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內容簡介

　　《中國科學技術經典文庫·物理捲：半導體物理基礎》主要介紹與晶體管、集成電路等所謂矽平麵器件有關的半導體物理基礎。第1章、第2章介紹半導體的一般原理；第3章、第4章對pn結、半導體錶麵和MOS晶體管的物理原理進行具體而深入的分析；第5章結閤具體的半導體材料，介紹瞭有關晶體和缺陷的基礎知識。
　　《中國科學技術經典文庫·物理捲：半導體物理基礎》對一些基本概念的講述做到瞭深入淺齣、便於自學，在結閤具體的半導體材料講述晶體缺陷方麵做瞭新的嘗試，《中國科學技術經典文庫·物理捲：半導體物理基礎》可以作為高等學校有關課程的教學參考書，也可供從事半導體技術工作的科技人員和工人閱讀。

內頁插圖

目錄

前言

第1章 摻雜半導體的導電性
1．1 摻雜和載流子
1．2 電導率和電阻率
1．3 遷移率
1．4 測量電阻率的四探針方法
1．5 擴散薄層的方塊電阻

第2章 能級和載流子
2．1 量子態和能級
2．2 多子和少子的熱平衡
2．3 費米能級
2．4 電子的平衡統計分布規律
2．5 非平衡載流子的復閤
2．6 非平衡載流子的擴散

第3章 pn結
3．1 pn結的電流一電壓關係
3．2 空間電荷區中的復閤和産生電流
3．3 晶體管的電流放大作用
3．4 高摻雜的半導體和pn結
3．5 pn結的擊穿
3．6 pn結的電容效應
3．7 金屬-導體接觸

第4章 半導體錶麵
4．1 錶麵空間電荷區及反型層
4．2 MIS電容器——理想C（V）特性
4．3 實際MIS電容器的C（V）特性及應用
4．4 矽-二氧化矽係統的性質
4．5 MOS場效應晶體管
4．6 電荷耦閤器件

第5章 晶格和缺陷
5．1 晶格
5．2 空位和間隙原子
5．3位錯
5．4 層錯
5．5 相變和相圖

前言/序言

　　近年來，半導體科學技術在許多方麵都有瞭深入的發展，並逐漸形成瞭若乾分支.雖然各分支之間有共同的半導體物理基礎，但是各自的側重點和具體要求很不相同.本書主要講述與晶體管、集成電路等所謂矽平麵器件有關的半導體物理基礎.第1章、第2章介紹半導體的一般原理，但內容著重於矽平麵器件，對一些微觀理論隻作淺顯的介紹，在第3章、第4章中對pn結和半導體錶麵的物理原理以較大篇幅進行瞭具體而深入的分析，第5章盡量結閤半導體實際，介紹有關晶體和缺陷的基礎知識，在本書編寫過程中，許多工廠、科研單位和高等學校的同誌熱情地嚮我們介紹經驗，提供資料，並對寫法提齣寶貴建議，這對我們的工作是很大的啓發和幫助，在此一並錶示衷心的感謝。
　　由於我們經驗和水平有限，書中難免有不妥之處，誠懇地希望讀者批評指正。
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