电子元器件应用技术手册 微电子器件分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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韩英歧 著

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506657518

商品编码：29715565142

包装：平装

出版时间：2010-04-01

基本信息

书名:电子元器件应用技术手册 微电子器件分册

：43.00元

售价：29.2元,便宜13.8元,折扣67

作者:韩英歧

出版社：中国标准出版社

出版日期：2010-04-01

ISBN：9787506657518

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.499kg

编辑推荐

内容提要

本手册收集了主要常用电子元器件的有关标准、选用原则、检验、测试、筛选等应用知识，并收集了部分常用的、有特殊性能的元器件的型号、规格及主要电性能参数，供读者选用时参考，其目的就是为广大科技人员、电路设计师、可靠性工程师、电子物资人员及检验人员提供一套比较完整实用的电子元器件应用技术资料。

目录

作者介绍

文摘

序言

《电子元器件应用技术手册：微电子器件分册》 内容概要： 本书详细介绍了构成现代电子系统基石的微电子器件。全书聚焦于微电子器件的原理、特性、选型、应用以及最新的技术发展趋势，旨在为电子工程师、技术爱好者、高校学生以及相关领域的研究人员提供一本全面、实用且深入的技术参考。 核心章节内容概述： 第一部分：半导体基础与PN结器件 半导体物理基础： 材料特性： 深入阐述了硅、锗等半导体材料的晶体结构、能带理论（价带、导带、禁带宽度）、载流子（电子和空穴）的产生与复合机制。详细分析了本征半导体和杂质半导体的导电特性，包括n型半导体和p型半导体的形成及其载流子浓度。 载流子输运： 剖析了载流子的主要输运机制，如漂移（在外电场作用下）和扩散（由于浓度梯度）。讲解了迁移率、扩散系数等关键参数的意义及其影响因素。 PN结形成与特性： 详细讲解了PN结的形成过程，包括PN结势垒的产生、空间电荷区（耗尽层）的形成。深入分析了PN结在外加电压下的特性，包括正向导通、反向截止以及击穿现象。重点介绍PN结电容（过渡电容和扩散电容）的性质及其在电路中的作用。 二极管及其应用： 普通二极管： 介绍了一般整流二极管、开关二极管的基本工作原理、主要电参数（如正向压降、反向漏电流、峰值反向电压、最高正向平均电流）及其测试方法。重点阐述了它们在整流电路（半波、全波、桥式）、限幅电路、钳位电路、倍压电路中的具体应用，并分析了电路的性能指标和设计注意事项。 稳压二极管（齐纳管）： 详述了稳压二极管的稳压原理（齐纳击穿和雪崩击穿），以及其在恒压源电路、过压保护电路中的关键作用。分析了稳压管的主要参数（如稳压值、稳压系数、动态电阻、最大耗散功率）和选型原则。 发光二极管（LED）： 深入探讨了LED的发光机理（电致发光），不同颜色LED的发光原理及其材料选择。详细介绍了LED的主要参数（如正向压降、正向电流、峰值正向电流、光通量、发光效率、视角）和驱动方式。重点分析了LED在指示、照明、显示等领域的广泛应用，以及串联限流电阻的计算。 光电二极管（PD）和光电晶体管： 阐述了光电二极管的光电转换原理，包括光照强度对反向漏电流的影响。介绍了光电晶体管作为光电探测器的基本结构和工作特性，以及它们在光信号检测、光控开关、光耦合器等电路中的应用。 肖特基二极管： 详细介绍了肖特基二极管的金-半导体接触结构，其低正向压降和快速开关速度的优势。重点分析了其在开关电源、高频整流、逻辑电路等领域的应用。 变容二极管： 讲解了变容二极管的电容随反向电压变化的特性，以及其在调谐电路（如收音机、电视机的选频电路）、倍频器中的应用。 第二部分：双极型三极管（BJT） BJT的结构与工作原理： PNP与NPN结构： 详细介绍NPN型和PNP型三极管的结构，发射区、基区、集电区的掺杂浓度和厚度差异，以及载流子在各区域的输运过程。 工作区域： 深入分析了三极管的三个主要工作区域：截止区、放大区和饱和区。讲解了各区域下电流和电压的关系，以及三极管作为开关和放大器的基本原理。 电击穿现象： 介绍了三极管可能出现的电击穿现象，如集电结击穿、发射结击穿和二次击穿，以及其产生的原因和防护措施。 BJT的等效电路与参数： 混合π模型与T模型： 详细讲解了BJT在不同频率下的等效电路模型，如混合π模型（考虑了结电容、输出电阻等）和T模型。 主要参数： 深入分析了BJT的关键参数，如电流放大系数（β）、截止电流（ICBO）、集电极反向电流（ICES）、跨导（gm）、输入电阻、输出电阻、结电容等。并解释了这些参数的意义及其对电路性能的影响。 BJT的放大电路应用： 基本放大电路： 讲解了共发射极、共集电极（射极输出器）和共基极（基极输出器）三种基本放大电路的结构、工作原理、电压增益、输入输出阻抗、频率响应特性。 偏置电路： 详细阐述了各种偏置方式（如固定偏置、分压偏置、发射极自偏置、集电极反馈偏置）的优缺点，以及如何选择合适的偏置电路以保证三极管工作在放大区并提高稳定性。 多级放大器： 介绍了多级放大器的级联方式，如直接耦合、RC耦合、变压器耦合，以及它们对电路性能的影响。分析了级联电路的总体增益、带宽和稳定性。 差分放大器： 详细讲解了差分放大器的结构、工作原理，以及其优良的共模抑制比和线性度，并介绍其在运算放大器等集成电路中的应用。 BJT的开关电路应用： 开关特性： 分析了BJT作为开关时，从截止到饱和的转换过程，以及开关速度、饱和压降（VCE(sat)）、集电极截止电流（ICEO）等关键参数。 典型应用： 重点介绍BJT在电子开关、驱动电路（如继电器驱动、LED驱动）、振荡电路（如多谐振荡器）中的应用。 第三部分：场效应晶体管（FET） FET的种类与工作原理： 结型场效应管（JFET）： 详细介绍了JFET的P沟道和N沟道结构，以及栅极电压对沟道导电性的控制原理。分析了JFET的工作特性曲线，包括漏极特性曲线和跨导特性曲线。 绝缘栅型场效应管（MOSFET）： 详细介绍了N沟道和P沟道增强型MOSFET以及耗尽型MOSFET的结构。深入解析了栅极电压（VG）如何通过电场效应在半导体表面形成导电沟道（或耗尽沟道），从而控制漏极电流（ID）。重点分析了MOSFET的阈值电压（Vth）、跨导（gm）、输出电阻等关键参数。 FET的等效电路与参数： 小信号等效电路： 讲解了JFET和MOSFET的小信号等效电路模型，包括跨导、输出电阻、栅极输入电阻等。 主要参数： 详细分析了FET的关键参数，如跨导（gm）、漏极输出电阻（rds）、栅源电压（VGS）、漏源电压（VDS）、阈值电压（Vth）、栅漏电容（Cgd）、栅源电容（Cgs）等。 FET的放大电路应用： 基本放大电路： 讲解了共源极、共漏极（源极输出器）和共栅极（漏极输出器）三种基本放大电路的结构、工作原理、电压增益、输入输出阻抗、频率响应特性。 偏置电路： 介绍JFET和MOSFET的偏置方法，以保证其工作在放大区。 高输入阻抗特性： 重点强调了FET作为高输入阻抗器件的优势，及其在对信号源负载要求极低的场合的应用。 FET的开关电路应用： 开关特性： 分析了MOSFET作为开关的优势，如低导通电阻（Rds(on)）、零栅极驱动电流、高速开关特性。 典型应用： 重点介绍MOSFET在开关电源（DC-DC转换器、AC-DC转换器）、功率放大器、数字逻辑电路、固态继电器等领域的广泛应用。 第四部分：其他重要微电子器件 晶闸管（SCR）及其派生器件： 晶闸管（SCR）： 详细介绍SCR（硅控整流器）的四层结构和工作原理，触发导通、门极控制、续流等特性。重点分析其在可控整流、电源调压、电机调速等大功率电力电子领域的应用。 双向晶闸管（TRIAC）： 讲解TRIAC（双向可控硅）的结构和工作原理，其能够控制交流电的两个半周的导通。介绍其在交流调光、交流电机调速等应用。 单向触发二极管（DIAC）： 介绍DIAC（双向触发二极管）的结构和特性，其主要用于触发TRIAC。 门极可关断晶闸管（GTO）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）： 简要介绍GTO和IGBT等更先进的电力电子器件的特点和应用领域。 集成电路（IC）基础： IC的分类： 简述模拟IC（如运算放大器、稳压器）和数字IC（如逻辑门、微处理器）的基本概念和应用。 常用IC型号介绍： 选取一些在电子设计中常用的、基于微电子器件构建的IC，如LM78xx系列线性稳压器、NE555定时器、TL431精密基准源等，介绍它们的功能、引脚定义、主要参数和典型应用电路。 传感器与微控制器接口： 微电子传感器： 简要介绍温度传感器（如NTC、PTC、热敏电阻）、压力传感器、光传感器等微电子器件的传感原理。 微控制器与微电子器件的接口： 探讨如何利用前面介绍的微电子器件（如二极管、三极管、MOSFET）构建微控制器（MCU）的外围接口电路，实现对外部设备的控制和信号采集。 第五部分：微电子器件的选型与可靠性 选型原则： 详细讲解了根据电路功能、工作频率、功率需求、电压电流等级、环境条件、成本等因素，选择合适的微电子器件的方法。 主要参数的理解与测试： 强调理解器件规格书（Datasheet）中关键参数的意义，以及进行实际参数测试的重要性。 可靠性与失效分析： 介绍了微电子器件的可靠性概念，常见的失效模式（如过载、过温、静电损伤），以及提高器件可靠性的措施。 最新发展趋势： 展望了微电子器件领域的最新发展方向，如纳米器件、MEMS（微机电系统）、异质集成等，以及它们对未来电子技术的影响。 本书特点： 理论与实践相结合： 不仅深入讲解了微电子器件的工作原理，还通过丰富的实例电路，展示了其在实际应用中的方法。 结构清晰，逻辑严谨： 全书按照器件类型和应用领域进行系统梳理，便于读者循序渐进地学习。 内容翔实，参数全面： 提供了大量关键器件的关键参数和选型参考，实用性强。 语言精炼，通俗易懂： 避免使用过于晦涩的专业术语，力求使广大读者都能理解和掌握。 适用读者： 从事电子产品设计、开发、测试和维修的工程师。 对电子技术感兴趣的大学本科生、研究生及相关专业的技术人员。 电子爱好者和创客。 需要了解微电子器件在自动化、通信、消费电子等领域应用的专业人士。 总而言之， 《电子元器件应用技术手册：微电子器件分册》是一本集理论、实践、参考于一体的 comprehensive guide，将帮助读者全面掌握微电子器件的知识体系，提升电子电路设计与应用能力，应对不断发展的电子技术挑战。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计非常吸引人，一看就知道是那种内容扎实、信息量巨大的工具书。虽然我还没来得及深入研读每一个章节，但光是翻阅目录，我就能感受到编者在内容组织上的匠心独运。特别是关于新型存储器和功率器件那几章，结构清晰，逻辑严密，像是为工程师们量身定做的一本实战指南。我注意到书中大量采用了图表和流程图来辅助讲解复杂的半导体物理概念，这对于我们这些在实际工作中需要快速定位和解决问题的技术人员来说，无疑是极大的便利。它不像某些学术专著那样晦涩难懂，而是非常注重理论与实践的结合。我尤其期待看到它在特定应用场景下的设计考量和参数选择依据，相信这部分内容能帮我少走很多弯路。这本书的厚度也让我心满意足，沉甸甸的感觉就代表着它蕴含的知识深度和广度，绝对是案头必备的参考资料。

评分☆☆☆☆☆

这本书的体量和内容的密度，让人不得不佩服编纂团队的专业素养和奉献精神。我注意到很多国内外的标准术语和命名规范在书中得到了统一和规范，这在跨国合作项目中尤其重要，能够有效减少因术语不一致导致的沟通障碍。此外，书中对一些特定应用领域——比如射频前端、模拟混合同步电路中对低噪声、高线性度器件的要求——进行了专门的章节梳理，这些实战经验的总结，是纯粹的理论教材无法提供的。我个人认为，这本手册的价值已经超越了“手册”的范畴，它更像是一部浓缩的、高度提炼的微电子器件应用百科全书。对于任何一个需要深入理解半导体器件工作原理并将其应用于复杂系统设计的工程师而言，它都是一本值得反复阅读、常备案头的宝贵资源，阅读过程中会不断有“原来如此”的豁然开朗感。

评分☆☆☆☆☆

我的工作偏向于可靠性和失效分析领域，因此我特别关注器件的长期工作性能和环境适应性。这本书在器件的可靠性评估和故障模式分析部分，内容组织得非常系统和严谨。它没有泛泛而谈，而是针对性地列举了热应力、电迁移、静电放电（ESD）等关键失效机制在不同工艺节点下的表现差异，并且给出了相应的测试和预防措施的建议。这种关注“隐性成本”——即器件在实际部署后可能出现的潜在问题——的处理方式，体现了编纂者深厚的行业经验。我发现其中关于高频特性和噪声模型的部分，也与我们进行精确仿真建模的需求高度契合。总而言之，它提供了一个从器件制造到最终系统稳定运行的完整技术闭环视图，对于追求极致产品质量的研发团队来说，是非常重要的技术支撑。

评分☆☆☆☆☆

作为一名电子设计初学者，我经常在查找某个特定参数或者工艺窗口时感到无从下手，面对海量的datasheet常常感到迷茫。这本手册的出现，简直就像是为我点亮了一盏明灯。它不像单纯的器件规格书那样只列出数据点，而是将这些数据点置于一个更宏大的技术背景之下进行阐述。比如，在讲解MOSFET的短沟道效应时，书中不仅给出了数学模型，还非常直观地解释了不同掺杂浓度和栅长对阈值电压的影响，配图非常到位，让我一下子就理解了背后的物理机制。这种由浅入深、循序渐进的讲解方式，极大地降低了学习微电子器件的门槛。我感觉这本书不仅仅是一本工具书，更像是一位经验丰富的老工程师在手把手地指导我如何正确、高效地选择和应用这些关键的微小元件。

评分☆☆☆☆☆

说实话，我最初对这类手册的期望值是中等的，毕竟市面上同类书籍汗牛充栋，很多都是旧瓶装新酒，缺乏创新。然而，这本《电子元器件应用技术手册：微电子器件分册》完全颠覆了我的初步印象。它的排版和字体选择非常专业，阅读体验极佳，即便是长时间查阅也不会感到视觉疲劳。最让我惊喜的是，它对于一些前沿的、刚刚商业化不久的微纳器件的介绍，信息更新速度令人称赞。我注意到对先进封装技术和异质集成方面的论述，其深度和细节程度远超我之前接触的任何一本参考书。这表明编纂团队一定投入了巨大的精力去追踪行业最新的动态和标准。这本书的价值不在于教授基础理论，而在于提供一个高屋建瓴的、集成化的视角，帮助读者理解不同器件如何在复杂的集成系统中协同工作，这对于系统级的架构师来说，是无价之宝。