电介质物理基础 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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☆☆☆☆☆

孙目珍 著

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• 电介质物理
• 介电学
• 材料物理
• 凝聚态物理
• 物理学
• 高分子物理
• 绝缘材料
• 电子材料
• 电介质材料
• 应用物理

出版社： 华南理工大学出版社

ISBN：9787562314981

版次：1

商品编码：10039979

品牌：墨点

包装：平装

开本：32开

出版时间：2000-03-01

页数：304

正文语种：中文

内容简介

　　全书分为五章。一章，电介质的极化，从宏观和微观两种不同的分析角度讨论了电介质极化的机理，对电子位移极化、离子位移极化、偶极子转向极化、热离子松弛极化、空间电荷极化的机理进行了讨论，导出各类极化所遵守的规律。第二章，电介质的损耗，对电介质在静电场、交变 全书分为五章，一章介绍电介质的极化第二章介绍电介质的损耗第三章介绍电介质的电导和击穿第四章介绍铁电晶体第五章电介的热刺激松弛理论及其应用。

目录

第一章电介质的极化
第一节真空中的静电场
一、库仑定律
二、电场强度
三、高斯定理
四、高斯定理的应用
五、电偶极子
六、电感应强度
七、电势
第二节电介质的极化和介电系数
第三节洛伦兹有效电场和克劳休斯_莫索缔方程
第四节极性液体电介质的翁沙格有效电场
第五节电介质极化的机理
一、电子位移极化
二、离子位移极化
三、偶极子转向极化
四、热离子松弛极化
五、空间电荷极化
...............
第五章电介质的热刺激松弛理论及其应用
附录
参考文献

前言/序言

《电介质物理基础》内容排雷与内容侧重指南 导读： 本书旨在为读者提供一套全面、深入且具有前瞻性的电介质物理学理论框架。然而，鉴于电介质物理领域知识的广度和深度，为确保本书内容的聚焦性与前沿性，我们明确排除了以下几个领域的内容，以便将篇幅和精力集中于核心概念和现代应用上。读者在阅读和研究过程中，请注意，本书不涵盖以下主题的详细讨论： --- 一、 经典电磁学基础与麦克斯韦方程组的纯数学推导 本书将不深入探讨麦克斯韦方程组的经典形式及其在真空或简单介质中的纯数学解法。我们假设读者已具备扎实的经典电磁学背景，了解场论的基本概念，如电位移矢量 $mathbf{D}$、磁场强度 $mathbf{H}$、坡印亭矢量 $mathbf{S}$ 等。 具体排除项包括： 1. 严格的向量微积分基础： 不会详细讲解旋度、散度、梯度在三维空间中的应用，或拉普拉斯算子、达朗贝尔算子的具体推导过程。 2. 波导理论的电磁场分析： 本书不涉及微波工程中常见的波导（如矩形波导、圆波导）的本征模式（TE、TM、TEM）的精确场分布计算，除非这些计算直接服务于理解介质中的特定界面效应。 3. 电磁兼容性（EMC）的工程实践： 涉及屏蔽设计、辐射抑制等工程化问题的讨论将被极度精简或完全排除。 --- 二、 固体物理学的微观能带理论的深度剖析 虽然电介质的极化本质上是微观电子结构决定的，但本书不会将篇幅用于固体物理学中关于晶体结构、能带理论的完整论述。 具体排除项包括： 1. 布洛赫定理与晶格振动（声子）： 不会详细推导布洛赫函数的性质，或深入探讨晶格热振动对介电常数的贡献（除非是针对特定铁电材料的高温非线性效应）。 2. 半导体物理： 涉及费米能级、载流子输运（漂移与扩散）、PN结特性的内容将不予涵盖。本书关注的是电介质的绝缘特性，而非导电或半导电材料。 3. 量子化学计算方法： 不会介绍密度泛函理论（DFT）、Hartree-Fock方法等用于计算原子极化率的计算物理学细节。 --- 三、 材料科学中的合成、制备与加工工艺 本书的核心是“物理”，而非“工程”。因此，关于如何合成、提纯、生长特定电介质晶体或薄膜的详细工艺步骤将被排除。 具体排除项包括： 1. 化学气相沉积（CVD）与溅射（Sputtering）参数优化： 不会给出制备特定高 $kappa$ 材料（如 $ ext{HfO}_2$）的具体温度、压力和气体流量配比。 2. 薄膜缺陷工程： 针对薄膜生长过程中产生的晶界、空位、间隙原子等缺陷的微观控制手段，本书仅在需要解释特定电导率或击穿机制时作概念性提及，不进行深入的实验方法论介绍。 3. 材料的宏观力学和热学性能： 例如，不会详细讨论电介质材料的拉伸强度、杨氏模量、热膨胀系数等纯粹的机械或热学参数，除非它们与电场下的结构变化（如压电效应）直接相关。 --- 四、 介电损耗的频谱分析与弛豫动力学（高频/太赫兹部分） 介电损耗是电介质物理的重要组成部分，但本书将侧重于低频到微波频段的经典洛伦兹模型和德拜弛豫模型在理解极化机制中的应用。对于极高频率（太赫兹及以上）的复杂动态响应，我们将采取概述性的处理。 具体排除项包括： 1. 太赫兹时域光谱学（THz-TDS）的实验细节： 不会详细介绍如何使用飞秒激光脉冲来探测超快电介质响应的实验装置和数据反演技术。 2. 非线性介电响应的微观机理（非铁电）： 诸如饱和效应、阈值场效应在非铁电材料中响应的复杂高阶微分方程求解，将不作为重点。 3. 弛豫谱的精确拟合： 复杂的数据拟合技术，如使用Kohlrausch-Williams-Watts (KWW) 函数对宽带介电谱进行精确拟合的数学技巧，不会被详细展开。 --- 五、 现代集成电路中的应用与器件物理 本书的焦点是“物理基础”，而不是“器件应用”。因此，涉及具体集成电路设计和半导体工艺的交叉领域将被严格限制。 具体排除项包括： 1. MOSFET结构中的栅极氧化层： 不会深入探讨沟道效应、阈值电压调控或漏电流的详细模型，这些属于半导体器件物理范畴。 2. 浮栅存储器（Flash/FRAM）的工作原理： 涉及电荷捕获、隧穿电流的精确模型（如Fowler-Nordheim隧穿）的工程化应用，将不作为核心内容。 3. 电容器的等效电路模型（器件级）： 本书将使用简化的等效电路来阐述电容和损耗，但不会深入到封装电感、寄生电阻等器件级的等效电路优化。 --- 总结：本书的聚焦领域 通过上述排除，本书得以将全部精力投入到：电介质的基本分类（线性和非线性）、极化机制的微观起源（电子、离子、取向极化）、介电常数的宏观唯象理论（居里-外斯定律、洛伦兹公式）、界面与空间电荷效应（空间电荷限制电流SCLC、界面极化）、以及铁电性、压电性、焦电性的热力学与统计力学描述。 读者可预期获得对电介质本质特性及其在场作用下响应的深刻理解，而非工程实践或纯粹的计算方法论。

评分☆☆☆☆☆

刚翻完这本《电介质物理基础》，心里实在是五味杂陈。说实话，我对电介质这个领域本就抱持着一种敬畏之心，总觉得它深奥莫测，而这本书的呈现方式，更是把这种感觉放大了不少。它似乎更像是一本为已经浸淫多年的行家准备的工具书，而不是一个新手入门的向导。书中的理论推导异常详尽，从麦克斯韦方程组的深入剖析到各种介质模型的建立，每一步都走得异常扎实，丝毫不含糊。特别是关于“弛豫过程”那一章，作者用大量的数学语言构建了一个复杂的频域响应模型，我尝试着去跟上那个逻辑链条，却感觉像是在迷宫里绕圈子。虽然理论的深度毋庸置疑，但它缺乏那种能将复杂概念“平民化”的叙述技巧。很多时候，我需要反复阅读同一段话，再结合脑海中零星的知识点去“猜”作者的意图。对于我这种期望看到清晰图示和直观比喻的读者来说，这本书的文字密度实在太高了。它更像是冷峻的学术报告，而非温暖的知识传递。我甚至觉得，如果能配上一些现代化的仿真结果或者实际应用案例的分析，哪怕只是作为辅助材料，都会大大提升阅读体验，让那些冰冷的公式不再那么拒人千里之外。不过，对于那些寻求钻研微观机理，不满足于表面描述的硬核研究者来说，这本书无疑是提供了坚实的理论基石，只是代价是牺牲了大量的可读性和亲近感。

评分☆☆☆☆☆

这本书的阅读体验，坦白说，是一场对耐心和毅力的考验。它的语言风格是那种典型的、不容置疑的权威口吻，很少使用疑问句或探讨性的语气来引导读者思考。每一个结论都像是从天而降的真理，直接呈现出来，缺乏一种“带着读者一起探索发现”的互动感。例如，在介绍“巨介电效应”的物理来源时，作者直接给出了一个复杂的积分方程，然后下一步就是证明其渐近解，中间省略了大量的中间推理步骤，仿佛读者已经心领神会地知道如何从最基本的电荷守恒过渡到这个积分形式。这种处理方式，对于已经掌握了相关数学工具的读者来说或许高效，但对于像我这样，需要看到每一步逻辑桥梁的学习者而言，阅读过程充满了卡顿和挫败感。我时常需要停下来，翻阅其他数学参考书来回顾傅里叶变换的性质、拉普拉斯算子的具体应用，才能重新激活对这段物理描述的理解。如果作者能在关键的数学飞跃处增加简短的注解，解释为何选择这种数学工具，或者指出该步骤对应的是哪种物理假设，那么这本书的指导性会大大增强，阅读的流畅度也会相应提高。

评分☆☆☆☆☆

让我印象深刻的另一点是，这本书在引用和参考文献方面显得过于保守和传统。虽然参考文献列表很长，但绝大多数的引用都指向了二战前后的经典文献和本世纪初的综述。这当然保证了理论的“经典性”和“根基的牢固”，但同时也暴露了其在时效性上的不足。当我尝试去追溯某些关键概念的最新发展时，发现引用链条在近十年内就断裂了。比如，在讨论非晶态固体的介电行为时，书中引用的都是一些几十年前的实验数据和理论模型，而近些年借助扫描隧道显微镜（STM）等技术发现的新的局域结构弛豫机制，却完全没有涉及。这使得整本书读起来像是一部精美的、保存完好的历史文献，而不是一本具有生命力的当代教材。我期待能看到更多对这些新实验结果的反馈和讨论，哪怕只是批判性地指出原有模型的局限性。这种对新进展的“选择性忽视”，使得读者在掌握了“标准”理论后，依然需要花费大量的精力去“更新知识库”，才能跟上当前学术界的主流讨论方向。总而言之，它提供了非常扎实的理论地基，但上层建筑的更新速度却明显滞后了。

评分☆☆☆☆☆

我对书中对“介质损耗”部分的论述感到非常困惑，不是因为内容错误，而是因为其覆盖的广度和深度呈现出一种极端的倾向性。作者似乎将大量的篇幅投入到了非常特定的、高度理想化的模型中，比如讨论在极低频率下，电子极化与离子极化如何以一种近乎完美的正弦波响应进行耦合。然而，在实际工程应用中更为常见的、例如在高频电磁场激励下材料内部的非线性响应，或者由于材料缺陷导致的随机噪声效应，却被一带而过，或者仅用了一到两个简短的段落提及，缺乏深入的数学建模和物理分析。这让我感觉，这本书似乎更偏向于对“完美晶体”或“理想电介质”的纯理论探索，而与当代电子设备中材料的实际工作环境存在一定的脱节。我本期待能看到更多关于“介质击穿”的微观机制探讨，比如如何利用量子力学的概念来预测材料在瞬时高电场下的行为，或者探讨新型复合材料中的界面极化效应，但这些前沿或实用性的讨论几乎没有出现。这本书更像是一部关于经典电动力学在特定背景下应用的教科书，而非一本紧跟当前材料科学进展的专著。读完后，我依然需要大量补充近二十年来的研究进展，才能将这些基础理论与现代器件设计联系起来。

评分☆☆☆☆☆

这本书的装帧和排版风格，给我的第一印象是“复古且严肃”。纸张的质感不错，拿在手里有分量感，但内页的布局就显得有些拥挤了。字体选择偏小，行距也比较紧凑，这在阅读长篇幅的理论阐述时，对眼睛的负担着实不小。我尤其想提一下它的插图——数量相对稀少，而且很多示意图看起来像是上世纪八九十年代的铅笔素描扫描件，线条不够清晰，很多细节在黑白打印下难以区分正负电荷的指向或者电场分布的渐变。这对于学习一个高度依赖空间想象力的物理分支来说，是个不小的障碍。我记得在讲到“铁电体畴结构”那部分时，图示的模糊让我很难直观地理解正反向极化是如何在材料内部相互作用并形成稳定结构的。我不得不放下书，去网络上搜索其他教材的图例进行交叉对比，才能勉强拼凑出完整的画面。这种需要读者自行补充视觉信息的阅读体验，无疑拖慢了理解的进程。如果能全面升级为高分辨率的矢量图，并辅以更现代的色彩标注来区分不同的物理场量，这本书的价值会立刻提升一个量级。现在的状态，更像是时间凝固在了某种特定的出版年代，内容很精湛，但表现形式却显得有些力不从心。

评分☆☆☆☆☆

书还是不错的，等待慢慢来看！

评分☆☆☆☆☆

半导体Y科学与技Y术丛书：半导体物理学

评分☆☆☆☆☆

包装不错，速度很快

评分☆☆☆☆☆

内容很好，价格合理。

评分☆☆☆☆☆

就是里面的公式太多了，看得头晕！

评分☆☆☆☆☆

￥51.00(7.5折)

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(100%好评)

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好小的一本书

评分☆☆☆☆☆

还行吧，希望你们各方面再完善些就好了。。。