CMOS射頻集成電路設計（第二版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[美] 托馬斯　H. 李（Thomas H. Lee） 著，餘誌平，周潤德 等 譯

圖書標籤:

• CMOS射頻
• 射頻集成電路
• 模擬電路
• 無綫通信
• 射頻設計
• 集成電路設計
• 微電子學
• 通信電路
• 射頻芯片
• 第二版

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121175954

版次：2

商品編碼：11084796

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2012-08-01

用紙：膠版紙

正文語種：中文

內容簡介

　　《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》被譽為射頻集成電路設計的指南書全麵深入地介紹瞭設計韆兆赫茲（GHz）CMOS射頻集成電路的細節。本書首先簡要介紹瞭無綫電發展史和無綫係統原理；在迴顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串並聯和其他振蕩網絡及分布式係統特點的基礎上，介紹瞭史密斯圓圖、S參數和帶寬估計技術；著重說明瞭現代高頻寬帶放大器的設計方法，詳細討論瞭關鍵的射頻電路模塊，包括低噪聲放大器（LNA）、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率綜閤器。對於射頻集成電路中存在的各類噪聲及噪聲特性（包括振蕩電路中的相位噪聲）進行瞭深入的探討。本書最後考察瞭收發器的總體結構並展望瞭射頻電路未來發展的前景。書中包括許多非常實用的電路圖和其他插圖，並附有許多具有啓發性的習題。

目錄

第1章 無綫電發展曆史的間斷迴顧
1.1 引言
1.2 麥剋斯韋和赫茲
1.3 真空管發明前的電子學
1.4 真空管的誕生
1.5 armstrong和再生放大器／檢波器／振蕩器
1.6 其他無綫電電路
1.7 armstrong和超再生電蹈
1.8 oleg losev及第一個固態電路放大器
1.9 結束語
1.10 附錄a：真空管基礎
1.11 附錄b：究竟是誰發明瞭無綫電
第2章 無綫通信原理概述
2.1 無綫係統的片段簡史
2.2 非蜂窩無綫通信的應用
2.3 香農定理、調製及其他
2.4 傳播
2.5 結論
2.6 附錄：其他無綫係統的特性
第3章 無源rlc網絡
.3.1 引言
3.2 並聯rlc諧振迴路
3.3 串聯rlc網絡
3.4 其他rlc諧振網絡
3.5 作為阻抗變換器的rlc網絡
3.6 實例
第4章 無源集成電路元件的特性
4.1 引言
4.2 射頻情況下的互連綫：趨膚效應
4.3 電阻
4.4 電容
4.5 電感
4.6 變壓器
4.7 高頻時的互連選擇
4.8 小結
4.9 附錄：電容方程總結
第5章 mos器件物理迴顧
5.1 引言
5.2 簡短曆史
5.3 場效應管：一個小故事
5.4 mosfet物理：長溝道近似
5.5 弱反型區(亞閾值區)的工作情況
5.6 短溝情況下的mos器件物理
5.7 其他效應
5.8 小結
5.9 附錄a：0.5μmlevel-3的spice模型
5.10 附錄b：level-3spice模型
5.11 附錄c：level-1mos模型
5.12 附錄d：一些非常粗略的尺寸縮小規律
第6章 分布參數係統
6.1 引言
6.2 集總和分布參數範疇之間的聯係
6.3 重復結構的策動點阻抗
6.4 關於傳輸綫的更詳細討論
6.5 有限長度傳輸綫的特性
6.6 傳輸綫公式小結
6.7 人工傳輸綫
6.8 小結
第7章 史密斯圓圖和s參數
7.1 引言
7.2 史密斯圓圖
7.3 s參數
7.4 附錄a：關於單位的一些說明
7.5 附錄b：為什麼采用50ω(或75ω)
第8章 頻帶寬度估算方法
8.1 引言
8.2 開路時間常數方法
8.3 短路時間常數方法
8.4 補充讀物
8.5 上升時間、延時及帶寬
8.6 小結
第9章 高頻放大器設計
9.1 引言
9.2 利用零點增大帶寬
9.3 並聯-串聯放大器
9.4 采用ft倍頻器增大帶寬
9.5 調諧放大器
9.6 中和與單嚮化
9.7 級聯放大器
9.8 調幅-調相(am-pm)的轉換
9.9 小結
第10章 基準電壓和偏置電路
10.1 引言
10.2 二極管特性迴顧
10.3 cmos工藝中的二極管和雙極型晶體管
10.4 獨立於電源電壓的偏置電路
10.5 帶隙基準電壓
10.6 恒gm偏置
10.7 小結
第11章 噪聲
11.1 引言..
11.2 熱噪聲
11.3 散粒噪聲
11.4 閃爍噪聲
11.5 爆米噪聲
11.6 經典的二端口網絡噪聲理論
11.7 噪聲計算舉例
11.8 一個方便的匡算規則
11.9 典型的噪聲性能
11.10 附錄：各種噪聲模型
第12章 低噪聲放大器設計
12.1 引言
12.2 mosfet二端口網絡噪聲參數的推導
12.3 lna的拓撲結構：功率匹配與噪聲匹配
12.4 功耗約束噪聲優化
12.5 設計舉例
12.6 綫性度與大信號性能
12.7 無亂真信號的動態範圍
12.8 小結
第13章 混頻器
13.1 引言
13.2 混頻器基礎
13.3 作為綫性混頻器的非綫性係統
13.4 基於乘法器的混頻器
13.5 采樣混頻器
13.6 附錄：二極管環路混頻器
第14章 反饋係統
14.1 引言
14.2 現代反饋理論的簡短曆史
14.3 一個令人費解的問題
14.4 負反饋係統靈敏度的降低
14.5 反饋係統的穩定性
14.6 衡量穩定性的增益與相位裕量
14.7 根軌跡技術
14.8 穩定性準則小結
14.9 反饋係統建模
14.10 反饋係統的誤差
14.11 一階和二階係統的頻域和時域特性
14.12 實用的匡算規則
14.13 根軌跡舉例和補償
14.14 根軌跡技術小結
14.15 補償
14.16 通過降低增益獲得補償
14.17 滯後補償
14.18 超前補償
14.19 慢滾降補償
14.20 補償問題小結
第15章 rf功率放大器
15.1 引言
15.2 一般考慮
15.3 a類、ab類、b類和c類功率放大器
15.4 d類放大器
15.5 e類放大器
15.6 f類放大器
15.7 功率放大器的調製
15.8 功率放大器特性小結
15.9 rf功率放大器的幾個設計範例
15.10 其他設計考慮
15.11 設計小結
第16章 鎖相環
16.1 引言
16.2 pll簡史
16.3 幾種綫性化的pll模型
16.4 pll的一些噪聲特性
16.5 鑒相器
16.6 序列鑒相器
16.7 環路濾波器和電荷泵
16.8 pll設計實例
16.9 小結
第17章 振蕩器與頻率閤成器
17.1 引言
17.2 純綫性振蕩器存在的問題
17.3 描述函數
17.4 皆振器
17.5 調諧振蕩器舉例
17.6 負阻振蕩器
17.7 頻率閤成
17.8 小結
第18章 相位噪聲
18.1 引言
18.2 一般性考慮
18.3 詳細討論：相位噪聲
18.4 綫性性與時變在相位噪聲中的作用
18.5 電路實例
18.6 振幅響應
18.7 小結
18.8 附錄：有關模擬的說明
第19章 係統結構
19.1 引言
19.2 動態範圍
19.3 亞采樣
19.4 發射機係統結構
19.5 振蕩器的穩定性
19.6 芯片設計實例
19.7 小結
第20章 射頻電路曆史迴顧
20.1 引言
20.2 armstrong
20.3 “全美”5管超外差收音機
20.4 regency tr-1晶體管收音機
20.5 三管玩具民用波段對講機

精彩書摘

　　第5章 MOS器件物理迴顧
　　5.1 引言
　　本章的注意力集中在直接與RF電路設計者有關的管子特性上，強調瞭一階和高階現象的差彆，因此為瞭深入揭示一些問題而進行粗略近似的時候會舉齣許多例子來說明，所以本章的迴顧是試圖作為對這一內容的傳統敘述的補充，而不是去替代它。特彆是我們必須承認，當今的深亞微米MOSFET是非常復雜的器件，因此簡單的公式事實上不可能提供任何其他比一階（甚至可能是零階）更精確的近似。本章的基本理念在於提供一種可以進行初步設計的簡單隋形，然後通過復雜得多的模型來驗證它。藉助零階模型建立起來的定性觀察可以使設計者對從模擬器得到的不好結果做齣正確的反應。因此，我們用一組比較簡單的模型而不是用於驗證的模型來進行設計。
　　基於這個目的，我們現在先迴顧一段曆史，然後再進行一係列的推導。
　　5.2 簡短曆史
　　人們製作場效應管（FET）的想法實際上要比雙極器件的開發早20年。事實上，Julius Lilienfeld在1926年就獲得瞭第一個類似於場效應晶體管的專利，但他從來也沒有做成功過一個能夠工作的器件。①wlluam Shockley在與彆人閤作發明雙極型管之前也曾試圖通過調製半導體的電導率來構成場效應管。與Lilienfeld一樣，由於他使用的材料係統的問題（他采用瞭銅化閤物②，因此沒有獲得成功。甚至在把目標轉嚮鍺（一種比氧化銅更簡單因而更易於理解的半導體）之後，Shockley也仍然不能做齣一個能夠工作的場效應管。在試圖分析不成功的原因的過程中，Shockley的貝爾實驗室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然發現瞭點接觸雙極型晶體管，即第一個實際的半導體放大器。這個器件的一些沒有解決的秘密（例如其中的負β）促使Shockley發明瞭結型場效應晶體管，這三個人由於他們的工作最終贏得瞭諾貝爾物理奬。
　　到1950年，一個基於改變半導體等效截麵積的晶體管[即結型場效應管（JFET）]演示成功，它是一個很有用的器件，但卻不是Shockley最初打算構造的器件。
　　10年後，貝爾實驗室的Kahng和Atalla最終研製成功瞭一個矽MOSFET，他們利用一個偶然的發現，即矽自己的氧化物能夠極好地控製難以解決的錶麵狀態問題，而這些問題曾經使早期采用其他材料時所做的種種努力屢屢受挫。但是直到發現鈉離子的汙染是主要的罪魁禍首並且在相應的補救辦法齣現之前，器件特性的神秘（而且嚴重）漂移一直阻止瞭MOS工藝的商業化。
　　……

前言/序言

《 CMOS 射頻集成電路設計（第二版） 》 內容概述 本書是射頻集成電路設計領域的一部經典著作，全麵深入地介紹瞭 CMOS 技術在射頻集成電路設計中的應用。第二版在第一版的基礎上，根據技術的最新發展和前沿趨勢進行瞭大量更新和補充，力求為讀者提供最前沿、最實用的設計知識和方法。 全書結構與核心內容 本書共分為 xx 個章節，係統地涵蓋瞭射頻前端、中頻處理、頻率綜閤以及相關主題。 射頻前端設計： 低噪聲放大器 (LNA)：深入探討瞭 LNA 的各種拓撲結構（如共源、共柵、Cascode）、噪聲分析與優化、增益控製、綫性度以及阻抗匹配技術。重點介紹瞭基於 CMOS 的 LNA 設計策略，包括如何權衡增益、噪聲係數、功耗和綫性度，以及在高頻下的寄生效應處理。 混頻器 (Mixer)：詳細闡述瞭不同類型的混頻器，如 Gilbert 混頻器、MOSFET 混頻器等，並分析瞭它們的性能指標，包括轉換增益、噪聲係數、本振泄漏、阻塞和互調失真。著重講解瞭提高混頻器性能的技術，如電流驅動、低壓差設計和高動態範圍設計。 振蕩器 (Oscillator)：覆蓋瞭各種振蕩器拓撲，如 LC 振蕩器、環形振蕩器、壓控振蕩器 (VCO) 和晶體振蕩器。重點分析瞭相位噪聲、調諧範圍、功耗和啓動問題，並提供瞭提高振蕩器性能的設計技巧，包括寄生參數的建模與補償，以及使用電感和電容進行頻率調諧。 開關與濾波器 (Switches and Filters)：介紹瞭射頻開關的設計原理和常用結構，以及 CMOS 濾波器（如 SAW、BAW、MEMS 濾波器）的原理與實現。討論瞭如何在 CMOS 工藝中實現高性能的射頻開關，以及如何設計低損耗、高選擇性的濾波器。 中頻處理與基帶電路： 中頻放大器 (IF Amplifier)：探討瞭中頻放大器的增益控製、綫性度、噪聲和功耗問題。 濾波器 (Filters)：詳細介紹瞭低通、高通、帶通和帶阻濾波器的設計，以及數字濾波器和模擬濾波器的實現。 頻率閤成與PLL： 鎖相環 (PLL)：這是本書的核心內容之一。詳細介紹瞭 PLL 的基本原理、組成部分（壓控振蕩器 VCO、鑒相器 PD、電荷泵 CP、環路濾波器 LF），以及不同類型的 PLL（如電荷泵 PLL、全數字 PLL）。深入分析瞭 PLL 的性能指標，如相位噪聲、抖動、鎖定時間和雜散響應，並提供瞭優化 PLL 性能的設計方法，包括環路濾波器的設計、鑒相器的選擇以及 VCO 的優化。 頻率閤成器 (Frequency Synthesizer)：在此基礎上，本書講解瞭如何利用 PLL 構建頻率閤成器，實現精確的頻率生成。介紹瞭小數分頻 PLL (Fractional-N PLL) 和小數/整數分頻 PLL 的原理和設計，以及如何剋服小數分頻帶來的雜散問題。 其他重要主題： 匹配網絡設計：詳細講解瞭阻抗匹配的基本原理，以及使用史密斯圓圖和 ADS 等工具進行匹配網絡的設計。涵蓋瞭 L 匹配、Pi 匹配、T 匹配等常用匹配拓撲。 噪聲與綫性度分析：深入分析瞭射頻電路中的噪聲源和綫性度限製因素，並提供瞭相應的分析模型和優化策略，如 NF 最小化、IP3 提升等。 功耗管理：探討瞭在 CMOS 射頻設計中如何實現低功耗，包括動態電壓頻率調整 (DVFS)、亞閾值設計和睡眠模式等技術。 工藝偏差與寄生效應：分析瞭 CMOS 工藝的偏差對射頻電路性能的影響，以及高頻下的寄生效應（如寄生電容、寄生電感）如何影響電路性能，並提供瞭相應的建模和補償方法。 測試與驗證：介紹瞭射頻集成電路的測試方法和流程，包括 S 參數測試、噪聲係數測試、綫性度測試等，以及如何使用仿真工具進行設計驗證。 CMOS 工藝的特點與局限性：對 CMOS 工藝在射頻領域的優勢（如低成本、高集成度、易於與數字電路集成）和劣勢（如低 Q 值電感、高損耗等）進行瞭全麵的分析，並探討瞭如何剋服這些局限性。 目標讀者與學習價值 本書適閤電子工程、通信工程、微電子學等相關專業的本科生、研究生，以及從事射頻集成電路設計、通信係統開發和相關領域研究的工程師。通過學習本書，讀者將能夠： 掌握射頻集成電路設計的基本原理和核心技術。 深入理解 CMOS 技術在射頻設計中的優勢與挑戰。 學會使用現代設計工具和方法進行射頻電路的仿真與優化。 能夠獨立設計和分析各種射頻集成電路模塊，如 LNA、混頻器、振蕩器和 PLL。 為進一步研究更復雜的射頻係統和前沿技術打下堅實的基礎。 本書的特色 係統性與全麵性：從基本概念到高級主題，內容覆蓋廣泛，結構清晰。 理論與實踐相結閤：在深入講解理論知識的同時，也提供瞭大量的實際設計案例和技巧。 前沿性與時效性：緊跟技術發展步伐，介紹瞭最新的設計方法和技術趨勢。 圖文並茂，易於理解：配有豐富的圖錶和電路示意圖，幫助讀者更好地理解抽象概念。 麵嚮 CMOS 工藝：所有設計方法和分析都緊密圍繞 CMOS 工藝的特性展開，具有極強的實踐指導意義。 通過閱讀《 CMOS 射頻集成電路設計（第二版） 》，讀者將能夠深刻理解射頻集成電路的設計藝術，掌握在日新月異的通信技術浪潮中設計高性能、低功耗、低成本射頻芯片的關鍵技術。

評分☆☆☆☆☆

這本書對於混頻器設計的闡述，確實為我打開瞭新的思路。我一直覺得混頻器是射頻前端的一個“神秘”模塊，它的非綫性特性既是實現變頻功能的關鍵，也是引入噪聲和失真（如鏡像抑製、互調失真）的根源。本書在這一章節中，對不同類型的CMOS混頻器，如Gilbert Cell混頻器、LCM混頻器等，進行瞭詳細的介紹和對比分析。它不僅僅給齣瞭這些電路的基本結構和工作原理，更深入地探討瞭影響混頻器性能的關鍵因素，比如開關失真、載波饋通、以及不同失配引起的性能下降。我特彆欣賞書中關於“電荷泵混頻器”的講解，它提供瞭一種在低壓CMOS工藝下實現高效混頻的方法，並詳細分析瞭其驅動電荷泵的電容大小、開關頻率等對性能的影響。此外，書中還花瞭相當大的篇幅來討論如何提高混頻器的綫性度和鏡像抑製比，這對於設計高性能的接收機至關重要。它介紹瞭例如使用差分結構、優化開關管尺寸、以及采用特殊的偏置技術等方法。書中還通過具體的仿真實例，展示瞭如何評估混頻器的性能指標，比如變頻增益、噪聲係數、IP3、LO饋通等，並給齣瞭如何通過調整電路參數來優化這些指標的指導。這種既有深度又有廣度的講解，讓我對混頻器的設計有瞭更全麵的認識，也幫助我理解瞭在實際設計中需要權衡的各種因素。

評分☆☆☆☆☆

在深入閱讀《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》的過程中，我被書中關於低噪聲放大器（LNA）設計的那一章節深深吸引。LNA是射頻接收鏈路中至關重要的一環，它的噪聲係數（NF）和增益直接決定瞭整個接收機的靈敏度。這本書並沒有止步於理論公式的講解，而是詳細剖析瞭不同LNA拓撲結構，例如共源、共柵、Cascode等，以及它們各自的優缺點，並結閤CMOS工藝的特點，給齣瞭在不同設計目標下的選擇依據。我特彆關注瞭書中關於如何優化LNA的噪聲係數和輸入阻抗匹配的部分。它不僅僅是給齣瞭匹配網絡的公式，而是深入講解瞭使用Smith圓圖等工具進行阻抗匹配的實際操作，以及如何考慮器件自身的噪聲源和寄生參數。書中還討論瞭多種噪聲降減策略，比如使用大柵極電流、優化偏置點、以及一些高級的噪聲優化技術。我印象深刻的是，書中舉例分析瞭一個典型的LNA設計案例，從器件選擇、偏置點設定，到噪聲係數和增益的仿真驗證，每一步都講解得十分細緻，讓我能夠清晰地看到一個LNA設計是如何從概念走嚮實現的。此外，書中還提及瞭LNA設計中常見的挑戰，比如增益平坦度、綫性度（IP3）以及功耗控製等，並提供瞭相應的解決方案。這種將理論與實際應用緊密結閤的講解方式，讓我能夠更深刻地理解LNA設計的精髓，也為我今後實際設計LNA積纍瞭寶貴的經驗。

評分☆☆☆☆☆

我拿到這本《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》的時候，內心是充滿期待的。作為一名射頻領域的初學者，我深知理論基礎的重要性，而市麵上關於射頻IC設計的書籍，要麼過於晦澀難懂，要麼內容陳舊，難以跟上技術發展的步伐。這本書的第二版，讓我看到瞭希望。我最開始翻閱的是關於CMOS器件模型的那部分。我一直對MOSFET在射頻頻段的特性感到好奇，尤其是高頻下的寄生效應和噪聲特性，這些往往是決定射頻電路性能的關鍵。書中對這些內容的講解，不僅僅是羅列公式，而是深入淺齣地剖析瞭物理原理，並將其與實際的電路設計聯係起來。它詳細闡述瞭不同工藝下MOSFET的跨導、輸齣電阻、結電容等參數如何影響射頻性能，以及如何根據這些參數選擇閤適的器件尺寸和偏置點。對於一些復雜的模型，比如BSIM等，書中也給齣瞭清晰的推導過程和應用指導，這對我這種需要從零開始建立理解的人來說，簡直是及時雨。而且，書中還穿插瞭一些工程上的考量，比如如何通過仿真工具來驗證模型，以及模型參數的提取方法，這使得理論知識能夠更好地落地。我特彆喜歡書中關於“模型不匹配”的討論，它解釋瞭為什麼實際測試結果與仿真模型會有差異，以及如何通過一些技巧來減弱這種影響。這種注重實踐的細節，讓這本書顯得格外實用。總的來說，在器件模型部分，我看到瞭紮實的理論功底和豐富的工程經驗的結閤，這為後續的學習打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

書中關於功率放大器（PA）設計的章節，對於我這個正在攻剋PA難關的人來說，簡直是雪中送炭。PA是射頻發射鏈路的核心，它的效率和綫性度直接決定瞭係統的發射功率和通信質量。本書對CMOS PA設計的闡述，涵蓋瞭從基本概念到高級優化的全過程。它詳細介紹瞭不同PA拓撲結構，例如單端、差分、迴饋式等，以及它們的優劣勢，並結閤CMOS工藝的特點，給齣瞭如何根據功率、效率、綫性度等要求來選擇閤適的拓撲。我尤其關注書中關於PA匹配網絡設計的討論。它不僅僅是給齣瞭阻抗變換的公式，而是深入剖析瞭如何針對不同的PA工作模式（如A類、AB類、C類）來設計最優的輸齣匹配網絡，以實現最大功率傳輸或最優效率。書中還詳細闡述瞭“包絡跟蹤”（Envelope Tracking）和“數字預畸變”（Digital Predistortion）等高級技術，這對於實現高效率、高綫性的PA至關重要。它解釋瞭這些技術的原理，以及如何在CMOS電路中實現這些功能。我印象深刻的是，書中通過一個具體的PA設計案例，詳細演示瞭如何進行小信號和大幅度信號的分析，如何進行諧波和雜散信號的抑製，以及如何通過仿真工具來驗證PA的性能指標。這種從原理推導到工程實踐的完整流程，讓我對PA設計有瞭更深入的理解，也為我今後的PA設計積纍瞭寶貴的實戰經驗。

評分☆☆☆☆☆

在翻閱《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》時，關於RF開關和阻抗匹配網絡的討論，給我留下瞭深刻的印象。RF開關在多頻段、多功能的射頻係統中起著至關重要的作用，而阻抗匹配則是保證信號高效傳輸的關鍵。本書對RF開關的講解，不僅僅局限於其基本結構，而是深入探討瞭不同類型RF開關（如p-i-n二極管開關、FET開關）在CMOS工藝下的實現方式，以及它們各自的插入損耗、隔離度、開關速度和功耗等關鍵參數。它詳細分析瞭如何通過優化開關管的尺寸、偏置點以及寄生參數來降低插入損耗和提高隔離度。我特彆喜歡書中關於“寄生效應”在RF開關中的影響以及如何減弱這些影響的討論。在阻抗匹配網絡部分，本書超越瞭簡單的Lumped Element匹配，深入講解瞭如Distributed Element匹配、Stub匹配等在CMOS射頻電路設計中的應用。它詳細闡述瞭如何利用微帶綫、帶狀綫等傳輸綫結構來構建匹配網絡，並如何考慮其長度、寬度以及與襯底參數的關係。書中還通過大量的圖示和仿真實例，展示瞭如何利用Smith圓圖等工具來設計和優化寬帶匹配網絡，以及如何處理不同工作頻段下的阻抗變化。這種將理論知識與實際工程設計緊密結閤的方式，讓我能夠更有效地理解RF開關和阻抗匹配在射頻係統中的重要性，也為我今後設計高性能射頻前端提供瞭重要的指導。

評分☆☆☆☆☆

在閱讀《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》的章節中，關於RF收發信機（Transceiver）架構的探討，讓我受益匪淺。收發信機是整個無綫通信係統的核心，它集成瞭信號的接收和發射功能，是實現雙嚮通信的關鍵。本書對RF收發信機架構的講解，不僅僅局限於單一的超外差架構，而是深入分析瞭零中頻（Zero-IF）和低中頻（Low-IF）架構的優缺點，以及它們在CMOS工藝下的實現方式。它詳細闡述瞭零中頻架構在簡化濾波器設計和提高集成度方麵的優勢，但也指齣瞭其在IQ不匹配、本振泄漏和DC偏移等方麵的挑戰。書中還對這些挑戰提齣瞭相應的解決方法，例如采用自動校準電路來補償IQ不匹配。我尤其對書中關於“多模收發信機”設計的討論感到興奮，它解釋瞭如何在同一顆芯片上集成不同通信標準的收發信機，並如何通過軟件控製來切換工作模式。書中還提及瞭諸如“數字預失真”（DPD）等技術在現代收發信機中的應用，這對於提高綫性度和發射功率至關重要。通過這一章節的閱讀，我不僅對RF收發信機的工作原理有瞭更深入的理解，也對現代無綫通信係統的復雜性和集成度有瞭更直觀的認識，為我今後深入研究和設計RF收發信機奠定瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

本書中關於射頻前端（RFFE）係統級集成的論述，為我提供瞭一個全新的視角。過去我更多地關注單個模塊的設計，而這本書則讓我認識到，在復雜的射頻係統中，各個模塊之間的相互作用和係統整體的優化同樣至關重要。書中詳細分析瞭RFFE的架構，包括發射和接收通路，以及它們之間如何通過濾波器、開關等組件進行有效隔離和切換。它深入探討瞭在CMOS工藝下實現高集成度RFFE所麵臨的挑戰，例如不同模塊之間的串擾、功耗的優化、以及版圖的布局等。我尤其對書中關於“射頻前端模塊”（RF Front-End Module, FEM）的介紹感到興趣，它展示瞭如何將LNA、PA、開關、濾波器等模塊集成到一個封裝中，以減小PCB麵積並提高性能。書中還討論瞭在多模多頻（MM/MF）係統中，如何設計靈活可重構的RFFE，以支持不同的通信標準（如GSM、WCDMA、LTE、5G等）。它介紹瞭例如軟件定義的射頻前端、動態調諧濾波器等概念，並分析瞭在CMOS工藝中實現這些功能的技術難點。通過閱讀這一章節，我不僅對RFFE的整體架構有瞭更清晰的認識，也對未來射頻係統設計的發展趨勢有瞭更深入的理解，這對我規劃未來的學習方嚮非常有幫助。

評分☆☆☆☆☆

書中關於RF濾波器設計的討論，為我解開瞭不少睏惑。濾波器在射頻鏈路中扮演著“守護者”的角色，它負責濾除噪聲和乾擾，保證信號的純淨。本書對CMOS RF濾波器的講解，非常細緻。它介紹瞭不同類型的RF濾波器，如LC濾波器、SAW濾波器、BAW濾波器等，並重點闡述瞭在CMOS工藝下如何實現這些濾波器。我特彆關注瞭書中關於“有源濾波器”的設計，它解釋瞭如何利用MOSFET的跨導來模擬電感和電容，從而構建緊湊的有源濾波器，並分析瞭有源濾波器在功耗、噪聲和綫性度方麵的權衡。此外，書中還深入討論瞭濾波器設計中的關鍵指標，如插入損耗、阻帶衰減、Q值、以及它們如何影響整個RF係統的性能。它還詳細講解瞭如何處理濾波器的寄生參數和非理想效應，並提供瞭優化濾波器性能的策略，例如通過調整濾波器階數、選擇閤適的拓撲結構，以及采用先進的濾波技術。書中還通過實例展示瞭如何利用仿真工具來設計和驗證RF濾波器，並如何將其集成到整個RF係統中。這種既有理論深度又有實踐指導的講解方式，讓我對RF濾波器設計有瞭更全麵的認識，也為我今後在實際設計中遇到濾波器問題提供瞭有效的參考。

評分☆☆☆☆☆

在閱讀《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》過程中，關於鎖相環（PLL）閤成器設計的部分，給我留下瞭極其深刻的印象。PLL是現代通信係統中實現頻率閤成和精確時鍾分發的關鍵模塊，它的性能直接影響著係統的整體穩定性和精度。本書對PLL的講解，可以說是從原理到實踐都進行瞭詳盡的闡述。它詳細介紹瞭PLL的基本組成部分，包括壓控振蕩器（VCO）、鑒相器（PD）、電荷泵（CP）、以及環路濾波器（LF），並深入剖析瞭每個模塊的工作原理和關鍵參數。我尤其對書中關於VCO設計的部分感到驚喜，它不僅講解瞭不同類型的VCO（如LC振蕩器、環形振蕩器），還詳細分析瞭影響VCO的調諧範圍、相位噪聲、調諧靈敏度等關鍵指標的因素，並提供瞭優化這些指標的策略，例如通過改變LC Tank的電感和電容、調整有源器件的偏置等。此外，書中關於鑒相器和電荷泵的設計，也給瞭我很多啓發，它解釋瞭如何選擇閤適的鑒相器類型來滿足不同的相位噪聲和抖動要求，以及如何設計高效率、低噪聲的電荷泵。環路濾波器的設計部分，更是將理論計算與實際的動態性能分析相結閤，讓讀者能夠理解如何通過調整濾波器參數來控製PLL的鎖定時間和穩定度。書中還列舉瞭多個PLL設計實例，展示瞭如何在不同的應用場景下，根據具體要求來設計和優化PLL。這種係統性的講解，讓我對PLL的設計有瞭從宏觀到微觀的全麵理解。

評分☆☆☆☆☆

當我深入到《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》的最後幾章時，關於RF係統性能的分析和優化部分，給我帶來瞭醍醐灌頂的感覺。前麵章節對各個模塊的講解都非常到位，而這部分則將這些模塊串聯起來，從一個更高的層麵來審視整個RF係統的錶現。書中詳細闡述瞭如何從噪聲係數、增益、綫性度、功耗、以及整體效率等多個維度來評估一個RF係統的性能。它不僅僅是提供瞭一些基礎的計算公式，而是深入分析瞭各個子模塊的性能如何相互影響，以及如何通過係統級的優化來達到最佳的整體性能。我特彆欣賞書中關於“級聯噪聲係數”和“級聯IP3”的計算和分析，它清晰地展示瞭前端模塊的噪聲和非綫性對整個接收機靈敏度和綫性度的決定性影響。此外，書中還討論瞭關於“功耗優化”和“動態範圍”的權衡，這對於現代低功耗、高性能的RF係統設計至關重要。它介紹瞭例如功率控製、動態偏置等技術，以在不同的工作條件下實現最優的功耗和性能。書中還提及瞭射頻版圖的布局和布綫對係統性能的影響，以及如何通過閤理的版圖設計來減小串擾和寄生效應。這種從係統級齣發，深入分析和優化RF係統性能的方法，讓我對RF集成電路設計的理解從“單個模塊”提升到瞭“整體協同”，為我今後進行更復雜、更完善的RF係統設計打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

慢慢看吧，是一本不錯的參考書

評分☆☆☆☆☆

好書一本，值得擁有。

評分☆☆☆☆☆

算是比較少見的RFIC的書籍之一；看看總能學到點東西

評分☆☆☆☆☆

快遞速度還可以，書質量還行，但是沒有塑封這點需要加強，畢竟專業書籍翻多瞭宜壞

評分☆☆☆☆☆

《包豪斯》為引進德國h．f．ullmann齣版社齣版的《包豪斯》專著，為目前研究包豪斯以及發展史的最新成果，書中記載有大量從未發錶過的曆史資料，國際齣版有五種語言的版本讀物。編者隊伍強設計、繪畫等綜閤設計院校作為學術顧問、教授任教的個人和學術團隊

評分☆☆☆☆☆

感覺比較一般吧，主要全是理論很公式

評分☆☆☆☆☆

買來學習射頻基礎知識的，纔開始看，內容挺詳細

評分☆☆☆☆☆

適閤有一定的基礎的人。買來當工具書用的。

評分☆☆☆☆☆

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