半導體物理學（下）（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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葉良修 著

圖書標籤:

• 半導體物理
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• 電子學
• 物理學
• 材料科學
• 半導體器件
• 高等教育
• 教材
• 第二版
• 物理

齣版社： 高等教育齣版社

ISBN：9787040266252

版次：2

商品編碼：10005434

包裝：精裝

開本：16開

齣版時間：2009-06-01

用紙：膠版紙

頁數：604

字數：740000

正文語種：中文

內容簡介

　　《半導體物理學(下)(精)》共十七章，分上下兩冊齣版。上冊主要涉及一些比較基本的內容，包括結構和結閤性質，半導體中的電子狀態，載流子的平衡統計，過剩載流子，接觸現象，半導體錶麵和MIs結構，微結構和趟品格，半導體的光吸收，半導體的光發射等十章。下冊則收入一些專題，包括載流子的散射，熱現象，復雜能帶輸運，熱載流子，強磁場下的輸運和磁光現象，半導體中自鏇相關的現象，非晶念半導體等七章。《半導體物理學(下)(精)》可供已學過同體物理的大學生、研究生以及有關方麵的研究人員閱讀、參考。

內頁插圖

目錄

符號錶
第11章 載流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽庫侖勢和電離雜質散射
§11.3 聲學波形變勢散射
§11.4 聲學波壓電散射
§11.5 光學波形變勢散射和等價榖間散射
§11.6 極性光學波及其散射
§11.7 等離子體振蕩和等離子體激元散射
§11.8 栽流子之間的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半導體中的各種散射機製
第11章 參考文獻

第12章 半導體中的熱現象
§12.1 半導體的熱導
§12.2 熱電效應及其相互聯係
§12.3 溫差電動勢率
§12.4 熱磁效應
§12.5 聲子曳引效應
第12章 參考文獻

第13章 復雜能帶中的輸運現象
§13.1 多榖帶的電導、霍爾效應和磁阻
§13.2 半導體中的壓阻效應
§13.3 聲電效應
附錄13.1 Herring-Vogt變換
第13章 參考文獻

第14章 熱載流子和相關現象
§14.1 熱載流子和載流子溫度模型
§14.2 能量弛豫機製和能量損失率
§14.3 濛特卡羅模擬
§14.4 和榖間轉移相關的熱載流子輸運現象
§14.5 雪崩擊穿和碰撞電離
§14.6 熱載流子的擴散
§14.7 激光産生的熱載流子的弛豫
§14.8 研究載流子動態過程的超快光譜方法
§14.9 量子阱中熱載流子的弛豫
§14.1 0量子阱中熱激子的動態過程
§14.1 1量子點中電子空穴的弛豫
附錄14.1 第二類修正貝塞爾函數
第14章 參考文獻

第15章 強磁場輸運和磁光現象
§15.1 磁量子化和自鏇分裂
§15.2 縱嚮振蕩磁阻
§15.3 橫嚮振蕩磁阻
§15.4 量子霍爾效應
§15.5 迴鏇共振
§15.6 磁-聲子效應和強微波輻照場下的零磁阻
§15.7 振蕩磁吸收
§15.8 幾種其它磁光效應
第15章 參考文獻

第16章 半導體中自鏇相關的現象
§16.1 自鏇及其在磁場中的行為
§16.2 自鏇-軌道相互作用
§16.3 稀磁半導體及其鐵磁性
§16.4 電子自鏇的光取嚮及自鏇相關的光學現象
§16.5 自鏇霍爾效應和其它自鏇相關的輸運現象
§16.6 自鏇極化的電注入和探測
§16.7 自鏇極化的弛豫
§16.8 核自鏇超精細相互作用
§16.9 自鏇和量子計算
§16.10 自鏇共振和自鏇一核雙共振在半導體中的應用
第16章 參考文獻

第17章 非晶態半導體
§17.1 非晶態半導體的結構
§17.2 非晶態半導體中的電子狀態
§17.3 非晶態半導體中的輸運現象
§17.4 非晶態半導體的光吸收
§17.5 非晶態Si、Ge中的隙態和摻雜效應
§17.6 硫係非晶態半導體
第17章 參考文獻

索引
《半導體物理學(上冊)》的若乾修改
感謝

精彩書摘

　　過去30年中，對熱載流子的動態弛豫過程進行瞭大量的研究.這不僅是因為它們在物理上具有基本的重要性，而且因為載流子弛豫過程和電子器件及光電子器件的響應速度密切相關。例如，GaAs場效應晶體管和異質結雙極晶體管可達到的速度取決於電子在導帶中高速區和低速區的轉換的快慢。
　　在這一節和下一節中，我們將討論激光脈衝激發的能量較高的熱載流子的弛豫過程。實驗方法主要是超快的、時間分辨的光譜方法。這種研究載流子的非平衡現象及和品格相互作用的方法，不同於傳統的通過輸運性質進行研究的方法。輸運性質反映的是不同能量的載流子的平均性質。而采用基於亞ps和fs激光脈衝的時間分辨光譜技術，使人們可探測到載流子微觀分布及它們在亞ps和fs時間尺度上的演變。由於不同散射機製的散射時間通常分布在幾十fs到幾百fs之間，因而這類方法可展現載流子分布所經曆的變化，並可通過分析認識變化過程所涉及的主要散射機製。激發一探測光譜術和時間分辨的熒光譜是應用得很廣泛的實驗方法。
　　實驗大多在Ⅲ-V化閤物，特彆是GaAs上進行的。選擇Ⅲ-V化閤物而不是Ⅵ族元素半導體，是因為它們是直接禁帶的，其中的光吸收和光發射過程都較易於解讀。而且在實驗上，對於探測載流子的分布函數和它們的動態過程都至關重要的復閤熒光，隻有在直接禁帶材料中纔易於被觀察到。有關的實驗方法和具有典型意義的實驗結果將放在下一節介紹。我們將主要以GaAs為例來說明，適當輔以其它半導體。

《半導體物理學（下）（第2版）》是一部深入探索半導體材料宏觀性質及其在現代電子器件中應用的學術著作。本書聚焦於半導體中的輸運現象、光學性質以及半導體異質結和器件的物理原理，為讀者提供瞭一個全麵且深刻的理解框架。 宏觀輸運現象 本書的開篇部分詳細闡述瞭半導體中的電荷載流子輸運機製。在考察瞭自由載流子的漂移和擴散運動後，重點分析瞭各種散射機製對載流子遷移率的影響，包括晶格振動散射（聲子散射）、雜質散射以及缺陷散射。通過對這些散射過程的量化分析，讀者能夠理解在不同溫度和摻雜濃度下，半導體電導率的變化規律。此外，書中還深入討論瞭霍爾效應，解釋瞭如何利用霍爾效應來精確測定載流子濃度和類型，這是半導體材料錶徵中最基本也最重要的手段之一。對於載流子在電場作用下的速度飽和現象，以及高場下的非綫性輸運特性，本書也進行瞭細緻的探討。 半導體光學性質 在光學性質方麵，本書係統介紹瞭半導體與光的相互作用。首先，從能帶理論齣發，解析瞭半導體吸收和發射光的基本原理。對於直接帶隙和間接帶隙半導體的區彆及其在光學應用中的意義，本書進行瞭清晰的闡述。接著，書中詳細討論瞭半導體的反射、透射以及散射特性，並分析瞭不同材料體係（如III-V族、II-VI族以及矽基材料）的光學響應差異。重點在於，本書深入探討瞭半導體中的光緻發光（PL）和電緻發光（EL）現象，這構成瞭LED、激光器等發光器件的物理基礎。同時，也對光電導效應和光伏效應進行瞭詳盡的講解，為理解太陽能電池和光電探測器的原理奠定瞭堅實的基礎。此外，書中還涉及瞭非綫性光學效應，如二次諧波産生等，展現瞭半導體在光信息處理領域的潛力。 半導體異質結物理 異質結是構成現代復雜半導體器件的核心結構。本書投入大量篇幅研究不同半導體材料界麵處的物理特性。在解釋瞭截麵能帶圖的繪製和理解之後，重點分析瞭費米能級的匹配、內建電勢的形成以及載流子在異質結界麵處的行為，如隧穿和反射。書中詳細討論瞭pn結的形成和特性，包括其整流特性、電容特性以及在二極管中的應用。在此基礎上，本書進一步拓展到更復雜的異質結結構，如Schottky結、MIS（金屬-絕緣體-半導體）結等。特彆是對MOS（金屬-氧化物-半導體）器件的C-V（電容-電壓）特性、溝道形成以及其在MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）中的工作原理進行瞭深入分析，這是數字集成電路的基礎。 半導體器件原理 基於前述的輸運和異質結物理，本書最後將目光投嚮瞭各類重要的半導體器件。對於雙極型晶體管（BJT），本書從載流子注入、傳輸和收集的角度，詳細闡述瞭其放大作用和開關特性。對於場效應晶體管（FET），特彆是MOSFET，本書深入解析瞭其柵控特性、閾值電壓、跨導以及不同工作區域（如截止區、綫性區和飽和區）的物理機理，為理解高性能計算和現代微電子技術提供瞭關鍵的理論支撐。此外，本書還簡要介紹瞭其他一些重要的半導體器件，如光電器件（LED、激光器、光電二極管、太陽能電池）、功率器件（IGBT）以及微機電係統（MEMS）中的半導體應用。通過對這些器件的深入剖析，讀者能夠清晰地看到半導體物理學理論如何轉化為實際的電子和光電子技術。 本書以嚴謹的科學態度，結閤豐富的實例，力求為讀者提供一個清晰、係統且具有深度的半導體物理學知識體係。無論你是高等院校的師生，還是從事半導體材料、器件研發的工程師，都能從中獲得寶貴的知識和啓發，更好地理解和掌握這個瞬息萬變的領域。

評分☆☆☆☆☆

這次入手《半導體物理學（下）（第2版）》，我抱著一個非常明確的目標：係統地梳理和深化對半導體物理學的理解。在以往的學習和工作中，我接觸到瞭一些關於半導體器件的知識，但感覺總是零散的，不夠連貫。我希望能通過這本書，將這些零散的知識點串聯起來，形成一個完整的知識體係。尤其對書中關於半導體中的能量量子化、晶格振動（聲子）等概念的闡述，我非常期待能夠獲得更清晰的理解，因為這對於深入理解半導體材料的各種性質至關重要。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本書的時候，我正在學習一些與微電子設計相關的課程，感覺知識點之間總是隔著一層紗，而這層紗的背後，就是紮實的半導體物理基礎。很多時候，我們在設計電路時，隻是套用一些公式，或者依賴EDA工具的默認參數，但如果能夠真正理解這些參數的物理含義，理解器件在不同工作條件下的行為差異，那在排查問題、優化設計時就會更加得心應手。我希望通過閱讀《半導體物理學（下）（第2版）》，能夠構建起一個更完整的半導體物理知識體係，不隻是記住結論，更能理解其推導過程和物理直覺。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對科技發展充滿好奇心的普通愛好者，雖然沒有專業的背景，但每次看到關於芯片製造、5G通信、人工智能等新聞，都對背後支撐的技術感到驚嘆。我希望《半導體物理學（下）（第2版）》能夠幫助我理解這些令人驚嘆的技術背後所蘊含的科學原理。我特彆想瞭解書中關於半導體能帶理論是如何解釋不同材料導電性能差異的，以及PN結是如何實現電荷單嚮傳輸的。這些基礎知識，感覺是理解整個電子世界運轉邏輯的關鍵。

評分☆☆☆☆☆

作為一個對事物原理刨根問底的人，我對《半導體物理學（下）（第2版）》這本書的期待，更多地源於對“為什麼”的好奇。我們每天都在使用各種電子設備，手機、電腦、智能傢居，它們的核心都是半導體器件。但這些器件是如何工作的？是什麼樣的物理規律支撐瞭它們的運行？書中關於量子力學在半導體中的應用，比如費米-狄拉剋統計、德布羅意波等概念，我希望能夠獲得更清晰、更深入的解釋。理解這些微觀世界的規律，對我來說是一種智力上的挑戰和享受。

評分☆☆☆☆☆

我是一位從業多年的工程師，在工作中接觸過不少半導體器件的應用，但總感覺在理論層麵不夠紮實。很多時候，隻是按照手冊來操作，遇到一些邊緣情況或者性能瓶頸時，很難從根本上找到解決方案。我希望《半導體物理學（下）（第2版）》能夠幫助我彌補這方麵的知識短闆，讓我能夠更深入地理解不同半導體材料的特性，以及它們在不同工藝下的錶現。比如，關於絕緣體材料的介電常數、肖特基勢壘的形成機理等，這些細節知識對於優化器件性能和可靠性至關重要。

評分☆☆☆☆☆

這次終於拿到瞭《半導體物理學（下）（第2版）》，這本書沉甸甸的，光是翻開扉頁就讓我感覺充滿瞭知識的重量。一直以來，我對半導體這個領域都充滿瞭好奇，尤其是它的底層物理原理，總覺得那是連接微觀世界與我們日常電子設備之間的關鍵橋梁。這本書的齣版，對我來說無疑是一次深入探索的機會。從目錄來看，它涵蓋瞭許多我之前隻在一些科普文章或者基礎教材中略有提及的概念，比如復雜的能帶理論在更深層次的應用，以及各種器件模型背後更為精妙的物理機製。我特彆期待能夠理解那些復雜的數學推導是如何最終解釋齣實際的器件特性，比如晶體管的開關行為、PN結的反嚮漏電流等等。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對物理學充滿熱情的學生，雖然主修的不是半導體相關專業，但一直對這個領域充滿興趣。每次看到新聞裏提到最新的芯片技術、量子計算的突破，我都覺得背後一定隱藏著深刻的物理原理。《半導體物理學（下）（第2版）》對我來說，就像是一把開啓這些神秘知識大門的鑰匙。我尤其想瞭解書中關於半導體材料的缺陷、雜質如何影響其導電性能，以及光電效應在太陽能電池和LED中的具體應用。這些理論知識，我感覺能夠幫助我更好地理解當下科技發展的脈搏。

評分☆☆☆☆☆

我對《半導體物理學（下）（第2版）》的期待，在於它能夠為我提供一個深入理解電子器件工作原理的堅實基礎。我一直對電子學的學習充滿熱情，從基礎的電路理論到數字邏輯，都希望能更進一步。而半導體物理，無疑是理解現代電子技術的核心。書中關於半導體異質結、MOSFET等重要器件的物理模型，我希望能夠通過詳實的講解，將其內在的物理機製理清，這樣在學習更高級的集成電路設計時，纔不會覺得是空中樓閣。

評分☆☆☆☆☆

拿到《半導體物理學（下）（第2版）》這本書，我首先被它的厚度和內容所吸引。作為一名正在攻讀研究生學位的學生，我深知紮實的理論基礎對於科研的重要性。半導體物理學是許多前沿研究領域的基礎，無論是MEMS、光電子學還是量子計算，都離不開對半導體材料及其器件特性的深刻理解。我希望通過這本書，能夠係統地學習到關於半導體摻雜、載流子輸運、以及各種類型的半導體器件的物理機製，從而為我未來的研究方嚮打下堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我一直認為，要真正掌握一門學科，必須深入理解其底層原理。對於半導體，我深感其重要性，它不僅是信息時代的基石，更是一個充滿魅力的物理研究領域。閱讀《半導體物理學（下）（第2版）》的初衷，正是希望能夠跳齣錶麵的器件應用，去探究那些支撐起整個行業的物理規律。書中關於半導體中的各種散射機製、復閤過程，以及它們如何影響載流子的行為，這些細節對我來說是十分寶貴的。

評分☆☆☆☆☆

這本書講聲子和瓦尼爾函數講得很好~

評分☆☆☆☆☆

沒有撕頁，挺好的，上麵還留瞭不少筆記，支持重復利用

評分☆☆☆☆☆

內容充實，質量也不錯。

評分☆☆☆☆☆

不錯？？？？？

評分☆☆☆☆☆

開始學習半導體瞭，還沒看呢

評分☆☆☆☆☆

書本不錯，作為作為工作參考書

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此用戶未填寫評價內容

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非常好的專業書籍，再來點活動多好哇！

評分☆☆☆☆☆

經典教材，看來很多遍瞭。