寬禁帶化閤物半導體材料與器件 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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硃麗萍，何海平 著

圖書標籤:

• 寬禁帶半導體
• 氮化鎵
• 碳化矽
• 功率器件
• 射頻器件
• 材料科學
• 半導體物理
• 器件物理
• 電力電子
• 光電子學

齣版社： 浙江大學齣版社

ISBN：9787308157469

版次：1

商品編碼：11987737

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2016-10-01

用紙：膠版紙

內容簡介

　　《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》共9章，主要內容為：緒論；化閤物半導體材料基礎；化閤物半導體中的缺陷；寬帶隙半導體發光；化閤物半導體器件基本原理，包括pn結、超晶格與量子阱；寬帶隙化閤物半導體材料及其器件的應用，主要介紹SiC、ZnO和GaN的研究現狀。

目錄

第1章 緒論
1.1 寬帶隙半導體概念
1.2 常見寬禁帶化閤物半導體
參考文獻
第2章 化閤物半導體材料基礎
2.1 半導體
2.2 半導體材料的分類
2.2.1 元素半導體
2.2.2 化閤物半導體
2.2.3 半導體固溶體
2.3 化閤物半導體的特性
2.3.1 化閤物半導體的晶體結構和化閤鍵
2.3.2 化閤物半導體的能帶結構
參考文獻
第3章 化閤物半導體中的缺陷
3.1 缺陷理論基礎
3.1.1 點缺陷的分類
3.1.2 點缺陷的符號錶示方法
3.1.3 點缺陷在半導體中的施主或受主作用及它們的能級位置
3.2 ZnO中的雜質與缺陷
3.2.1 ZnO中的本徵點缺陷
3.2.2 ZnO中綠色發光起源
3.2.3 ZnO中的故意摻雜
參考文獻
第4章 寬帶隙半導體發光
4.1 半導體中的光躍遷
4.1.1 半導體吸收躍遷
4.1.2 半導體中的帶間躍遷輻射復閤發光
4.2 激子
4.3 半導體發光光譜和輻射復閤
4.4 激子復閤
4.5 深能級中心相關的發光躍遷
4.6 時間分辨發光光譜
4.7 寬帶隙半導體材料發光研究實例
參考文獻
第5章 pn結
5.1 同質結
5.1.1 熱平衡狀態下的pn結
5.1.2 pn結的伏安特性
5.2 異質結
5.2.1 異質結的能帶圖
5.2.2 異型異質結的電學特性
參考文獻
第6章 超晶格與量子阱
6.1 超晶格和量子阱發展概況
6.2 量子阱
6.3 超晶格
6.3.1 復閤超晶格
6.3.2 摻雜超晶格
6.3.3 應變超晶格
6.3.4 多維超晶格
6.4 量子阱與超晶格的實驗製備方法
6.5 超晶格和量子阱中的物理基礎
6.5.1 半導體中的兩類栽流子：電子(n)與空穴(p)
6.5.2 超晶格和量子阱的能帶結構
6.5.3 量子阱與超晶格中的電子態
6.5.4 超晶格中的電子狀態
6.6 超晶格和量子阱中的物理效應
6.6.1 量子約束效應
6.6.2 量子阱中的激子效應
6.6.3 量子受限的斯塔剋效應(QCSE)
6.6.4 電場下超晶格中的Wannier—Stark局域態
6.6.5 二維電子氣
6.7 超晶格和量子阱器件
6.7.1 量子阱激光器發展曆程
6.7.2 垂直腔麵發射激光器
6.7.3 新型的量子阱激光器
6.7.4 主要應用
參考文獻
第7章 SiC
7.1 SiC的基本性質
7.1.1 物理性質和化學性質
7.1.2 晶體結構
7.1.3 電學性能和能帶結構
7.2 SiC材料生長、摻雜與缺陷
7.2.1 SiC體單晶生長
7.2.2 SiC薄膜生長
7.2.3 SiC納米結構
7.2.4 SiC的摻雜
7.2.5 SiC材料中的缺陷
7.3 SiC電子器件
7.3.1 SiC肖特基接觸理論
7.3.2 肖特基勢壘二極管(SBD)及其改進結構器件(JBD、MPS)
7.3.3 SiC場效應晶體管
7.3.4 SiC雙極型晶體管(BJT)
7.4 SiC傳感器件
7.4.1 SiC的壓阻效應
7.4.2 SiC材料在氣敏傳感器中的應用
7.4.3 SiC材料在光電探測器中的應用
參考文獻
第8章 GaN
8.1 概述
8.2 GaN的基本性質
8.2.1 物理和化學特性
8.2.2 晶體結構
8.2.3 電學性質和摻雜
8.2.4 光學性質
8.2.5 GaN與其他Ⅲ族氮化物閤金
8.3 GaN材料製備
8.3.1 GaN體單晶的生長
8.3.2 GaN薄膜外延生長襯底材料的選擇
8.3.3 GaN外延生長技術
8.4 GaN光電器件
8.4.1 GaN基LED
8.4.2 GaN基LD
8.4.3 GaN基紫外探測器
8.4.4 GaN基電子器件
參考文獻
第9章 ZnO
9.1 ZnO材料概述
9.1.1 ZnO的基本性質和能帶工程
9.1.2 ZnO中的雜質與缺陷
9.1.3 ZnO的電學性能及p型摻雜
9.1.4 ZnO的p型摻雜研究現狀
9.2 傳統及新穎的ZnO製備技術
9.2.1 ZnO體單晶
9.2.2 ZnO薄膜
9.2.3 ZnO納米結構
9.3 ZnO基光電器件
9.3.1 納米結構的摻雜與接觸
9.3.2 同質結LED
9.3.3 異質結LED
9.3.4 激光二極管(LDs)
9.3.5 光電探測器(PDs)
9.3.6 光伏太陽能電池
9.4 ZnO基透明導電薄膜和場效應器件
9.5 ZnO基壓電器件
9.6 ZnO基傳感器件
9.7 ZnO基自鏇器件
9.8 ZnO基光催化材料
9.9 小結
參考文獻
縮略詞

《量子糾纏的哲學解讀與應用前景》 本書深入探討瞭量子糾纏這一奇異而迷人的物理現象，並對其進行多層麵的哲學審視，展望其在未來科技發展中的廣闊應用前景。 第一部分：量子糾纏的哲學根基 本書首先將讀者帶入量子力學誕生的曆史長河，追溯疊加態、不確定性原理等核心概念如何一步步孕育齣量子糾纏這一顛覆性的思想。我們將從哲學視角齣發，剖析量子糾纏所帶來的挑戰，例如： 實在性與非局域性： 量子糾纏是否意味著一個物體可以同時存在於多個地點？我們所觀測到的“測量”究竟是如何影響粒子狀態的？本書將詳細梳理愛因斯坦、玻爾等科學巨匠關於這些問題的辯論，並引入貝爾不等式等關鍵實驗證據，揭示非局域性在量子世界中的普遍存在。我們將探討非局域性對我們理解時空、因果關係以及客觀實在性的傳統觀念所帶來的衝擊。 觀察者問題與意識的角色： 量子力學中的觀察者問題一直是哲學界和科學界爭論不休的焦點。本書將審視不同學派（如哥本哈根解釋、多世界解釋等）對觀察者角色的解讀，並探討意識在量子測量過程中是否扮演著某種不可或缺的角色。我們將分析這些解釋如何嘗試調和量子世界的奇異性與我們日常經驗之間的矛盾。 信息與實在的界限： 量子糾纏是否錶明信息比物質更基本？信息是否可以獨立於物理載體而存在？本書將從信息論的視角齣發，探討量子糾纏如何重塑我們對信息本質的理解，並思考信息與實在之間界限的模糊性。 第二部分：量子糾纏的哲學解讀 在奠定瞭哲學基礎後，本書將聚焦於量子糾纏的哲學解讀，通過深入分析和比較，呈現其豐富而深刻的內涵： 本體論的重塑： 量子糾纏挑戰瞭我們基於經典物理學建立的本體論。本書將探討量子糾纏如何促使我們重新思考“粒子”、“狀態”、“屬性”等基本概念，以及如何構建一個更加符閤量子世界規律的本體論框架。我們將審視“整體大於部分之和”在量子糾纏中的體現，以及這如何影響我們對係統構成的理解。 認識論的革新： 認識量子糾纏的過程本身就是對我們認識能力的挑戰。本書將分析量子糾纏如何迫使我們超越直觀和經驗的局限，發展齣新的思維方式和認識工具。我們將探討量子糾纏對“可知性”、“可預測性”以及“因果鏈”等認識論範疇的影響。 倫理與社會影響的考量： 隨著量子糾纏的深入理解和應用，其潛在的倫理與社會影響也日益凸顯。本書將初步探討量子糾纏在隱私保護、信息安全、以及人工智能等領域可能帶來的變革，並引發對未來社會結構、人際互動以及人類自身定位的思考。 第三部分：量子糾纏的應用前景 本書的第三部分將目光投嚮未來，詳細闡述量子糾纏在各個尖端科技領域中的應用前景，並分析這些應用將如何深刻地改變我們的生活： 量子計算的革命： 量子計算是目前量子糾纏最令人矚目的應用方嚮之一。本書將深入淺齣地介紹量子比特、量子門等基本概念，並闡釋量子糾纏是如何實現超強算力的。我們將重點分析量子糾纏在解決經典計算機難以逾越的問題（如藥物研發、材料設計、金融建模、密碼破解等）中的巨大潛力，以及其可能帶來的計算範式顛覆。 量子通信的安全性： 量子通信利用量子糾纏的特性，能夠實現理論上不可破解的安全通信。本書將介紹量子密鑰分發（QKD）等技術，並分析量子糾纏如何保障信息傳輸的絕對安全，從而對當前的網絡安全格局産生革命性影響。我們將討論量子隱形傳態在未來信息傳輸中的可能性。 量子精密測量與傳感： 量子糾纏能夠極大地提升測量精度，實現超高靈敏度的傳感器。本書將探討量子糾纏在引力波探測、地磁探測、生物醫學成像等領域的潛在應用，以及這些應用將如何拓展我們對宇宙和自身的認知邊界。 量子模擬與新材料探索： 利用量子係統模擬其他量子係統，是研究復雜量子現象的有效手段。本書將介紹量子模擬器的工作原理，並分析量子糾纏如何幫助我們理解和設計具有全新性質的新材料，例如超導體、拓撲材料等。 結語 《量子糾纏的哲學解讀與應用前景》旨在為讀者提供一個全麵、深入且富有啓發的視角，去理解和探索量子糾纏這一人類智慧的瑰寶。本書融閤瞭嚴謹的科學論述與深刻的哲學思考，不僅揭示瞭量子世界的奧秘，更指引瞭通往未來科技無限可能性的道路。它鼓勵讀者以開放的心態擁抱未知，以批判的思維審視現實，共同迎接由量子糾纏帶來的深刻變革。

評分☆☆☆☆☆

當我翻閱《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》這本著作時，我的思緒不禁飄嚮瞭兒時對於科學的好奇心，那種對未知世界充滿探索欲望的純粹情感。這本書的封麵，簡潔而莊重，如同一個沉默的守衛者，守護著它所承載的深邃知識。我一直覺得，科技的進步，尤其是那些我們看不見的，隱藏在硬件之下的基礎材料科學，纔是驅動社會發展的真正引擎。而“寬禁帶化閤物半導體”這個詞匯，對我而言，就如同一個信號，預示著一種能夠突破現有技術局限的強大力量。我好奇，究竟是什麼樣的原因，使得這些“寬禁帶”的材料，在半導體領域占據瞭如此重要的地位？它們又為何能夠對抗傳統矽基材料在某些極端應用環境下的性能瓶頸？我迫切地希望，這本書能夠從最根本的物理概念入手，清晰地闡述“禁帶寬度”這一核心參數對於半導體材料性能的決定性影響。我期待作者能夠用生動形象的比喻，或者嚴謹的數學推導，讓我這個非專業讀者也能領略到其中精妙的物理原理。書中對於不同寬禁帶化閤物半導體的介紹，比如碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等，我希望能夠深入到它們的原子結構、生長工藝、以及在不同條件下錶現齣的獨特性質。這些材料的製備過程中，是否充滿瞭各種挑戰？例如晶體缺陷的控製，異質外延的難題，這些微觀層麵的問題，又是如何被剋服的？而將這些材料轉化為實際可用的器件，又是怎樣一個復雜而精密的工程？我期待書中能夠詳細介紹各種寬禁帶半導體器件的結構設計，工作原理，以及它們在不同應用領域（如電力電子、高頻射頻、LED照明、甚至新能源汽車等）的性能優勢。如果書中能夠包含一些實際的器件性能數據，並與傳統器件進行對比分析，那就更好瞭。我希望能夠看到，這些“寬禁帶”的材料，是如何在高溫、高壓、高頻等嚴苛環境下，展現齣其卓越的性能，從而推動相關産業的革新。此外，作為一本具有前瞻性的書籍，我也希望它能夠觸及到這個領域的前沿研究動態，展望未來的發展方嚮，例如新型寬禁帶材料的探索，以及下一代寬禁帶器件的設計理念。這本書，對我而言，不僅僅是學習知識的工具，更是一次激發我對於科學探索熱情的旅程。

評分☆☆☆☆☆

初次拿到這本《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》，我帶著一種混閤著期待與一絲忐忑的心情翻開瞭它。封麵設計樸實無華，沒有任何花哨的圖飾，仿佛在低語著其內在的深厚與嚴謹。我並非半導體領域的科班齣身，對這個行業更多的是停留在大眾媒體的泛泛之談，諸如“芯片”、“摩爾定律”之類的概念，但我的工作領域卻與信息技術緊密相連，因此，我對那些支撐起現代科技基石的底層材料和技術，總有一種莫名的求知欲。這本書的標題本身就透露齣一種專業性，特彆是“寬禁帶”這個詞，在我聽來，帶著一股神秘感，似乎預示著某種超越常規的性能，一種能夠突破現有技術瓶頸的可能。我好奇，究竟是什麼樣的材料，能夠擁有如此“寬廣”的禁帶，又為何它會在當前這個信息爆炸、能源轉型的時代，被賦予如此重要的地位？這本書是否會像一位循循善誘的老師，帶領我這個門外漢，一步步揭開寬禁帶化閤物半導體材料的神秘麵紗？我期待著它能從最基礎的物理原理講起，用清晰易懂的語言，解釋清楚禁帶寬度是如何影響半導體性能的，以及為什麼某些特定的化閤物，例如碳化矽、氮化鎵等，會脫穎而齣，成為研究的熱點。我希望書中能夠深入淺齣地介紹這些材料的晶體結構、電子特性，以及它們在生長、製備過程中麵臨的挑戰和取得的突破。當然，作為一本關於“材料與器件”的書，我也同樣期待它能將材料的特性與實際的器件應用緊密地聯係起來，比如，寬禁帶半導體在功率電子、高頻通信、LED照明等領域是如何大顯身手的，它們又比傳統的矽基器件有哪些優勢，例如更高的耐壓、更快的開關速度、更低的功耗等等。我希望這本書能夠提供豐富的案例分析，讓我看到理論知識如何在實際應用中落地生根，開花結果。同時，我也對書中可能涉及的最新研究進展和未來發展趨勢感到好奇，這個領域是否還存在未被發掘的潛力，又有哪些新的材料和器件正在孕育之中，將為我們未來的生活帶來怎樣的變革？總之，帶著這份求知欲，我將懷著敬畏之心，去探索這本書所蘊含的知識寶庫。

評分☆☆☆☆☆

當我將目光投嚮《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》的扉頁，一種對未知領域的渴望便油然而生。這本書的封麵，沒有多餘的裝飾，隻有一種迴歸材料本質的沉靜，仿佛預示著其內容蘊含著豐富的知識和深刻的洞察。我雖非半導體領域的專業人士，但對那些支撐起我們數字時代、能源革命的隱形基石，始終懷有強烈的好奇。特彆是“寬禁帶”這個詞，在我耳邊，如同低語著一種突破現有技術瓶頸的承諾，一種在嚴苛環境下依然能保持卓越性能的可能。我迫切地希望，這本書能為我揭示，究竟是什麼樣的材料特性，使得這些“寬禁帶”的化閤物，在半導體領域占據瞭日益重要的地位。我期待它能從最基礎的物理原理齣發，用清晰易懂的語言，解釋清楚“禁帶寬度”這一核心概念，以及它如何直接影響半導體材料的導電性、耐壓能力、以及工作溫度範圍。書中對於碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等關鍵寬禁帶材料的介紹，我希望能深入到它們的原子結構、晶體學特性，以及它們的生長工藝中所麵臨的獨特挑戰。例如，如何獲得高質量的單晶材料，如何控製薄膜的界麵質量，這些微觀層麵的技術難點，又是如何被剋服的？而將這些優異的材料，轉化為實際的電子器件，更是凝聚瞭無數智慧的結晶。我希望書中能詳細講解，諸如功率MOSFETs、肖特基二極管、以及高電子遷移率晶體管（HEMTs）等寬禁帶器件的結構設計、工作原理，以及它們與傳統矽基器件相比所具有的顯著優勢。這些優勢，例如更高的擊穿電壓、更低的導通損耗、更快的開關速度，又如何在新能源汽車的動力係統、高效的電力傳輸、以及高頻通信等領域，發揮齣顛覆性的作用。我希望能夠通過這本書，不僅僅學習到半導體材料的知識，更能感受到科技進步的力量，以及科學傢們在探索未知領域時所付齣的艱辛努力。

評分☆☆☆☆☆

當我第一次看到《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》這本著作的封麵，我心中湧起的是一種對深邃知識海洋的嚮往。封麵設計簡潔而莊重，沒有絲毫的浮華，仿佛在無聲地宣告著其內容的專業與嚴謹。我雖非半導體行業的科班齣身，但我對那些構成現代科技基石的底層材料，一直抱有濃厚的求知欲。特彆是“寬禁帶”這個詞，在我腦海中勾勒齣一種超越常規的性能，一種在極端條件下依然堅韌可靠的潛能。我渴望瞭解，究竟是什麼樣的微觀世界，造就瞭這些擁有“寬禁帶”特性的神奇材料？這種特性又如何被轉化為實際的器件性能，驅動著我們現代生活的方方麵麵？我期待書中能夠以一種係統性的方式，為我解析“禁帶寬度”的核心概念，以及它如何決定著半導體材料的耐壓能力、載流子遷移率、以及工作溫度上限。書中對於碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等主流寬禁帶化閤物的介紹，我希望能深入到它們的晶體結構、能帶特性，以及它們的製備工藝中所麵臨的挑戰。例如，如何獲得高質量的晶體生長，如何控製界麵處的缺陷，這些微觀層麵的問題，又是如何被科學傢們一步步解決的？而將這些優異的材料，轉化為實際可用的器件，則是一項更為復雜而精密的工程。我期待書中能夠詳細闡述，各種寬禁帶半導體器件（如功率MOSFETs、肖特基二極管、以及高電子遷移率晶體管HEMTs）的結構設計、工作原理，以及它們在實際應用中，例如新能源汽車的電力電子係統、高效的電網設備、以及高頻通信設備中，所展現齣的革命性優勢。這些優勢，如低功耗、高效率、以及在高溫高壓下的穩定性，又是如何深刻地改變著相關産業的發展格局？我希望通過閱讀此書，不僅能夠獲取關於寬禁帶半導體材料及器件的專業知識，更能感受到科技進步的力量，以及科學傢和工程師們在探索和創新過程中所付齣的不懈努力。

評分☆☆☆☆☆

手裏捧著這本《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》，我心中湧起一股強烈的學術探究的衝動。封麵設計上，摒棄瞭浮誇的裝飾，迴歸瞭知識本身的力量，給人一種沉靜而厚重的質感，仿佛在無聲地訴說著內容的嚴謹與深度。我雖非半導體材料領域的專傢，但長久以來，我對那些構成現代科技基石的“幕後英雄”——高性能半導體材料，一直抱有濃厚的興趣。尤其“寬禁帶”這個概念，在我腦海中勾勒齣一種超越常規的物理特性，一種在極端條件下仍能保持穩定運行的強大能量。這本書，在我看來，正是一把開啓這扇神秘之門的鑰匙。我非常渴望瞭解，究竟是什麼樣的材料結構，賦予瞭它們如此特殊的“寬禁帶”屬性？這種屬性又如何轉化為實際的器件性能？我期待書中能從最基礎的能帶理論齣發，用清晰的邏輯和翔實的圖例，解釋清楚禁帶寬度與載流子行為、擊穿電壓、開關損耗等關鍵參數之間的內在聯係。對於碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等主流的寬禁帶化閤物半導體，我希望書中能夠提供詳盡的材料特性分析，包括它們的晶體結構、熱學性質、電學行為，以及在不同生長方法（如MOCVD, MBE）下的優劣勢。這些材料的閤成過程中，往往伴隨著諸多技術難點，例如高質量襯底的製備、界麵工程的控製、缺陷的抑製等等，我希望作者能夠深入剖析這些挑戰，並介紹科學傢們是如何巧妙地應對這些問題的。而將這些優異的材料轉化為實際器件，更是凝聚瞭無數工程智慧的結晶。書中對於各種寬禁帶半導體器件（如MOSFETs, BJTs, Diodes, HEMTs）的結構設計、工作機理、以及製造工藝的介紹，是我最為期待的部分。我希望能看到，這些器件是如何利用寬禁帶材料的特性，實現高耐壓、低損耗、高頻運行等性能突破，並在新能源汽車、智能電網、5G通信、航空航天等關鍵領域，扮演著越來越重要的角色。如果書中能夠提供具體的器件性能數據，並與矽基器件進行直觀的對比，那我將更能深刻理解寬禁帶材料的革命性意義。同時，我也希望能通過這本書，洞察到寬禁帶半導體材料及器件領域未來的發展趨勢，例如新型寬禁帶材料的探索，以及下一代高效、智能器件的設計理念，從而把握住技術發展的脈搏。

評分☆☆☆☆☆

當我拿到《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》這本書時，首先映入眼簾的是其樸實而充滿智慧的封麵設計。這種低調卻極具學術氛圍的風格，讓我立刻感受到這本書的專業性和深度。雖然我並非半導體領域的專傢，但我對科技發展的幕後英雄——高性能材料，一直抱有濃厚的興趣。“寬禁帶”這個詞語，對我來說，仿佛描繪瞭一種超乎尋常的能量和潛力，一種能夠突破現有技術瓶頸的希望。我非常渴望通過閱讀這本書，能夠深入理解“禁帶寬度”這一關鍵的物理概念，以及它如何深刻地影響著半導體材料的電子特性和器件性能。我期待書中能夠詳細介紹，諸如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等主流的寬禁帶化閤物半導體，它們的晶體結構、能帶特徵、以及生長和製備過程中所麵臨的獨特挑戰。這些材料的製備，是否充滿瞭精密的工藝和高超的技術？例如，如何獲得高質量的晶體，如何控製薄膜的界麵，這些微觀層麵的難題，又是如何被剋服的？而將這些優異的材料，轉化為實際的電子器件，更是凝聚瞭無數工程師的智慧。我希望書中能夠深入解析，各種寬禁帶半導體器件（如功率MOSFETs、肖特基二極管、以及高電子遷移率晶體管HEMTs）的結構設計、工作原理，以及它們在諸如新能源汽車、智能電網、5G通信等領域的應用。這些器件的齣現，又是如何通過提升能源效率、降低損耗、以及實現更高頻率的運行，來推動這些關鍵産業的革新的？我希望通過閱讀這本書，不僅能學習到紮實的專業知識，更能感受到科技進步的力量，以及科學傢和工程師們在不斷探索前沿領域時所付齣的不懈努力。

評分☆☆☆☆☆

當我指尖劃過《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》的封麵，一種對未知領域的好奇與探索欲便悄然萌生。這本書的封麵設計，少瞭些花哨的裝飾，多瞭份沉靜與厚重，仿佛在預示著它所承載的知識的深度與嚴謹。我並非半導體領域的專業人士，但對那些構成我們數字時代和能源革命的隱形基石，始終懷有強烈的探知欲。“寬禁帶”這個詞匯，在我耳邊，像是一個承諾，一種能夠突破傳統界限，實現更高性能和效率的信號。我非常希望，這本書能夠引領我，從最基礎的物理概念齣發，逐步揭示“禁帶寬度”對於半導體材料性能的關鍵影響。我期待作者能以清晰的邏輯和豐富的實例，解釋清楚為何某些化閤物，如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），能夠在諸如高溫、高壓、高頻等嚴苛環境下，展現齣超越傳統矽基材料的卓越性能。對於這些寬禁帶化閤物的生長和製備過程，我充滿瞭疑問。書中是否會詳細介紹，例如外延生長技術、晶體質量控製、以及界麵工程等關鍵的工藝挑戰？這些復雜的微觀操作，又是如何被科學傢和工程師們攻剋的？而將這些優異的材料，轉化為具有實際應用價值的電子器件，更是技術與智慧的結晶。我期待書中能夠詳盡闡述，各種寬禁帶半導體器件（如功率MOSFETs、肖特基二極管、以及高電子遷移率晶體管HEMTs）的結構設計、工作原理，以及它們在實際應用中所帶來的革命性改變。例如，在電動汽車的動力總成、可再生能源的能源轉換、以及下一代通信基站等領域，寬禁帶器件是如何通過提高效率、減小尺寸、降低發熱，來推動這些産業的進步的？我希望通過閱讀此書，能夠不僅增長知識，更能激發我對科學研究和技術創新的敬意。

評分☆☆☆☆☆

初次拿到《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》這本著作，我感受到的是一種沉甸甸的學術分量。封麵的設計風格樸實而專業，沒有過多的視覺衝擊，卻傳遞齣一種對內容本身的自信。我並非半導體科學的科班齣身，但我對那些支撐起我們現代電子信息産業的底層技術，一直懷有強烈的探索欲望。“寬禁帶”這一概念，對我而言，就像一把鑰匙，預示著開啓高性能、高效率半導體器件的新篇章。我十分期待，這本書能夠以一種循序漸進的方式，為我揭示“禁帶寬度”這一核心物理參數的深刻含義。我希望書中能夠清晰地闡述，它如何決定著材料的耐壓能力、載流子遷移率、以及在高溫環境下的穩定性，從而解釋為何某些特定的化閤物，如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），能在高功率電子、高頻通信等領域展現齣超越傳統矽基材料的優勢。對於這些寬禁帶化閤物的生長和製備過程，我充滿瞭好奇。書中是否會深入介紹，例如外延生長技術、晶體缺陷的控製、以及界麵工程等關鍵的工藝挑戰？這些復雜的微觀操作，又是如何被科學傢和工程師們攻剋，從而獲得高性能的材料？而將這些優異的材料，轉化為實際可用的器件，更是技術與智慧的結晶。我期待書中能夠詳盡闡述，各種寬禁帶半導體器件（如功率MOSFETs、肖特基二極管、以及高電子遷移率晶體管HEMTs）的結構設計、工作原理，以及它們在實際應用中所帶來的革命性改變。例如，在電動汽車的動力總成、可再生能源的能源轉換、以及下一代通信基站等領域，寬禁帶器件是如何通過提高效率、減小尺寸、降低發熱，來推動這些産業的進步的？我希望通過閱讀此書，能夠不僅增長知識，更能激發我對科學研究和技術創新的敬意。

評分☆☆☆☆☆

我懷著一種近乎虔誠的態度，打開瞭《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》這本厚重的著作。這本書的封麵設計，沒有絲毫的張揚，隻有一種迴歸本質的樸實，仿佛在暗示著，其內容的價值，在於知識的深度而非錶麵的華麗。我長期以來，對那些支撐起現代科技大廈的底層物質基礎，有著一種近乎癡迷的探索欲望。而“寬禁帶化閤物半導體”，這個在我的認知中略顯晦澀的詞匯，卻像一個未知的寶藏，吸引著我去深入挖掘。我渴望理解，是什麼樣的微觀世界，孕育瞭這些擁有“寬禁帶”特性的神奇材料，以及它們為何能在當今這個對能源效率和性能極限有著極緻追求的時代，扮演著如此舉足輕重的角色。我期望這本書能夠引領我，從物理學的基本原理齣發，層層遞進地解讀“禁帶寬度”這一關鍵參數，是如何直接影響半導體材料的電子遷移率、擊穿電壓、以及在高溫環境下的穩定性。書中對於碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等明星材料的介紹，我希望能深入到它們的晶體結構、原子鍵閤特性，以及這些微觀層麵的差異，又是如何最終體現在宏觀的器件性能上。同時，我也希望能夠瞭解，這些材料的生長和製備過程，是否充滿瞭各種挑戰？例如，晶格失配、缺陷控製、錶麵形貌等等，這些看似微小的技術難題，又是如何被一代代科學傢和工程師們攻剋的？而將這些優異的材料，轉化為能夠驅動我們現代生活的各種器件，又是一項何等精妙的技藝？我期待書中能夠詳細闡述，諸如功率MOSFET、肖特基二極管、高電子遷移率晶體管（HEMT）等寬禁帶器件的結構設計理念，工作原理，以及它們在實際應用中，如何實現高功率密度、低損耗、以及快速響應的性能優勢。這些優勢，又將如何深刻地改變我們的生活，例如在電動汽車的充電係統、高效的太陽能逆變器、以及新一代通信基站等方麵，展現齣它們顛覆性的力量。我希望通過閱讀此書，能夠不僅獲得知識，更能激發我對科學探索的敬畏之心，以及對工程師們辛勤付齣的深深贊嘆。

評分☆☆☆☆☆

手捧著《寬禁帶化閤物半導體材料與器件》，我仿佛看見瞭科學探索的星辰大海。這本書的封麵，樸實無華，卻傳遞齣一種厚重的學術底蘊，讓人不由自主地想要深入其中，去探尋那隱藏在文字背後的智慧。我本身並非半導體領域的專業研究者，但對於那些支撐起現代社會運轉的基石性技術，我始終抱有極大的熱情和好奇。尤其是“寬禁帶”這一概念，對我來說，就像是打開瞭一扇通往更高性能、更高效能世界的大門，讓我對半導體材料的未來充滿瞭無限遐想。我殷切地期望，這本書能夠以一種深入淺齣的方式，為我剖析“禁帶寬度”這一核心物理參數的奧秘。我希望它能解釋清楚，為何某些特定的化閤物，如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），能夠擁有比傳統矽材料更寬廣的禁帶，以及這種特性又如何直接影響著它們在高電壓、高溫、高頻等極端應用環境下的性能錶現。對於這些寬禁帶化閤物的生長、製備過程，我充滿瞭疑問。書中是否會詳細介紹，例如外延生長、晶體缺陷的控製、以及界麵工程等關鍵技術？這些復雜而精密的工藝，又需要怎樣的技術積纍和創新纔能實現？而將這些優異的材料，轉化為具有實際應用價值的電子器件，更是一個充滿挑戰的過程。我期待書中能詳細闡述，各種寬禁帶半導體器件（如功率MOSFETs, BJTs, Diodes, HEMTs）的結構設計原理、工作機理，以及它們在實際應用中所展現齣的獨特優勢。例如，在電動汽車的充電係統、可再生能源的轉換、以及先進的通信技術中，寬禁帶器件是如何通過提高效率、減小體積、降低發熱，來推動這些領域的發展的？我希望通過閱讀這本書，能夠不僅拓寬我的知識視野，更能讓我對半導體材料科學的深邃與發展趨勢，有更深刻的認識和理解。

評分☆☆☆☆☆

不錯的一本書，準備好好學習一下！

評分☆☆☆☆☆

好評

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書的內容挺新的，不錯

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挺好的書，關鍵是在彆的店已經挺難買到瞭。

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速度極快

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京東商城什麼書都有啊，貨品挺齊全的，真不錯。