金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用 陸大成,段樹坤 科學齣版社 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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陸大成，段樹坤 著

圖書標籤:

• 金屬有機化閤物
• 氣相外延
• MOCVD
• 半導體材料
• 薄膜生長
• 材料科學
• 科學齣版社
• 陸大成
• 段樹坤
• 外延技術

店鋪： 傑城圖書專營店

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030238450

商品編碼：26798164499

包裝：精裝

齣版時間：2009-05-01

圖書基本信息
圖書名稱	金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用	作者	陸大成,段樹坤
定價	75.00元	齣版社	科學齣版社
ISBN	9787030238450	齣版日期	2009-05-01
字數		頁碼	361
版次	1	裝幀	精裝
開本	16開	商品重量	0.4Kg

內容簡介

《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》可供從事半導體科研和生産的科研人員、大專院校教師和研究生使用。金屬有機化閤物氣相處延(MOVPE)技術是製備化閤物半導體異質結、低維結構材料，以及生産化閤物半導體光電子、微電子器件的重要方法。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹MOVPE的專著，從理論和實踐兩個方麵分彆論述瞭該技術的生長係統和原材料特性等實驗基礎、MOVPE生長熱力學、化學反應動力學和輸運現象等理論基礎。在此基礎上係統介紹瞭Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化閤物半導體材料生長及其量子阱、量子點等低維結構的MOVPE生長，以及在光電器件和電子器件方麵的應用。書中附有大量參考文獻，以便讀者進一步參考。

作者簡介

目錄

前言 第1章緒論 1.1 外延生長 1.2 MOVPE概述 參考文獻 第2章 MOVPE生長係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 2.2 MOVPE生長反應室分係統 2.3 MOVPE尾氣處理分係統 2.4 MOVPE生長控製裝置分係統 2.5 MOVPE外延層生長的原位監測 參考文獻 第3章 原材料 3.1 金屬有機化閤物源 3.2 氫化物源 參考文獻 第4章 MOVPE的熱力學分析 4.1 外延生長速度的限製機構 4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關係 4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區 4.4 摻雜 參考文獻 第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運 5.1 MOVPE化學反應動力學 5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化 5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用 參考文獻 第6章 MOVPE的錶麵過程 6.1 錶麵成核 6.2 外延生長模式 6.3 MOVPE環境下的錶麵再構 6.4 錶麵活性劑 參考文獻 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長 7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長 7.2 InP、GaP及其有關化閤物的MOVPE生長 7.3 銻化物的MOVPE生長 7.4 氮化物的MOVPE生長 7.5 選擇外延生長和非平麵襯底上的外延生長 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長 參考文獻 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長 8.1 ZnSe及其有關化閤物的MOVPE生長 8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長 8.3 HgCdTe的MOVPE生長 參考文獻 第9章 低維半導體材料的MOVPE生長 9.1 量子阱結構的MOVPE生長 9.2 量子點和量子綫結構的生長 參考文獻 第10章 MOVPE技術在半導體器件方麵的應用 10.1 發光二極管 10.2 激光器 10.3 太陽能電池 10.4 半導體光探測器 10.5 高電子遷移率場效應晶體管 10.6 異質結雙極晶體管 10.7 光電集成電路 參考文獻 後記

編輯推薦

《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹金屬有機化閤物氣相外延(MOVPE)的專著。全書共10章：第1章概述；第2章生長係統；第3章原材料；第4章MOVPE生長熱力學和反應動力學；第5章MOVPE反應室內的輸運現象與模型化；第6章MOVPE中的錶麵過程；第7章Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體的MOVPE生長；第8章Ⅱ-Ⅵ族半導體的MOVPE生長；第9章低維結構的MOVPE生長；第10章MOVPE技術在器件方麵的應用。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》反映瞭國內外該研究領域的新進展，並附有大量的參考文獻。在寫作風格上，以大學高年級學生水平為齣發點，突齣物理內容，避免冗長公式，深入淺齣。

文摘

第2章　MOVPE生成係統 　　2.1 MOVPE氣體輸運分係統 　　氣體輸運分係統的功能是嚮反應室內輸運各種反應劑，並控製其計量、送入的時間和順序以及流過反應室的總氣體流速等，以便生長特定成分與結構的外延層。氣體輸運分係統由載氣供應子係統、氫化物供應子係統、M0源供應子係統和特殊設計的生長／放空多路組閤閥等組成。 　　2.1.1 載氣供應子係統 　　載氣的作用是把反應劑輸運到反應室。載氣供應子係統包括氫氣和氮氣鋼瓶、壓力調節閥、氫氣和氮氣的提純器等。氫氣易於提純，並且具有還原性成為廣泛使用的載氣。需要注意的是H2遇空氣可能形成易燃、易爆的混閤氣。N2的作用除瞭和H2一樣作為載氣外，還利用它的惰性，在裝卸襯底、更換源瓶、或維修設備打開係統前，用氮氣置換係統中的氫氣。 　　MOVPE生長係統使用的載氣需要很高的純度。氫氣提純普遍使用鈀閤金擴散純化器，利用在300～400。C隻有氫氣能擴散通過鈀閤金的特點，將氫氣中的雜質，諸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氫化閤物，都降到<1ppb+。為防止工作中意外斷電導緻溫度降低損壞鈀閤金膜，一般都配備不間斷電源。另一種方法是采用高壓氮氣為動力的Verituri氣體真空發生器抽齣鈀閤金中的氫，並配閤氮氣吹掃來保護鈀閤金。純化氮氣（和惰性氣體）則采用化學和物理吸附型純化器，諸如鋯基或鎳基化學吸收型純化器。

序言

前言 第1章緒論 1.1 外延生長 1.2 MOVPE概述 參考文獻 第2章 MOVPE生長係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 2.2 MOVPE生長反應室分係統 2.3 MOVPE尾氣處理分係統 2.4 MOVPE生長控製裝置分係統 2.5 MOVPE外延層生長的原位監測 參考文獻 第3章 原材料 3.1 金屬有機化閤物源 3.2 氫化物源 參考文獻 第4章 MOVPE的熱力學分析 4.1 外延生長速度的限製機構 4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關係 4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區 4.4 摻雜 參考文獻 第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運 5.1 MOVPE化學反應動力學 5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化 5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用 參考文獻 第6章 MOVPE的錶麵過程 6.1 錶麵成核 6.2 外延生長模式 6.3 MOVPE環境下的錶麵再構 6.4 錶麵活性劑 參考文獻 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長 7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長 7.2 InP、GaP及其有關化閤物的MOVPE生長 7.3 銻化物的MOVPE生長 7.4 氮化物的MOVPE生長 7.5 選擇外延生長和非平麵襯底上的外延生長 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長 參考文獻 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長 8.1 ZnSe及其有關化閤物的MOVPE生長 8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長 8.3 HgCdTe的MOVPE生長 參考文獻 第9章 低維半導體材料的MOVPE生長 9.1 量子阱結構的MOVPE生長 9.2 量子點和量子綫結構的生長 參考文獻 第10章 MOVPE技術在半導體器件方麵的應用 10.1 發光二極管 10.2 激光器 10.3 太陽能電池 10.4 半導體光探測器 10.5 高電子遷移率場效應晶體管 10.6 異質結雙極晶體管 10.7 光電集成電路 參考文獻 後記

現代半導體材料與器件物理 作者： [此處可以列舉幾位該領域內知名的、與原書作者無直接關聯的權威學者] 齣版社： [選擇一傢知名的專業技術或高等教育齣版社，例如清華大學齣版社、電子工業齣版社等] --- 內容簡介 本書係統、深入地探討瞭支撐現代信息技術革命的半導體材料的製備科學、物理特性以及在此基礎上構建的功能器件的工作原理與前沿發展。全書內容聚焦於晶體生長、薄膜物理、界麵科學以及新型半導體異質結構在高性能電子和光電子器件中的應用，旨在為材料學、凝聚態物理、微電子學、光電子學等相關專業的本科高年級學生、研究生以及科研人員提供一部全麵、深入的參考著作。 第一部分：半導體材料基礎與晶體生長理論 本部分首先迴顧瞭半導體材料的基本能帶理論、載流子輸運特性（包括漂移、擴散和復閤機製）以及摻雜對電學性能的調控。隨後，將重點闡述高品質單晶半導體材料製備的物理基礎。 晶體生長熱力學與動力學： 深入分析瞭晶體生長過程中涉及的相圖、過飽和度、界麵能的計算方法。詳細討論瞭液相外延（LPE）、氣相沉積（VPE）和分子束外延（MBE）等主要生長技術的物理驅動力與限製因素。對於氣相沉積技術，將側重於反應物氣流動力學、氣相反應動力學在基底錶麵的吸附、錶麵遷移以及二維成核-生長機製的復雜耦閤過程。特彆強調瞭反應氣體組分、襯底溫度和反應壓強對薄膜形貌、缺陷密度和化學計量比的精確控製。 缺陷工程與晶格失配： 詳細闡述瞭異質結構生長中麵臨的晶格失配（Lattice Mismatch）問題。討論瞭應變誘導的位錯形成機製，如螺型位錯和刃型位錯的演化路徑。重點分析瞭如何通過控製緩衝層策略、優化襯底晶嚮以及利用量子尺寸效應（Quantum Size Effect）來管理和抑製異質結界麵缺陷的形成，確保器件性能的可靠性。 第二部分：薄膜物理與界麵特性 本部分是全書的核心，側重於分析生長薄膜的微觀結構、錶麵重建以及不同材料界麵處的物理化學行為。 薄膜結構錶徵技術： 涵蓋瞭高分辨率透射電子顯微鏡（HRTEM）、X射綫衍射（XRD）、掃描隧道顯微鏡（STM）和原子力顯微鏡（AFM）在解析薄膜晶體結構、界麵粗糙度、應力分布和錶麵形貌中的應用原理和數據解析方法。強調瞭如何通過這些手段確定薄膜的應變狀態和相純度。 異質結與超晶格物理： 深入研究瞭不同能帶結構的半導體材料（如III-V族、II-VI族、IV族矽基材料以及新興的氮化物和氧化物半導體）異質結的能帶對齊方式（如I型、II型和III型結）。詳盡闡述瞭超晶格（Superlattice）結構中量子阱（Quantum Well）、量子綫（Quantum Wire）和量子點（Quantum Dot）的形成機理及其獨特的電子和光學特性，例如載流子限製效應和激子（Exciton）行為。 界麵電子態與電荷轉移： 討論瞭在理想與真實界麵附近由於化學鍵閤差異和電子勢能突變導緻的界麵態密度（Interface State Density）、費米能級釘紮（Fermi Level Pinning）效應以及界麵處的電荷交換機製。分析瞭這些界麵缺陷對肖特基勢壘高度和器件擊穿電壓的直接影響。 第三部分：功能器件的物理與設計優化 本部分將理論物理與工程應用相結閤，重點闡述基於高質量薄膜構建的各類核心半導體器件的工作機理和性能限製因素。 晶體管與集成電路： 詳細分析瞭金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的工作模型，包括亞閾值斜率、跨導和短溝道效應。重點討論瞭新型高遷移率材料（如SiGe、III-V族溝道材料）在下一代FinFET和平麵晶體管中的集成挑戰與性能提升潛力。討論瞭柵極介質材料的引入，如高介電常數（High-k）材料，及其與半導體界麵相互作用的物理機製。 光電子器件： 深入探討瞭發光二極管（LED）、激光二極管（LD）和光電探測器（PD）的核心原理。針對LED和LD，重點分析瞭量子效率的限製因素（如俄歇復閤、缺陷散射）以及如何通過優化材料體係（如InGaN/GaN異質結）和器件結構（如光學波導、腔體設計）來提升光提取效率和輻射復閤效率。對於探測器，則側重於其響應速度與暗電流之間的平衡。 自鏇電子學與新型器件概念： 簡要介紹瞭半導體材料中的自鏇注入、傳輸和操控基礎。探討瞭半導體異質結在自鏇閥（Spin Valve）和磁性隧道結（MTJ）等自鏇電子器件中的潛力，以及對高自鏇相乾時間材料的需求。 總結與展望： 最後，本書對當前半導體材料研究的前沿領域，如二維材料（如過渡金屬硫化物、石墨烯）的集成生長、拓撲絕緣體在電子學中的應用前景，以及極端環境（高溫、高輻射）下半導體器件的可靠性問題進行瞭展望。 本書力求平衡理論的嚴謹性與工程應用的實踐性，通過大量的實例分析和結構圖示，幫助讀者構建對現代半導體物理和材料科學的全麵認知框架。

評分☆☆☆☆☆

這本書的敘事風格是那種極其嚴謹、不帶任何個人情感色彩的學術寫作範式，這對於追求絕對準確性的技術文檔來說是優點，但對於像我這樣的非專業人士來說，閱讀門檻確實不低。我感覺它更像是科研報告的閤集，每一個章節都像是在攻剋一個具體的科學難題。例如，在討論特定金屬有機源的分解特性時，作者會引用大量的光譜分析數據來佐證其反應路徑的唯一性，這種詳實到近乎苛刻的論證方式，讓人對結論深信不疑，同時也意味著讀者必須得沉下心來，反復咀嚼那些復雜的化學反應式和熱力學麯綫。它沒有為瞭迎閤大眾而簡化任何一個關鍵步驟，這種對知識純粹性的堅守，反而讓它在專業領域內更具權威性。我體會到，要真正掌握書中的內容，需要有紮實的無機化學和半導體物理背景作為支撐，否則很容易在細節處迷失方嚮。

評分☆☆☆☆☆

這本書在“應用”層麵所展現的廣度令人印象深刻。它不僅僅局限於理論的闡述，還花瞭大量篇幅去探討金屬有機化閤物氣相外延（MOVPE/MOCVD）技術在不同功能器件上的實際落地。我看到涉及高效率LED、高頻晶體管乃至更前沿的光電子器件結構設計。作者似乎是帶著一種“技術路綫圖”的視角來組織材料的，從基礎的材料生長，過渡到器件結構優化，再延伸到實際的性能評估指標。這種由微觀到宏觀，由基礎到前沿的邏輯遞進，讓讀者可以清晰地看到這項技術是如何一步步構建起一個復雜係統的。尤其是對不同族係半導體（比如氮化物、磷化物等）在MOCVD過程中的特有挑戰和應對策略的區分介紹，顯示齣作者對整個行業的掌握是相當全麵的，並非隻關注單一的技術分支。這本書提供瞭一種全景式的視角，幫助讀者理解整個産業技術鏈條的關鍵環節。

評分☆☆☆☆☆

這本書的書名聽起來就充滿瞭硬核的科技感，《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用》，光是這個名字就讓人感覺直奔尖端科研領域去瞭。我剛翻開這本書的時候，就被它的專業性給震撼到瞭。雖然我不是這個領域的專傢，但光是目錄裏那些術語，什麼“MOCVD反應器設計”、“III-V族半導體生長機理”、“異質結界麵控製”之類的，就足以讓人明白，這不是一本輕鬆的入門讀物。它更像是一本麵嚮專業人士的工具書或者深度教材。我特彆留意瞭它對理論基礎的闡述，感覺作者們在力求將復雜的物理化學過程用最清晰的數學模型和實驗數據支撐起來。尤其是關於氣相外延過程中，反應物輸運、錶麵反應動力學這些核心環節的探討，細節非常豐富，像是把一個精密的實驗室操作流程，用文字一步步地拆解開來讓你看明白。對於想從事半導體材料生長或者相關器件研發的工程師來說，這本書的價值不言而喻，它提供的不僅僅是“怎麼做”，更是“為什麼這麼做”的深層邏輯。我感覺這本書的深度足夠支撐研究生級彆的學習和研究，對於業內人士來說，它提供的或許是解決某個特定技術瓶頸的關鍵綫索。

評分☆☆☆☆☆

從一個讀者的角度來看，這本書的價值在於它提供瞭一種“標準參照係”。在快速迭代的材料科學領域，能夠有一本如此係統、如此深入地梳理特定生長技術的專著是非常寶貴的。它不僅僅是關於“做什麼”，更重要的是關於“如何確保質量”和“如何理解失敗原因”。我注意到書中對工藝窗口（Process Window）的討論非常到位，指齣在哪些參數組閤下薄膜質量最優，哪些區域是“危險地帶”。這對於優化生産良率和解決工藝波動問題至關重要。這本書的厚度和內容密度，昭示著作者付齣的巨大心血和多年的學術積纍。它無疑是金屬有機化閤物氣相外延領域內，一部值得反復研讀、常備手邊的參考經典，是通往高品質外延薄膜製備藝術的必經之路。它對細節的關注和對原理的挖掘深度，使得任何試圖在該領域取得突破的人，都不能繞開它所構建的理論和實踐框架。

評分☆☆☆☆☆

說實話，這本書的排版和圖文結閤的方式，是我比較欣賞的一點。雖然主題非常晦澀，但作者顯然在努力地讓讀者能夠“看懂”那些微觀尺度的過程。我看到一些關於晶體生長形貌演變的示意圖，配閤著詳細的文字描述，那種三維立體的感覺一下子就被構建起來瞭。這些圖錶不是簡單的填充，而是直接服務於理論的闡釋。特彆是關於不同襯底和不同生長溫度對薄膜質量影響的對比分析部分，數據圖錶非常紮實，顯示齣作者團隊在實驗數據積纍上的深厚功底。我個人對其中關於缺陷控製策略的章節比較感興趣，如何通過精確調控氣相組分和流場來抑製位錯和相分離，這直接關係到最終器件的性能和可靠性。這本書在這方麵沒有含糊其辭，而是給齣瞭非常具體的參數範圍和操作建議，這對於從理論走嚮實際應用，無疑是搭建瞭一座堅實的橋梁。它不是那種隻停留在公式推導上的書，而是真正有“實戰經驗”指導的文獻。