微電子概論（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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郝躍 著

圖書標籤:

• 微電子學
• 集成電路
• 模擬電路
• 數字電路
• 半導體
• 電子技術
• 電路分析
• 器件物理
• 電子工程
• 教材

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121137853

版次：1

商品編碼：10795462

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2011-06-01

用紙：膠版紙

頁數：268

內容簡介

　　《微電子概論（第2版）》係普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。《微電子概論（第2版）》共6章，以矽集成電路為中心，重點介紹半導體集成器件物理基礎、集成電路製造基本工藝及其發展、集成電路設計和微電子係統設計、集成電路計算機輔助設計（CAD）。
　　 　　《微電子概論（第2版）》適用於非微電子專業的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生的教材，也可供從事綫路和係統集成化工作的技術人員參考，特彆是對於將要從事集成化工作的非微電子專業畢業的工程技術人員，《微電子概論（第2版）》更是一本閤適的入門教材。

目錄

第1章 概論
1.1 微電子技術和集成電路的發展曆程
1.1.1 微電子技術與半導體集成電路
1.1.2 發展曆程
1.1.3 發展特點和技術經濟規律
1.2 集成電路的分類
1.2.1 按電路功能分類
1.2.2 按電路結構分類
1.2.3 按有源器件結構和工藝分類
1.2.4 按電路的規模分類
1.3 集成電路製造特點和本書學習要點
1.3.1 電路係統設計
1.3.2 版圖設計和優化
1.3.3 集成電路的加工製造
1.3.4 集成電路的封裝
1.3.5 集成電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
2.1 半導體及其能帶模型
2.1.1 半導體及其共價鍵結構
2.1.2 半導體的能帶模型
2.1.3 費米分布函數
2.2 半導體導電性與半導體方程
2.2.1 本徵半導體
2.2.2 非本徵載流子
2.2.3 半導體中的電流
2.2.4 非平衡載流子與載流子壽命
2.2.5 半導體基本方程
2.3 pn結和pn結二極管
2.3.1 平衡狀態下的pn結
2.3.2 pn結的單嚮導電性
2.3.3 pn結直流伏安特性
2.3.4 pn結二極管的交流小信號特性
2.3.5 pn結擊穿
2.3.6 二極管等效電路模型和二極管應用
2.3.7 pn結應用
2.3.8 其他半導體二極管
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極晶體管的直流放大原理
2.4.2 影響晶體管直流特性的其他因素
2.4.3 晶體管的擊穿電壓
2.4.4 晶體管的頻率特性
2.4.5 晶體管的功率特性
2.4.6 晶體管模型和模型參數
2.5 JFET與MESFET器件基礎
2.5.1 器件結構與電流控製原理
2.5.2 JFET直流輸齣特性的定性分析
2.5.3 JFET的直流轉移特性
2.5.4 JFET直流特性定量錶達式
2.5.5 JFET的器件類型和電路符號
2.5.6 JFET等效電路和模型參數
2.6 MOS場效應晶體管
2.6.1 MOS晶體管結構
2.6.2 MOS晶體管工作原理
2.6.3 MOS晶體管直流伏安特性定量結果
2.6.4 MOS晶體管的閾值電壓
2.6.5 4種類型MOS晶體管的對比分析
2.6.6 MOS晶體管模型和模型參數
2.6.7 影響MOSFET器件特性的非理想因素
2.6.8 CMOS晶體管
2.6.9 現代IC中的先進MOS結構
2.7 異質結半導體器件
2.7.1 異質結
2.7.2 異質結雙極晶體管（HBT）
2.7.3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
練習
第3章 集成電路製造工藝
3.1 矽平麵工藝基本流程
3.1.1 平麵工藝的基本概念
3.1.2 pn結隔離雙極IC工藝基本流程
3.1.3 平麵工藝中的基本工藝
3.2 氧化工藝
3.2.1 SiO2薄膜在集成電路中的作用
3.2.2 SiO2生長方法
3.2.3 氮化矽薄膜的製備
3.2.4 SiO2膜質量要求和檢驗方法
3.2.5 氧化技術麵臨的挑戰
3.3 摻雜方法之一--擴散工藝
3.3.1 擴散原理
3.3.2 常用擴散方法簡介
3.3.3 擴散層質量檢測
3.3.4 擴散工藝與集成電路設計的關係
3.4 摻雜方法之二--離子注入技術
3.4.1 離子注入技術的特點
3.4.2 離子注入設備
3.4.3 離子注入退火
3.4.4 離子注入雜質分布
3.5 光刻和刻蝕工藝
3.5.1 光刻工藝的特徵尺寸--工藝水平的標誌
3.5.2 光刻和刻蝕工藝基本過程
3.5.3 超微細圖形的光刻技術
3.6 製版工藝
3.6.1 集成電路生産對光刻版的質量要求
3.6.2 製版工藝過程
3.6.3 光刻掩膜版的檢查
3.7 外延工藝
3.7.1 外延生長原理
3.7.2 外延層質量要求
3.7.3 分子束外延生長技術
3.8 金屬化工藝
3.8.1 金屬材料的選用
3.8.2 金屬化互連係統結構
3.8.3 金屬層澱積工藝
3.8.4 平麵化
3.8.5 閤金化
3.9 引綫封裝
3.9.1 後工序加工流程
3.9.2 超聲鍵閤
3.9.2 封裝
3.10 隔離技術
3.10.1 MOS IC的隔離
3.10.2 雙極IC中的基本隔離技術
3.11 絕緣物上矽
3.11.1 SOI技術
3.11.2 注氧隔離技術（Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX）
3.11.3 矽片粘閤技術（Wafer Bonding Technique）
3.12 CMOS集成電路工藝流程
3.12.1 CMOS工藝
3.12.2 典型N阱CMOS工藝流程
第4章 集成電路設計
4.1 集成電路版圖設計規則
4.1.1 λ設計規則
4.1.2 微米設計規則
4.2 集成電路中的無源元件
4.2.1 集成電阻
4.2.2 集成電容
4.2.3 片上電感
4.2.4 互連綫
4.3 雙極集成器件和電路設計
4.3.1 雙極晶體管結構
4.3.2 雙極晶體管的寄生參數
4.3.3 NPN晶體管縱嚮結構設計
4.3.4 NPN晶體管橫嚮結構設計
4.3.5 雙極集成電路版圖設計
4.3.6 版圖設計實例
4.4 CMOS集成器件和電路設計

前言/序言

《微電子概論（第2版）》圖書簡介 本書旨在為讀者提供一個全麵而深入的微電子學基礎知識體係。內容涵蓋瞭半導體材料的物理特性、PN結的形成與特性、二極管和三極管等基本電子器件的工作原理，以及集成電路的設計、製造和應用等關鍵領域。通過理論講解與實例分析相結閤的方式，幫助讀者理解微電子技術的演進曆程、核心概念以及在現代科技和社會發展中的重要作用。 第一章：引言與半導體基礎 本章首先介紹微電子學的定義、發展曆史以及其在各個領域的廣泛應用，強調微電子技術作為信息時代的基石的地位。接著，深入探討瞭半導體材料的晶體結構、能帶理論、載流子（電子和空穴）的産生與復閤機製，以及摻雜對半導體導電性能的影響。通過對矽、鍺等典型半導體材料的性質分析，為後續理解各種半導體器件奠定紮實的理論基礎。 第二章：PN結及其應用 PN結是構成絕大多數半導體器件的核心單元。本章詳細闡述瞭PN結的形成過程、勢壘電勢、耗盡區以及外加電壓對PN結電導特性的影響。重點講解瞭PN結的單嚮導電性，並在此基礎上介紹瞭二極管（包括普通二極管、穩壓二極管、發光二極管等）的結構、工作原理、伏安特性麯綫及主要參數。通過對二極管應用電路的分析，展示其在整流、限幅、穩壓等方麵的作用。 第三章：雙極結型晶體管（BJT） 雙極結型晶體管（BJT）是電子電路中最基本的放大器件之一。本章從結構、工作原理、載流子輸運等角度深入剖析瞭NPN型和PNP型BJT的特性。詳細闡述瞭BJT的工作區域（截止區、放大區、飽和區），以及其電流放大作用和輸入輸齣特性麯綫。在此基礎上，介紹瞭BJT作為放大器、開關以及在振蕩器、調製器等電路中的應用。 第四章：場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（FET）是與BJT並駕齊驅的另一類重要半導體器件，其特點是輸入阻抗高，功耗低。本章首先介紹結型場效應晶體管（JFET）的結構、工作原理及特性麯綫，包括其溝道調製效應和跨導特性。隨後，深入講解MOS（金屬-氧化物-半導體）場效應晶體管（MOSFET）的結構、柵極電壓對通道形成的影響，以及N溝道和P溝道MOSFET的增強型和耗盡型工作模式。MOSFET作為現代集成電路中最基本的構建單元，其重要性不言而喻。 第五章：集成電路基礎 集成電路（IC）是將大量的電子元件（如電阻、電容、晶體管等）集成在一塊半導體襯底上構成的電路。本章介紹瞭集成電路的定義、分類（模擬集成電路、數字集成電路、混閤信號集成電路等），以及集成電路的設計流程。詳細講解瞭集成電路的製造工藝，包括矽片製備、光刻、刻蝕、薄膜沉積、擴散、離子注入、金屬化等關鍵步驟。對集成電路的封裝形式和可靠性問題也進行瞭介紹。 第六章：模擬集成電路 模擬集成電路負責處理連續變化的模擬信號。本章聚焦於模擬集成電路的設計和應用。內容涵蓋瞭運算放大器（Op-Amp）的原理、特性和典型應用電路（如放大電路、濾波器、信號發生器等）。此外，還介紹瞭濾波器、振蕩器、功率放大器以及數據轉換器（ADC/DAC）等模擬集成電路的常見類型和設計挑戰。 第七章：數字集成電路 數字集成電路是處理離散信號（0和1）的核心。本章深入探討瞭數字集成電路的基礎。首先介紹瞭邏輯門（AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR）及其邏輯功能，並在此基礎上講解瞭組閤邏輯電路（如加法器、譯碼器、多路選擇器）和時序邏輯電路（如觸發器、寄存器、計數器）的設計原理。CMOS技術在數字集成電路中的主導地位，以及數字集成電路的功耗和速度問題也得到討論。 第八章：存儲器與微處理器 存儲器和微處理器是現代電子係統的核心組成部分。本章介紹瞭各種類型的存儲器，包括易失性存儲器（如SRAM, DRAM）和非易失性存儲器（如ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory）。重點講解瞭這些存儲器的結構、工作原理和應用。隨後，介紹瞭微處理器的基本結構（CPU、內存、I/O接口），指令集架構，以及其在計算機係統中的作用。 第九章：電力電子與功率集成電路 電力電子技術是實現電能高效轉換和控製的關鍵。本章介紹瞭電力電子器件（如功率二極管、功率三極管、可控矽、IGBT等）的特性和應用。重點講解瞭功率集成電路的設計，包括開關電源、電機驅動、逆變器等。本章也觸及瞭新能源領域對電力電子技術的需求。 第十章：微電子技術的未來展望 本章將目光投嚮微電子技術的未來發展趨勢。內容包括半導體器件的微型化極限（如量子效應、納米技術），新型半導體材料（如化閤物半導體、石墨烯）的研究進展，以及新興應用領域（如人工智能、物聯網、生物電子學、光電子集成）對微電子技術提齣的新挑戰和機遇。展望瞭未來微電子技術將如何繼續推動科技的進步和社會的發展。 本書結構清晰，邏輯嚴謹，語言流暢，例證豐富，理論與實踐相結閤，適閤高等院校相關專業的學生閱讀，也可作為從事微電子技術研究與開發的工程師和技術人員的參考書。通過學習本書，讀者將能建立起紮實的微電子學理論基礎，並深刻理解微電子技術在當代科技和社會發展中的核心地位和巨大潛力。

評分☆☆☆☆☆

這本書《微電子概論（第2版）》給我的最大感受就是“係統性”。我一直對微電子這個領域充滿好奇，但又覺得它過於專業和深奧，一直不敢輕易涉足。直到我拿到這本書，我纔發現，原來構建一個完整的知識體係並沒有想象中那麼睏難。書中的編排邏輯非常清晰，從最基礎的半導體物理，到各種晶體管的結構與工作原理，再到集成電路的設計流程，都進行瞭循序漸進的講解。我尤其喜歡它在引入每一個新的概念時，都會先迴顧前麵相關的知識點，這就像一個精心設計的學習路徑，能夠有效地將零散的知識點串聯起來。例如，在講解CMOS反相器時，書中會先詳細解釋P溝道MOSFET和N溝道MOSFET各自的工作特性，然後再將它們結閤起來，分析整個反相器的輸入輸齣邏輯關係和功耗特性。這種“由簡入繁”的教學方式，讓我覺得非常容易跟上作者的思路。書中的數學推導雖然不少，但作者總是能用簡潔明瞭的語言來解釋公式的物理意義，這大大降低瞭理解門檻。我特彆欣賞書中關於“載流子遷移率”的講解，它不僅給齣瞭遷移率的定義，還詳細分析瞭影響遷移率的各種因素，比如溫度、電場強度以及雜質濃度等。這些細緻的分析，讓我對半導體材料的內在特性有瞭更深刻的理解。我曾花費瞭大量時間去研究書中關於“亞閾值區”的講解，試圖理解為什麼在低於閾值電壓時，MOSFET仍然會存在一定的漏電流。書中的圖示，特彆是那些錶示電場分布和勢壘高度變化的示意圖，對我理解這些復雜的概念起到瞭至關重要的作用。這本書讓我感到，學習微電子學不再是遙不可及的夢想，而是可以通過係統學習來實現的目標。它不僅提供知識，更重要的是，它提供瞭一種學習方法和學習信心。

評分☆☆☆☆☆

我拿到這本《微電子概論（第2版）》的時候，首先吸引我的就是它封麵設計所透露齣的那種嚴謹和一絲不苟的學術氣息。翻開扉頁，作者的序言便以一種非常真誠的態度，闡述瞭編寫此書的初衷和目標，強調瞭對知識的準確性以及對讀者學習過程的關懷。這讓我覺得，這不是一本隨隨便便齣版的教科書，而是傾注瞭作者大量心血的學術成果。在內容方麵，這本書的結構安排得非常有條理，從基礎的半導體材料特性講起，逐步過渡到半導體器件的物理原理，再到集成電路的設計與製造流程。我尤其欣賞它在介紹每一個關鍵概念時，都會提供詳細的物理模型和數學推導，這對於想要深入理解微電子學原理的學生來說，無疑是寶貴的資源。例如，當書中講解MOSFET的工作原理時，它不僅僅給齣瞭輸入輸齣特性麯綫，還會詳細分析溝道電荷的形成、柵極電壓對閾值電壓的影響，以及各種工作區域下的電流錶達式。這些詳盡的解釋，讓我能夠真正理解MOSFET為何能夠實現開關和放大功能，而不是僅僅記住幾個公式。此外，書中還配有大量的插圖和錶格，這些視覺化的輔助工具極大地增強瞭內容的直觀性，使得復雜的概念更容易被理解和記憶。我特彆喜歡那些關於器件截麵結構的示意圖，它們能夠清晰地展示齣不同層之間的幾何關係和電場分布，讓我對器件的內部構造有瞭更深刻的認識。在閱讀過程中，我也注意到書中穿插瞭一些曆史發展迴顧和前沿技術展望的內容，這為學習增添瞭趣味性，也讓我對接下來的學習方嚮有瞭更清晰的認識。雖然有些章節涉及到的數學知識對我來說頗具挑戰，但我發現隻要肯花時間和耐心去鑽研，配閤書中的講解和例子，最終還是能夠剋服睏難，理解其中的精髓。這本書為我打開瞭一扇通往微電子學世界的大門，讓我對這個看似神秘的領域産生瞭濃厚的興趣，也讓我看到瞭未來深入學習的無限可能。

評分☆☆☆☆☆

從拿到《微電子概論（第2版）》這本書開始，我就感受到瞭一種撲麵而來的學術嚴謹性。它不僅僅是一本教科書，更像是一本引人入勝的科學探索指南。書中的開篇，作者便以一種非常謙遜卻又充滿自信的口吻，闡述瞭微電子學作為一門核心科學的重要性，以及其在現代科技發展中所扮演的關鍵角色。我尤其欣賞它在處理基礎概念時的細緻和深入。比如，在講解半導體材料的導電機製時，書中並沒有止步於簡單的“導體、半導體、絕緣體”的分類，而是詳細地從量子力學的角度，解釋瞭材料的能帶結構，以及電子在不同能級上的分布如何決定瞭其導電特性。這種從本源齣發的講解方式，讓我覺得豁然開朗，仿佛看到瞭電子世界的奧秘。當我閱讀到關於PN結的章節時，更是被書中詳盡的分析所摺服。它不僅給齣瞭PN結形成時內建電勢的計算公式，還詳細闡述瞭在外加正嚮和反嚮電壓作用下，PN結電流是如何變化的，以及齊納擊穿和雪崩擊穿的物理機理。書中的圖示，無論是能帶圖、勢壘圖，還是載流子濃度分布圖，都極其精準且富有信息量，它們極大地幫助我理解瞭抽象的物理過程。我曾花費瞭好幾個小時，反復推敲書中關於MOSFET電流模型的推導，特彆是對閾值電壓的理解，以及在不同偏置條件下的電流錶達式。這期間，我多次嘗試自己動手演算，並對照書中的結果進行驗證。盡管過程充滿瞭挑戰，但每一次的理解都讓我對微電子器件有瞭更深的敬畏。這本書的語言風格雖然嚴謹，但並不枯燥，作者在適時之處會穿插一些曆史典故和技術發展的故事，這為原本枯燥的科學理論增添瞭一抹亮色，也讓我感受到瞭微電子技術發展背後的人類智慧。它讓我不僅僅是學習知識，更是在感受科學的魅力。

評分☆☆☆☆☆

《微電子概論（第2版）》這本書，如同它的名字一樣，為我提供瞭一個非常紮實的“概論”層麵的認知。我原本以為它會是一本相對輕鬆的入門讀物，但事實證明，它所包含的內容深度遠超我的預期。書中對半導體材料的講解，絕不僅僅是停留在“矽”和“鍺”的層麵，而是深入到瞭晶體結構、晶格振動、以及載流子散射等更基礎的物理層麵。我尤其喜歡書中關於“等離子體”在半導體器件中的作用的闡述，這是一種我之前從未接觸過的視角，讓我感到非常新奇。書中對每一個器件的講解，都力求做到原理清晰，模型準確。例如，在講解肖特基二極管時，書中不僅給齣瞭其與PN結二極管在結構上的區彆，還詳細分析瞭其導通機製，以及為什麼它具有更快的開關速度。這讓我對不同類型的二極管有瞭更清晰的認識。我曾花費瞭相當長的時間去理解書中關於“隧道效應”的講解，以及它是如何被應用在某些特殊的半導體器件中。書中的公式推導雖然繁復，但作者的講解卻充滿瞭條理性和邏輯性，讓我能夠一步步地跟上思路。我特彆欣賞書中在講解“柵極漏電流”時，所給齣的不同類型的漏電流來源及其影響因素的分析。這讓我對MOSFET的實際工作狀態有瞭更全麵的瞭解。這本書讓我意識到，微電子學領域，每一個微小的結構和每一個細微的物理現象，都蘊含著深刻的科學原理。它激發瞭我想要深入探究這些原理的願望，也讓我看到瞭微電子技術發展的無限可能。

評分☆☆☆☆☆

《微電子概論（第2版）》這本書，給我帶來瞭一種“沉浸式”的學習體驗。它不僅僅是一本教材，更像是一本帶領我走進微電子世界的神奇地圖。書中對於半導體材料的講解，是極其細緻的。它從元素的周期錶開始，逐一分析瞭不同元素（如矽、鍺、砷化鎵等）的原子結構和電子排布，並在此基礎上，解釋瞭它們的物理化學性質如何決定瞭它們作為半導體材料的優越性。我曾花費瞭很長的時間去理解書中關於“狄拉剋符號”和“算符”在量子力學描述半導體行為時的作用。雖然這部分內容對我來說具有相當大的挑戰性，但書中詳盡的數學推導和對物理意義的解釋，讓我逐步領悟瞭其中的精髓。我特彆喜歡書中關於“集成電路的版圖設計”的章節。它詳細地介紹瞭如何將邏輯門電路轉化為實際的版圖，以及如何考慮綫寬、間距以及層疊等因素，以確保電路的正常工作。這讓我對微電子器件的製造過程有瞭更具象的認識。書中大量的流程圖和示意圖，如同清晰的導航，引導我一步步地理解復雜的概念。我經常會跟著書中的流程圖，在腦海中構建齣整個工藝流程的圖像。這本書讓我感到，學習微電子學是一個不斷挑戰自我、超越自我的過程。它不僅鍛煉我的邏輯思維能力，更培養瞭我解決復雜問題的耐心和毅力。它讓我看到瞭，微電子技術在改變世界方麵所扮演的巨大角色。

評分☆☆☆☆☆

這本書《微電子概論（第2版）》給我最深刻的印象，是它的“啓發性”。雖然書名聽起來像是對微電子學的簡單介紹，但內容之豐富，邏輯之嚴謹，遠遠超齣瞭我的想象。在閱讀過程中，我發現這本書不僅僅是在教授知識，更是在引導讀者思考。例如，在講解半導體PN結的電容效應時，書中並沒有直接給齣公式，而是先詳細分析瞭外加電壓如何改變耗盡層寬度，以及耗盡層寬度的變化如何影響電容的大小。這種“循循善誘”的講解方式，讓我能夠主動去思考，去理解電容産生的原因。我尤其欣賞書中關於“陷阱態”和“錶麵態”在半導體器件中作用的分析。這些概念對於理解器件的可靠性和性能衰減至關重要，而書中對其的細緻闡述，讓我對微電子器件的長期穩定性有瞭更深的認識。我曾花費瞭大量的時間去研讀書中關於“MOSFET的襯底結”的講解，以及它對器件特性的影響。書中大量的圖示，特彆是那些錶示電場分布和載流子運動軌跡的示意圖，對我理解這些抽象的物理過程起到瞭至關重要的作用。我發現，每當我遇到一個難以理解的概念時，隻要仔細查看書中的圖示，並結閤文字描述，往往能夠找到突破口。這本書讓我感到，微電子學不僅僅是一門工程學科，更是一門充滿哲學思考的科學。它鼓勵我去質疑，去探索，去發現隱藏在錶象之下的深刻真理。

評分☆☆☆☆☆

這本《微電子概論（第2版）》在我手中已經靜靜地躺瞭幾個星期瞭，期間我斷斷續續地翻閱，嘗試著去理解那些深邃的概念和精密的圖示。說實話，一開始我抱著一種非常功利的心態，想著快速過一遍，瞭解一下大概，應付一下課程。然而，隨著閱讀的深入，我發現自己被捲入瞭一個充滿挑戰但也極其迷人的世界。這本書給我的第一印象是它的“厚重感”，不僅僅是物理上的重量，更是內容上的分量。它不像一些入門讀物那樣淺嘗輒止，而是試圖從最基礎的物理原理齣發，一步步構建起微電子學的宏偉圖景。我特彆喜歡它在介紹每一個核心概念時，都會追溯其發展的曆史和背後的科學原理，這讓我在理解“是什麼”的同時，也能思考“為什麼是這樣”。例如，在講解半導體材料的摻雜時，書中詳細闡述瞭雜質原子的引入如何改變瞭矽晶格的導電特性，並通過量子力學的視角解釋瞭電子和空穴的産生機製。這種嚴謹的追溯性，讓我感覺自己不是在被動接受知識，而是在參與一場科學的發現之旅。我尤其對書中關於PN結的詳盡描述印象深刻。它不僅僅是給齣瞭一個簡單的模型，而是從勢壘的形成、載流子的擴散與漂移，到外加電壓對勢壘寬度的影響，都進行瞭細緻入微的分析。那些布滿公式和圖錶的章節，起初讓我有些望而卻步，但當我仔細研讀，並嘗試著在草稿紙上進行推導時，一種豁然開朗的感覺油然而生。那些看似復雜的數學推導，其實是邏輯嚴密的科學語言，它們精確地描述瞭微觀世界裏能量和電荷的運動規律。這本書並沒有迴避復雜性，而是鼓勵讀者去直麵它，並提供瞭一條清晰的學習路徑。我能感受到作者在編排結構時花費的心思，知識點之間的銜接非常流暢，如同流水般自然。即便是一些非常抽象的概念，作者也嘗試用類比和實例來輔助理解，盡管有時這些類比並不總是盡善盡美，但總歸提供瞭一個思考的切入點。總的來說，這本書給予我的，是一種對微電子學深層次的認知，它不僅僅是一本教材，更像是一本引我入門的“百科全書”，讓我對這個領域的廣度和深度有瞭初步的認識，也激發瞭我進一步探索的興趣。

評分☆☆☆☆☆

拿到《微電子概論（第2版）》這本書，我首先被它那嚴謹而清晰的排版所吸引。每一章的結構都相當完整，從概念的引入，到原理的推導，再到應用的介紹，都顯得井井有條。我尤其喜歡書中對半導體物理基礎的強調。它並沒有直接跳到晶體管，而是從原子結構、化學鍵、以及晶體生長等最基本的方麵講起。這對於我這樣背景不深厚的人來說，無疑是巨大的福音。我曾花費瞭大量的時間去理解書中關於“晶體缺陷”的分類及其對半導體性能的影響。書中列舉瞭多種晶體缺陷，並詳細解釋瞭它們是如何影響載流子濃度和遷移率的。這讓我認識到，即便是微小的缺陷，也可能對整個器件的性能産生巨大的影響。我特彆欣賞書中在介紹半導體器件的噪聲特性時，所給齣的不同類型的噪聲來源，例如熱噪聲、散粒噪聲以及閃爍噪聲，並分析瞭它們各自的産生機製和對信號的影響。這讓我對微電子器件的信號完整性有瞭更深刻的理解。書中大量的工程實例和計算題目，極大地增強瞭內容的實用性。我嘗試著去完成其中的一些計算題目，這不僅鞏固瞭課堂上學到的知識，也讓我對理論在實際工程中的應用有瞭更直觀的認識。這本書讓我感到，微電子學是一個既需要深厚理論功底，又需要紮實工程實踐的領域。它不僅僅是枯燥的公式和圖錶，更是蘊含著無數創新和應用的可能。

評分☆☆☆☆☆

坦白說，我一開始是被這本書《微電子概論（第2版）》的書名所吸引。畢竟“概論”二字，似乎意味著它能夠提供一個全麵而宏觀的視角，讓我這個對微電子領域知之甚少的人，能夠快速建立起一個基本的知識框架。拿到書後，它的第一感覺就是“紮實”。紙張的質感、印刷的清晰度，都透露齣齣版方的專業性。當我開始閱讀第一章時，我便被書中對基礎物理概念的鋪陳所震撼。它並沒有直接跳到半導體器件，而是從原子結構、能帶理論這些更根本的物理學原理講起。這種“追本溯源”的教學方式，讓我覺得非常舒服，因為我總覺得，如果連最基礎的東西都搞不清楚，那後麵的學習必定會是空中樓閣。書中關於晶體管的講解，是我最期待的部分。我一直很好奇，那些小小的芯片是如何實現如此復雜的功能的。這本書詳細地解釋瞭雙極結型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的工作原理，包括載流子的注入、漂移、擴散，以及不同工作模式下的電流控製機製。我尤其喜歡它在講解BJT時，對於電流增益的推導過程，以及對於其非綫性特性的解釋。而對於MOSFET，書中更是從柵極電壓對溝道電荷的控製，到閾值電壓的産生，再到漏極電流的形成，層層遞進，邏輯清晰。雖然書中的公式推導和圖示分析占據瞭很大的篇幅，但我不得不承認，正是這些詳盡的數學語言和圖像化的錶達，纔使得如此微觀和抽象的原理變得可觸可及。我花瞭相當長的時間去理解每一個圖示所代錶的物理意義，並嘗試著去復現書中的推導過程。這期間，我常常會拿齣筆和紙，跟著書中的思路進行演算，有時會卡頓，有時會迷茫，但一旦靈光一閃，理解瞭某個關鍵點，那種成就感是無法言喻的。這本書不僅僅是知識的傳授，更是一種思維方式的訓練，它教會我如何去分析問題，如何去用科學的語言描述現象。

評分☆☆☆☆☆

當我第一次翻開《微電子概論（第2版）》時，我腦海中浮現的第一個詞是“全麵”。這本書就像一位經驗豐富的導遊，帶著我踏上瞭一段探索微電子世界的旅程。它沒有迴避那些復雜而基礎的物理原理，反而將它們作為整個知識體係的基石。我印象最深刻的是書中關於“載流子統計”的章節。作者花瞭相當大的篇幅，詳細解釋瞭費米-狄拉剋統計在半導體中的應用，以及如何計算電子和空穴的濃度。這部分內容對我來說極具挑戰性，但書中通過一係列的公式推導和圖錶分析，逐步揭示瞭這些統計規律的內在邏輯。特彆是關於簡並半導體和非簡並半導體在載流子統計上的差異，讓我對半導體材料在不同條件下的行為有瞭更深入的理解。此外，書中對各種半導體器件的介紹，也是我學習的重點。例如，在講解雙極結型晶體管（BJT）時，它不僅給齣瞭BJT的結構和三種工作模式，還詳細分析瞭電流放大係數β的物理含義，以及如何通過調整基極電流來控製集電極電流。讓我印象尤為深刻的是，書中對於BJT的“電荷控製模型”的闡述，這提供瞭一種與“電流控製模型”不同的視角來理解BJT的工作原理。書中大量的截麵圖和特性麯綫圖，如同精確的解剖圖，讓我能夠清晰地看到器件內部的物理過程。我曾多次反復閱讀書中關於“短溝道效應”和“亞閾值擺幅”的章節，試圖理解這些效應是如何影響MOSFET的性能的。這本書給予我的，不僅僅是知識的積纍，更是一種對科學嚴謹性的認識。它鼓勵我不僅僅滿足於錶麵現象，而是要去探究其背後的深刻原理。

評分☆☆☆☆☆

選修課教材。。。。。。。。。。

評分☆☆☆☆☆

書皮上麵都是土還有摺頁

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很好

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非常速度，很滿意

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還不錯！！！！！！！

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挺好的

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還不錯！！！！！！！

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非常速度，很滿意

評分☆☆☆☆☆

不錯！