，微结构和趟品格，半导体的光吸收，半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题，包括载流子的散射，热现象，复杂能带输运，热载流子，强磁场下的输运和磁光现象，半导体中自旋相关的现象，非晶念半导体等七章。《半导体物理学(下)(精)》可供已学过同体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

内页插图

目录

符号表
第11章 载流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽库仑势和电离杂质散射
§11.3 声学波形变势散射
§11.4 声学波压电散射
§11.5 光学波形变势散射和等价谷间散射
§11.6 极性光学波及其散射
§11.7 等离子体振荡和等离子体激元散射
§11.8 栽流子之间的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半导体中的各种散射机制
第11章 参考文献

第12章 半导体中的热现象
§12.1 半导体的热导
§12.2 热电效应及其相互联系
§12.3 温差电动势率
§12.4 热磁效应
§12.5 声子曳引效应
第12章 参考文献

第13章 复杂能带中的输运现象
§13.1 多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
§13.2 半导体中的压阻效应
§13.3 声电效应
附录13.1 Herring-Vogt变换
第13章 参考文献

第14章 热载流子和相关现象
§14.1 热载流子和载流子温度模型
§14.2 能量弛豫机制和能量损失率
§14.3 蒙特卡罗模拟
§14.4 和谷间转移相关的热载流子输运现象
§14.5 雪崩击穿和碰撞电离
§14.6 热载流子的扩散
§14.7 激光产生的热载流子的弛豫
§14.8 研究载流子动态过程的超快光谱方法
§14.9 量子阱中热载流子的弛豫
§14.1 0量子阱中热激子的动态过程
§14.1 1量子点中电子空穴的弛豫
附录14.1 第二类修正贝塞尔函数
第14章 参考文献

第15章 强磁场输运和磁光现象
§15.1 磁量子化和自旋分裂
§15.2 纵向振荡磁阻
§15.3 横向振荡磁阻
§15.4 量子霍尔效应
§15.5 回旋共振
§15.6 磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
§15.7 振荡磁吸收
§15.8 几种其它磁光效应
第15章 参考文献

第16章 半导体中自旋相关的现象
§16.1 自旋及其在磁场中的行为
§16.2 自旋-轨道相互作用
§16.3 稀磁半导体及其铁磁性
§16.4 电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
§16.5 自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
§16.6 自旋极化的电注入和探测
§16.7 自旋极化的弛豫
§16.8 核自旋超精细相互作用
§16.9 自旋和量子计算
§16.10 自旋共振和自旋一核双共振在半导体中的应用
第16章 参考文献

第17章 非晶态半导体
§17.1 非晶态半导体的结构
§17.2 非晶态半导体中的电子状态
§17.3 非晶态半导体中的输运现象
§17.4 非晶态半导体的光吸收
§17.5 非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
§17.6 硫系非晶态半导体
第17章 参考文献

索引
《半导体物理学(上册)》的若干修改
感谢

精彩书摘

　　过去30年中，对热载流子的动态弛豫过程进行了大量的研究.这不仅是因为它们在物理上具有基本的重要性，而且因为载流子弛豫过程和电子器件及光电子器件的响应速度密切相关。例如，GaAs场效应晶体管和异质结双极晶体管可达到的速度取决于电子在导带中高速区和低速区的转换的快慢。
　　在这一节和下一节中，我们将讨论激光脉冲激发的能量较高的热载流子的弛豫过程。实验方法主要是超快的、时间分辨的光谱方法。这种研究载流子的非平衡现象及和品格相互作用的方法，不同于传统的通过输运性质进行研究的方法。输运性质反映的是不同能量的载流子的平均性质。而采用基于亚ps和fs激光脉冲的时间分辨光谱技术，使人们可探测到载流子微观分布及它们在亚ps和fs时间尺度上的演变。由于不同散射机制的散射时间通常分布在几十fs到几百fs之间，因而这类方法可展现载流子分布所经历的变化，并可通过分析认识变化过程所涉及的主要散射机制。激发一探测光谱术和时间分辨的荧光谱是应用得很广泛的实验方法。
　　实验大多在Ⅲ-V化合物，特别是GaAs上进行的。选择Ⅲ-V化合物而不是Ⅵ族元素半导体，是因为它们是直接禁带的，其中的光吸收和光发射过程都较易于解读。而且在实验上，对于探测载流子的分布函数和它们的动态过程都至关重要的复合荧光，只有在直接禁带材料中才易于被观察到。有关的实验方法和具有典型意义的实验结果将放在下一节介绍。我们将主要以GaAs为例来说明，适当辅以其它半导体。

《半导体物理学（下）（第2版）》是一部深入探索半导体材料宏观性质及其在现代电子器件中应用的学术著作。本书聚焦于半导体中的输运现象、光学性质以及半导体异质结和器件的物理原理，为读者提供了一个全面且深刻的理解框架。 宏观输运现象 本书的开篇部分详细阐述了半导体中的电荷载流子输运机制。在考察了自由载流子的漂移和扩散运动后，重点分析了各种散射机制对载流子迁移率的影响，包括晶格振动散射（声子散射）、杂质散射以及缺陷散射。通过对这些散射过程的量化分析，读者能够理解在不同温度和掺杂浓度下，半导体电导率的变化规律。此外，书中还深入讨论了霍尔效应，解释了如何利用霍尔效应来精确测定载流子浓度和类型，这是半导体材料表征中最基本也最重要的手段之一。对于载流子在电场作用下的速度饱和现象，以及高场下的非线性输运特性，本书也进行了细致的探讨。 半导体光学性质 在光学性质方面，本书系统介绍了半导体与光的相互作用。首先，从能带理论出发，解析了半导体吸收和发射光的基本原理。对于直接带隙和间接带隙半导体的区别及其在光学应用中的意义，本书进行了清晰的阐述。接着，书中详细讨论了半导体的反射、透射以及散射特性，并分析了不同材料体系（如III-V族、II-VI族以及硅基材料）的光学响应差异。重点在于，本书深入探讨了半导体中的光致发光（PL）和电致发光（EL）现象，这构成了LED、激光器等发光器件的物理基础。同时，也对光电导效应和光伏效应进行了详尽的讲解，为理解太阳能电池和光电探测器的原理奠定了坚实的基础。此外，书中还涉及了非线性光学效应，如二次谐波产生等，展现了半导体在光信息处理领域的潜力。 半导体异质结物理 异质结是构成现代复杂半导体器件的核心结构。本书投入大量篇幅研究不同半导体材料界面处的物理特性。在解释了截面能带图的绘制和理解之后，重点分析了费米能级的匹配、内建电势的形成以及载流子在异质结界面处的行为，如隧穿和反射。书中详细讨论了pn结的形成和特性，包括其整流特性、电容特性以及在二极管中的应用。在此基础上，本书进一步拓展到更复杂的异质结结构，如Schottky结、MIS（金属-绝缘体-半导体）结等。特别是对MOS（金属-氧化物-半导体）器件的C-V（电容-电压）特性、沟道形成以及其在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的工作原理进行了深入分析，这是数字集成电路的基础。 半导体器件原理 基于前述的输运和异质结物理，本书最后将目光投向了各类重要的半导体器件。对于双极型晶体管（BJT），本书从载流子注入、传输和收集的角度，详细阐述了其放大作用和开关特性。对于场效应晶体管（FET），特别是MOSFET，本书深入解析了其栅控特性、阈值电压、跨导以及不同工作区域（如截止区、线性区和饱和区）的物理机理，为理解高性能计算和现代微电子技术提供了关键的理论支撑。此外，本书还简要介绍了其他一些重要的半导体器件，如光电器件（LED、激光器、光电二极管、太阳能电池）、功率器件（IGBT）以及微机电系统（MEMS）中的半导体应用。通过对这些器件的深入剖析，读者能够清晰地看到半导体物理学理论如何转化为实际的电子和光电子技术。 本书以严谨的科学态度，结合丰富的实例，力求为读者提供一个清晰、系统且具有深度的半导体物理学知识体系。无论你是高等院校的师生，还是从事半导体材料、器件研发的工程师，都能从中获得宝贵的知识和启发，更好地理解和掌握这个瞬息万变的领域。

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这次入手《半导体物理学（下）（第2版）》，我抱着一个非常明确的目标：系统地梳理和深化对半导体物理学的理解。在以往的学习和工作中，我接触到了一些关于半导体器件的知识，但感觉总是零散的，不够连贯。我希望能通过这本书，将这些零散的知识点串联起来，形成一个完整的知识体系。尤其对书中关于半导体中的能量量子化、晶格振动（声子）等概念的阐述，我非常期待能够获得更清晰的理解，因为这对于深入理解半导体材料的各种性质至关重要。

评分☆☆☆☆☆

作为一个对事物原理刨根问底的人，我对《半导体物理学（下）（第2版）》这本书的期待，更多地源于对“为什么”的好奇。我们每天都在使用各种电子设备，手机、电脑、智能家居，它们的核心都是半导体器件。但这些器件是如何工作的？是什么样的物理规律支撑了它们的运行？书中关于量子力学在半导体中的应用，比如费米-狄拉克统计、德布罗意波等概念，我希望能够获得更清晰、更深入的解释。理解这些微观世界的规律，对我来说是一种智力上的挑战和享受。

评分☆☆☆☆☆

拿到《半导体物理学（下）（第2版）》这本书，我首先被它的厚度和内容所吸引。作为一名正在攻读研究生学位的学生，我深知扎实的理论基础对于科研的重要性。半导体物理学是许多前沿研究领域的基础，无论是MEMS、光电子学还是量子计算，都离不开对半导体材料及其器件特性的深刻理解。我希望通过这本书，能够系统地学习到关于半导体掺杂、载流子输运、以及各种类型的半导体器件的物理机制，从而为我未来的研究方向打下坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

我对《半导体物理学（下）（第2版）》的期待，在于它能够为我提供一个深入理解电子器件工作原理的坚实基础。我一直对电子学的学习充满热情，从基础的电路理论到数字逻辑，都希望能更进一步。而半导体物理，无疑是理解现代电子技术的核心。书中关于半导体异质结、MOSFET等重要器件的物理模型，我希望能够通过详实的讲解，将其内在的物理机制理清，这样在学习更高级的集成电路设计时，才不会觉得是空中楼阁。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对科技发展充满好奇心的普通爱好者，虽然没有专业的背景，但每次看到关于芯片制造、5G通信、人工智能等新闻，都对背后支撑的技术感到惊叹。我希望《半导体物理学（下）（第2版）》能够帮助我理解这些令人惊叹的技术背后所蕴含的科学原理。我特别想了解书中关于半导体能带理论是如何解释不同材料导电性能差异的，以及PN结是如何实现电荷单向传输的。这些基础知识，感觉是理解整个电子世界运转逻辑的关键。

评分☆☆☆☆☆

拿到这本书的时候，我正在学习一些与微电子设计相关的课程，感觉知识点之间总是隔着一层纱，而这层纱的背后，就是扎实的半导体物理基础。很多时候，我们在设计电路时，只是套用一些公式，或者依赖EDA工具的默认参数，但如果能够真正理解这些参数的物理含义，理解器件在不同工作条件下的行为差异，那在排查问题、优化设计时就会更加得心应手。我希望通过阅读《半导体物理学（下）（第2版）》，能够构建起一个更完整的半导体物理知识体系，不只是记住结论，更能理解其推导过程和物理直觉。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对物理学充满热情的学生，虽然主修的不是半导体相关专业，但一直对这个领域充满兴趣。每次看到新闻里提到最新的芯片技术、量子计算的突破，我都觉得背后一定隐藏着深刻的物理原理。《半导体物理学（下）（第2版）》对我来说，就像是一把开启这些神秘知识大门的钥匙。我尤其想了解书中关于半导体材料的缺陷、杂质如何影响其导电性能，以及光电效应在太阳能电池和LED中的具体应用。这些理论知识，我感觉能够帮助我更好地理解当下科技发展的脉搏。

评分☆☆☆☆☆

我是一位从业多年的工程师，在工作中接触过不少半导体器件的应用，但总感觉在理论层面不够扎实。很多时候，只是按照手册来操作，遇到一些边缘情况或者性能瓶颈时，很难从根本上找到解决方案。我希望《半导体物理学（下）（第2版）》能够帮助我弥补这方面的知识短板，让我能够更深入地理解不同半导体材料的特性，以及它们在不同工艺下的表现。比如，关于绝缘体材料的介电常数、肖特基势垒的形成机理等，这些细节知识对于优化器件性能和可靠性至关重要。

评分☆☆☆☆☆

这次终于拿到了《半导体物理学（下）（第2版）》，这本书沉甸甸的，光是翻开扉页就让我感觉充满了知识的重量。一直以来，我对半导体这个领域都充满了好奇，尤其是它的底层物理原理，总觉得那是连接微观世界与我们日常电子设备之间的关键桥梁。这本书的出版，对我来说无疑是一次深入探索的机会。从目录来看，它涵盖了许多我之前只在一些科普文章或者基础教材中略有提及的概念，比如复杂的能带理论在更深层次的应用，以及各种器件模型背后更为精妙的物理机制。我特别期待能够理解那些复杂的数学推导是如何最终解释出实际的器件特性，比如晶体管的开关行为、PN结的反向漏电流等等。

评分☆☆☆☆☆

我一直认为，要真正掌握一门学科，必须深入理解其底层原理。对于半导体，我深感其重要性，它不仅是信息时代的基石，更是一个充满魅力的物理研究领域。阅读《半导体物理学（下）（第2版）》的初衷，正是希望能够跳出表面的器件应用，去探究那些支撑起整个行业的物理规律。书中关于半导体中的各种散射机制、复合过程，以及它们如何影响载流子的行为，这些细节对我来说是十分宝贵的。

评分☆☆☆☆☆

一本好书 需要慢慢琢磨

评分☆☆☆☆☆

图书正版，价格便宜，非常喜欢。本来还想买上册，但是想用这次赠送的京卷。所以后面再买吧

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书不错的，好好学习天天向上啊

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好书，值得购买，很权威的教材

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包装很好，物流很快，帮哥哥买的

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很实用的书籍，值得拥有

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书的内容很深入浅出，对于学习半导体物理学有很大帮助，和国外教材相比也毫不逊色！

评分☆☆☆☆☆

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评分☆☆☆☆☆

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