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朱丽萍，何海平 著

图书标签:

• 宽禁带半导体
• 氮化镓
• 碳化硅
• 功率器件
• 射频器件
• 材料科学
• 半导体物理
• 器件物理
• 电力电子
• 光电子学

出版社： 浙江大学出版社

ISBN：9787308157469

版次：1

商品编码：11987737

包装：平装

开本：16开

出版时间：2016-10-01

用纸：胶版纸

内容简介

　　《宽禁带化合物半导体材料与器件》共9章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、ZnO和GaN的研究现状。

目录

第1章 绪论
1.1 宽带隙半导体概念
1.2 常见宽禁带化合物半导体
参考文献
第2章 化合物半导体材料基础
2.1 半导体
2.2 半导体材料的分类
2.2.1 元素半导体
2.2.2 化合物半导体
2.2.3 半导体固溶体
2.3 化合物半导体的特性
2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键
2.3.2 化合物半导体的能带结构
参考文献
第3章 化合物半导体中的缺陷
3.1 缺陷理论基础
3.1.1 点缺陷的分类
3.1.2 点缺陷的符号表示方法
3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置
3.2 ZnO中的杂质与缺陷
3.2.1 ZnO中的本征点缺陷
3.2.2 ZnO中绿色发光起源
3.2.3 ZnO中的故意掺杂
参考文献
第4章 宽带隙半导体发光
4.1 半导体中的光跃迁
4.1.1 半导体吸收跃迁
4.1.2 半导体中的带间跃迁辐射复合发光
4.2 激子
4.3 半导体发光光谱和辐射复合
4.4 激子复合
4.5 深能级中心相关的发光跃迁
4.6 时间分辨发光光谱
4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例
参考文献
第5章 pn结
5.1 同质结
5.1.1 热平衡状态下的pn结
5.1.2 pn结的伏安特性
5.2 异质结
5.2.1 异质结的能带图
5.2.2 异型异质结的电学特性
参考文献
第6章 超晶格与量子阱
6.1 超晶格和量子阱发展概况
6.2 量子阱
6.3 超晶格
6.3.1 复合超晶格
6.3.2 掺杂超晶格
6.3.3 应变超晶格
6.3.4 多维超晶格
6.4 量子阱与超晶格的实验制备方法
6.5 超晶格和量子阱中的物理基础
6.5.1 半导体中的两类栽流子：电子(n)与空穴(p)
6.5.2 超晶格和量子阱的能带结构
6.5.3 量子阱与超晶格中的电子态
6.5.4 超晶格中的电子状态
6.6 超晶格和量子阱中的物理效应
6.6.1 量子约束效应
6.6.2 量子阱中的激子效应
6.6.3 量子受限的斯塔克效应(QCSE)
6.6.4 电场下超晶格中的Wannier—Stark局域态
6.6.5 二维电子气
6.7 超晶格和量子阱器件
6.7.1 量子阱激光器发展历程
6.7.2 垂直腔面发射激光器
6.7.3 新型的量子阱激光器
6.7.4 主要应用
参考文献
第7章 SiC
7.1 SiC的基本性质
7.1.1 物理性质和化学性质
7.1.2 晶体结构
7.1.3 电学性能和能带结构
7.2 SiC材料生长、掺杂与缺陷
7.2.1 SiC体单晶生长
7.2.2 SiC薄膜生长
7.2.3 SiC纳米结构
7.2.4 SiC的掺杂
7.2.5 SiC材料中的缺陷
7.3 SiC电子器件
7.3.1 SiC肖特基接触理论
7.3.2 肖特基势垒二极管(SBD)及其改进结构器件(JBD、MPS)
7.3.3 SiC场效应晶体管
7.3.4 SiC双极型晶体管(BJT)
7.4 SiC传感器件
7.4.1 SiC的压阻效应
7.4.2 SiC材料在气敏传感器中的应用
7.4.3 SiC材料在光电探测器中的应用
参考文献
第8章 GaN
8.1 概述
8.2 GaN的基本性质
8.2.1 物理和化学特性
8.2.2 晶体结构
8.2.3 电学性质和掺杂
8.2.4 光学性质
8.2.5 GaN与其他Ⅲ族氮化物合金
8.3 GaN材料制备
8.3.1 GaN体单晶的生长
8.3.2 GaN薄膜外延生长衬底材料的选择
8.3.3 GaN外延生长技术
8.4 GaN光电器件
8.4.1 GaN基LED
8.4.2 GaN基LD
8.4.3 GaN基紫外探测器
8.4.4 GaN基电子器件
参考文献
第9章 ZnO
9.1 ZnO材料概述
9.1.1 ZnO的基本性质和能带工程
9.1.2 ZnO中的杂质与缺陷
9.1.3 ZnO的电学性能及p型掺杂
9.1.4 ZnO的p型掺杂研究现状
9.2 传统及新颖的ZnO制备技术
9.2.1 ZnO体单晶
9.2.2 ZnO薄膜
9.2.3 ZnO纳米结构
9.3 ZnO基光电器件
9.3.1 纳米结构的掺杂与接触
9.3.2 同质结LED
9.3.3 异质结LED
9.3.4 激光二极管(LDs)
9.3.5 光电探测器(PDs)
9.3.6 光伏太阳能电池
9.4 ZnO基透明导电薄膜和场效应器件
9.5 ZnO基压电器件
9.6 ZnO基传感器件
9.7 ZnO基自旋器件
9.8 ZnO基光催化材料
9.9 小结
参考文献
缩略词

《量子纠缠的哲学解读与应用前景》 本书深入探讨了量子纠缠这一奇异而迷人的物理现象，并对其进行多层面的哲学审视，展望其在未来科技发展中的广阔应用前景。 第一部分：量子纠缠的哲学根基 本书首先将读者带入量子力学诞生的历史长河，追溯叠加态、不确定性原理等核心概念如何一步步孕育出量子纠缠这一颠覆性的思想。我们将从哲学视角出发，剖析量子纠缠所带来的挑战，例如： 实在性与非局域性： 量子纠缠是否意味着一个物体可以同时存在于多个地点？我们所观测到的“测量”究竟是如何影响粒子状态的？本书将详细梳理爱因斯坦、玻尔等科学巨匠关于这些问题的辩论，并引入贝尔不等式等关键实验证据，揭示非局域性在量子世界中的普遍存在。我们将探讨非局域性对我们理解时空、因果关系以及客观实在性的传统观念所带来的冲击。 观察者问题与意识的角色： 量子力学中的观察者问题一直是哲学界和科学界争论不休的焦点。本书将审视不同学派（如哥本哈根解释、多世界解释等）对观察者角色的解读，并探讨意识在量子测量过程中是否扮演着某种不可或缺的角色。我们将分析这些解释如何尝试调和量子世界的奇异性与我们日常经验之间的矛盾。 信息与实在的界限： 量子纠缠是否表明信息比物质更基本？信息是否可以独立于物理载体而存在？本书将从信息论的视角出发，探讨量子纠缠如何重塑我们对信息本质的理解，并思考信息与实在之间界限的模糊性。 第二部分：量子纠缠的哲学解读 在奠定了哲学基础后，本书将聚焦于量子纠缠的哲学解读，通过深入分析和比较，呈现其丰富而深刻的内涵： 本体论的重塑： 量子纠缠挑战了我们基于经典物理学建立的本体论。本书将探讨量子纠缠如何促使我们重新思考“粒子”、“状态”、“属性”等基本概念，以及如何构建一个更加符合量子世界规律的本体论框架。我们将审视“整体大于部分之和”在量子纠缠中的体现，以及这如何影响我们对系统构成的理解。 认识论的革新： 认识量子纠缠的过程本身就是对我们认识能力的挑战。本书将分析量子纠缠如何迫使我们超越直观和经验的局限，发展出新的思维方式和认识工具。我们将探讨量子纠缠对“可知性”、“可预测性”以及“因果链”等认识论范畴的影响。 伦理与社会影响的考量： 随着量子纠缠的深入理解和应用，其潜在的伦理与社会影响也日益凸显。本书将初步探讨量子纠缠在隐私保护、信息安全、以及人工智能等领域可能带来的变革，并引发对未来社会结构、人际互动以及人类自身定位的思考。 第三部分：量子纠缠的应用前景 本书的第三部分将目光投向未来，详细阐述量子纠缠在各个尖端科技领域中的应用前景，并分析这些应用将如何深刻地改变我们的生活： 量子计算的革命： 量子计算是目前量子纠缠最令人瞩目的应用方向之一。本书将深入浅出地介绍量子比特、量子门等基本概念，并阐释量子纠缠是如何实现超强算力的。我们将重点分析量子纠缠在解决经典计算机难以逾越的问题（如药物研发、材料设计、金融建模、密码破解等）中的巨大潜力，以及其可能带来的计算范式颠覆。 量子通信的安全性： 量子通信利用量子纠缠的特性，能够实现理论上不可破解的安全通信。本书将介绍量子密钥分发（QKD）等技术，并分析量子纠缠如何保障信息传输的绝对安全，从而对当前的网络安全格局产生革命性影响。我们将讨论量子隐形传态在未来信息传输中的可能性。 量子精密测量与传感： 量子纠缠能够极大地提升测量精度，实现超高灵敏度的传感器。本书将探讨量子纠缠在引力波探测、地磁探测、生物医学成像等领域的潜在应用，以及这些应用将如何拓展我们对宇宙和自身的认知边界。 量子模拟与新材料探索： 利用量子系统模拟其他量子系统，是研究复杂量子现象的有效手段。本书将介绍量子模拟器的工作原理，并分析量子纠缠如何帮助我们理解和设计具有全新性质的新材料，例如超导体、拓扑材料等。 结语 《量子纠缠的哲学解读与应用前景》旨在为读者提供一个全面、深入且富有启发的视角，去理解和探索量子纠缠这一人类智慧的瑰宝。本书融合了严谨的科学论述与深刻的哲学思考，不仅揭示了量子世界的奥秘，更指引了通往未来科技无限可能性的道路。它鼓励读者以开放的心态拥抱未知，以批判的思维审视现实，共同迎接由量子纠缠带来的深刻变革。

评分☆☆☆☆☆

手捧着《宽禁带化合物半导体材料与器件》，我仿佛看见了科学探索的星辰大海。这本书的封面，朴实无华，却传递出一种厚重的学术底蕴，让人不由自主地想要深入其中，去探寻那隐藏在文字背后的智慧。我本身并非半导体领域的专业研究者，但对于那些支撑起现代社会运转的基石性技术，我始终抱有极大的热情和好奇。尤其是“宽禁带”这一概念，对我来说，就像是打开了一扇通往更高性能、更高效能世界的大门，让我对半导体材料的未来充满了无限遐想。我殷切地期望，这本书能够以一种深入浅出的方式，为我剖析“禁带宽度”这一核心物理参数的奥秘。我希望它能解释清楚，为何某些特定的化合物，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），能够拥有比传统硅材料更宽广的禁带，以及这种特性又如何直接影响着它们在高电压、高温、高频等极端应用环境下的性能表现。对于这些宽禁带化合物的生长、制备过程，我充满了疑问。书中是否会详细介绍，例如外延生长、晶体缺陷的控制、以及界面工程等关键技术？这些复杂而精密的工艺，又需要怎样的技术积累和创新才能实现？而将这些优异的材料，转化为具有实际应用价值的电子器件，更是一个充满挑战的过程。我期待书中能详细阐述，各种宽禁带半导体器件（如功率MOSFETs, BJTs, Diodes, HEMTs）的结构设计原理、工作机理，以及它们在实际应用中所展现出的独特优势。例如，在电动汽车的充电系统、可再生能源的转换、以及先进的通信技术中，宽禁带器件是如何通过提高效率、减小体积、降低发热，来推动这些领域的发展的？我希望通过阅读这本书，能够不仅拓宽我的知识视野，更能让我对半导体材料科学的深邃与发展趋势，有更深刻的认识和理解。

评分☆☆☆☆☆

当我第一次看到《宽禁带化合物半导体材料与器件》这本著作的封面，我心中涌起的是一种对深邃知识海洋的向往。封面设计简洁而庄重，没有丝毫的浮华，仿佛在无声地宣告着其内容的专业与严谨。我虽非半导体行业的科班出身，但我对那些构成现代科技基石的底层材料，一直抱有浓厚的求知欲。特别是“宽禁带”这个词，在我脑海中勾勒出一种超越常规的性能，一种在极端条件下依然坚韧可靠的潜能。我渴望了解，究竟是什么样的微观世界，造就了这些拥有“宽禁带”特性的神奇材料？这种特性又如何被转化为实际的器件性能，驱动着我们现代生活的方方面面？我期待书中能够以一种系统性的方式，为我解析“禁带宽度”的核心概念，以及它如何决定着半导体材料的耐压能力、载流子迁移率、以及工作温度上限。书中对于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等主流宽禁带化合物的介绍，我希望能深入到它们的晶体结构、能带特性，以及它们的制备工艺中所面临的挑战。例如，如何获得高质量的晶体生长，如何控制界面处的缺陷，这些微观层面的问题，又是如何被科学家们一步步解决的？而将这些优异的材料，转化为实际可用的器件，则是一项更为复杂而精密的工程。我期待书中能够详细阐述，各种宽禁带半导体器件（如功率MOSFETs、肖特基二极管、以及高电子迁移率晶体管HEMTs）的结构设计、工作原理，以及它们在实际应用中，例如新能源汽车的电力电子系统、高效的电网设备、以及高频通信设备中，所展现出的革命性优势。这些优势，如低功耗、高效率、以及在高温高压下的稳定性，又是如何深刻地改变着相关产业的发展格局？我希望通过阅读此书，不仅能够获取关于宽禁带半导体材料及器件的专业知识，更能感受到科技进步的力量，以及科学家和工程师们在探索和创新过程中所付出的不懈努力。

评分☆☆☆☆☆

初次拿到《宽禁带化合物半导体材料与器件》这本著作，我感受到的是一种沉甸甸的学术分量。封面的设计风格朴实而专业，没有过多的视觉冲击，却传递出一种对内容本身的自信。我并非半导体科学的科班出身，但我对那些支撑起我们现代电子信息产业的底层技术，一直怀有强烈的探索欲望。“宽禁带”这一概念，对我而言，就像一把钥匙，预示着开启高性能、高效率半导体器件的新篇章。我十分期待，这本书能够以一种循序渐进的方式，为我揭示“禁带宽度”这一核心物理参数的深刻含义。我希望书中能够清晰地阐述，它如何决定着材料的耐压能力、载流子迁移率、以及在高温环境下的稳定性，从而解释为何某些特定的化合物，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），能在高功率电子、高频通信等领域展现出超越传统硅基材料的优势。对于这些宽禁带化合物的生长和制备过程，我充满了好奇。书中是否会深入介绍，例如外延生长技术、晶体缺陷的控制、以及界面工程等关键的工艺挑战？这些复杂的微观操作，又是如何被科学家和工程师们攻克，从而获得高性能的材料？而将这些优异的材料，转化为实际可用的器件，更是技术与智慧的结晶。我期待书中能够详尽阐述，各种宽禁带半导体器件（如功率MOSFETs、肖特基二极管、以及高电子迁移率晶体管HEMTs）的结构设计、工作原理，以及它们在实际应用中所带来的革命性改变。例如，在电动汽车的动力总成、可再生能源的能源转换、以及下一代通信基站等领域，宽禁带器件是如何通过提高效率、减小尺寸、降低发热，来推动这些产业的进步的？我希望通过阅读此书，能够不仅增长知识，更能激发我对科学研究和技术创新的敬意。

评分☆☆☆☆☆

当我翻阅《宽禁带化合物半导体材料与器件》这本著作时，我的思绪不禁飘向了儿时对于科学的好奇心，那种对未知世界充满探索欲望的纯粹情感。这本书的封面，简洁而庄重，如同一个沉默的守卫者，守护着它所承载的深邃知识。我一直觉得，科技的进步，尤其是那些我们看不见的，隐藏在硬件之下的基础材料科学，才是驱动社会发展的真正引擎。而“宽禁带化合物半导体”这个词汇，对我而言，就如同一个信号，预示着一种能够突破现有技术局限的强大力量。我好奇，究竟是什么样的原因，使得这些“宽禁带”的材料，在半导体领域占据了如此重要的地位？它们又为何能够对抗传统硅基材料在某些极端应用环境下的性能瓶颈？我迫切地希望，这本书能够从最根本的物理概念入手，清晰地阐述“禁带宽度”这一核心参数对于半导体材料性能的决定性影响。我期待作者能够用生动形象的比喻，或者严谨的数学推导，让我这个非专业读者也能领略到其中精妙的物理原理。书中对于不同宽禁带化合物半导体的介绍，比如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，我希望能够深入到它们的原子结构、生长工艺、以及在不同条件下表现出的独特性质。这些材料的制备过程中，是否充满了各种挑战？例如晶体缺陷的控制，异质外延的难题，这些微观层面的问题，又是如何被克服的？而将这些材料转化为实际可用的器件，又是怎样一个复杂而精密的工程？我期待书中能够详细介绍各种宽禁带半导体器件的结构设计，工作原理，以及它们在不同应用领域（如电力电子、高频射频、LED照明、甚至新能源汽车等）的性能优势。如果书中能够包含一些实际的器件性能数据，并与传统器件进行对比分析，那就更好了。我希望能够看到，这些“宽禁带”的材料，是如何在高温、高压、高频等严苛环境下，展现出其卓越的性能，从而推动相关产业的革新。此外，作为一本具有前瞻性的书籍，我也希望它能够触及到这个领域的前沿研究动态，展望未来的发展方向，例如新型宽禁带材料的探索，以及下一代宽禁带器件的设计理念。这本书，对我而言，不仅仅是学习知识的工具，更是一次激发我对于科学探索热情的旅程。

评分☆☆☆☆☆

手里捧着这本《宽禁带化合物半导体材料与器件》，我心中涌起一股强烈的学术探究的冲动。封面设计上，摒弃了浮夸的装饰，回归了知识本身的力量，给人一种沉静而厚重的质感，仿佛在无声地诉说着内容的严谨与深度。我虽非半导体材料领域的专家，但长久以来，我对那些构成现代科技基石的“幕后英雄”——高性能半导体材料，一直抱有浓厚的兴趣。尤其“宽禁带”这个概念，在我脑海中勾勒出一种超越常规的物理特性，一种在极端条件下仍能保持稳定运行的强大能量。这本书，在我看来，正是一把开启这扇神秘之门的钥匙。我非常渴望了解，究竟是什么样的材料结构，赋予了它们如此特殊的“宽禁带”属性？这种属性又如何转化为实际的器件性能？我期待书中能从最基础的能带理论出发，用清晰的逻辑和翔实的图例，解释清楚禁带宽度与载流子行为、击穿电压、开关损耗等关键参数之间的内在联系。对于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等主流的宽禁带化合物半导体，我希望书中能够提供详尽的材料特性分析，包括它们的晶体结构、热学性质、电学行为，以及在不同生长方法（如MOCVD, MBE）下的优劣势。这些材料的合成过程中，往往伴随着诸多技术难点，例如高质量衬底的制备、界面工程的控制、缺陷的抑制等等，我希望作者能够深入剖析这些挑战，并介绍科学家们是如何巧妙地应对这些问题的。而将这些优异的材料转化为实际器件，更是凝聚了无数工程智慧的结晶。书中对于各种宽禁带半导体器件（如MOSFETs, BJTs, Diodes, HEMTs）的结构设计、工作机理、以及制造工艺的介绍，是我最为期待的部分。我希望能看到，这些器件是如何利用宽禁带材料的特性，实现高耐压、低损耗、高频运行等性能突破，并在新能源汽车、智能电网、5G通信、航空航天等关键领域，扮演着越来越重要的角色。如果书中能够提供具体的器件性能数据，并与硅基器件进行直观的对比，那我将更能深刻理解宽禁带材料的革命性意义。同时，我也希望能通过这本书，洞察到宽禁带半导体材料及器件领域未来的发展趋势，例如新型宽禁带材料的探索，以及下一代高效、智能器件的设计理念，从而把握住技术发展的脉搏。

评分☆☆☆☆☆

我怀着一种近乎虔诚的态度，打开了《宽禁带化合物半导体材料与器件》这本厚重的著作。这本书的封面设计，没有丝毫的张扬，只有一种回归本质的朴实，仿佛在暗示着，其内容的价值，在于知识的深度而非表面的华丽。我长期以来，对那些支撑起现代科技大厦的底层物质基础，有着一种近乎痴迷的探索欲望。而“宽禁带化合物半导体”，这个在我的认知中略显晦涩的词汇，却像一个未知的宝藏，吸引着我去深入挖掘。我渴望理解，是什么样的微观世界，孕育了这些拥有“宽禁带”特性的神奇材料，以及它们为何能在当今这个对能源效率和性能极限有着极致追求的时代，扮演着如此举足轻重的角色。我期望这本书能够引领我，从物理学的基本原理出发，层层递进地解读“禁带宽度”这一关键参数，是如何直接影响半导体材料的电子迁移率、击穿电压、以及在高温环境下的稳定性。书中对于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等明星材料的介绍，我希望能深入到它们的晶体结构、原子键合特性，以及这些微观层面的差异，又是如何最终体现在宏观的器件性能上。同时，我也希望能够了解，这些材料的生长和制备过程，是否充满了各种挑战？例如，晶格失配、缺陷控制、表面形貌等等，这些看似微小的技术难题，又是如何被一代代科学家和工程师们攻克的？而将这些优异的材料，转化为能够驱动我们现代生活的各种器件，又是一项何等精妙的技艺？我期待书中能够详细阐述，诸如功率MOSFET、肖特基二极管、高电子迁移率晶体管（HEMT）等宽禁带器件的结构设计理念，工作原理，以及它们在实际应用中，如何实现高功率密度、低损耗、以及快速响应的性能优势。这些优势，又将如何深刻地改变我们的生活，例如在电动汽车的充电系统、高效的太阳能逆变器、以及新一代通信基站等方面，展现出它们颠覆性的力量。我希望通过阅读此书，能够不仅获得知识，更能激发我对科学探索的敬畏之心，以及对工程师们辛勤付出的深深赞叹。

评分☆☆☆☆☆

当我指尖划过《宽禁带化合物半导体材料与器件》的封面，一种对未知领域的好奇与探索欲便悄然萌生。这本书的封面设计，少了些花哨的装饰，多了份沉静与厚重，仿佛在预示着它所承载的知识的深度与严谨。我并非半导体领域的专业人士，但对那些构成我们数字时代和能源革命的隐形基石，始终怀有强烈的探知欲。“宽禁带”这个词汇，在我耳边，像是一个承诺，一种能够突破传统界限，实现更高性能和效率的信号。我非常希望，这本书能够引领我，从最基础的物理概念出发，逐步揭示“禁带宽度”对于半导体材料性能的关键影响。我期待作者能以清晰的逻辑和丰富的实例，解释清楚为何某些化合物，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），能够在诸如高温、高压、高频等严苛环境下，展现出超越传统硅基材料的卓越性能。对于这些宽禁带化合物的生长和制备过程，我充满了疑问。书中是否会详细介绍，例如外延生长技术、晶体质量控制、以及界面工程等关键的工艺挑战？这些复杂的微观操作，又是如何被科学家和工程师们攻克的？而将这些优异的材料，转化为具有实际应用价值的电子器件，更是技术与智慧的结晶。我期待书中能够详尽阐述，各种宽禁带半导体器件（如功率MOSFETs、肖特基二极管、以及高电子迁移率晶体管HEMTs）的结构设计、工作原理，以及它们在实际应用中所带来的革命性改变。例如，在电动汽车的动力总成、可再生能源的能源转换、以及下一代通信基站等领域，宽禁带器件是如何通过提高效率、减小尺寸、降低发热，来推动这些产业的进步的？我希望通过阅读此书，能够不仅增长知识，更能激发我对科学研究和技术创新的敬意。

评分☆☆☆☆☆

当我将目光投向《宽禁带化合物半导体材料与器件》的扉页，一种对未知领域的渴望便油然而生。这本书的封面，没有多余的装饰，只有一种回归材料本质的沉静，仿佛预示着其内容蕴含着丰富的知识和深刻的洞察。我虽非半导体领域的专业人士，但对那些支撑起我们数字时代、能源革命的隐形基石，始终怀有强烈的好奇。特别是“宽禁带”这个词，在我耳边，如同低语着一种突破现有技术瓶颈的承诺，一种在严苛环境下依然能保持卓越性能的可能。我迫切地希望，这本书能为我揭示，究竟是什么样的材料特性，使得这些“宽禁带”的化合物，在半导体领域占据了日益重要的地位。我期待它能从最基础的物理原理出发，用清晰易懂的语言，解释清楚“禁带宽度”这一核心概念，以及它如何直接影响半导体材料的导电性、耐压能力、以及工作温度范围。书中对于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等关键宽禁带材料的介绍，我希望能深入到它们的原子结构、晶体学特性，以及它们的生长工艺中所面临的独特挑战。例如，如何获得高质量的单晶材料，如何控制薄膜的界面质量，这些微观层面的技术难点，又是如何被克服的？而将这些优异的材料，转化为实际的电子器件，更是凝聚了无数智慧的结晶。我希望书中能详细讲解，诸如功率MOSFETs、肖特基二极管、以及高电子迁移率晶体管（HEMTs）等宽禁带器件的结构设计、工作原理，以及它们与传统硅基器件相比所具有的显著优势。这些优势，例如更高的击穿电压、更低的导通损耗、更快的开关速度，又如何在新能源汽车的动力系统、高效的电力传输、以及高频通信等领域，发挥出颠覆性的作用。我希望能够通过这本书，不仅仅学习到半导体材料的知识，更能感受到科技进步的力量，以及科学家们在探索未知领域时所付出的艰辛努力。

评分☆☆☆☆☆

初次拿到这本《宽禁带化合物半导体材料与器件》，我带着一种混合着期待与一丝忐忑的心情翻开了它。封面设计朴实无华，没有任何花哨的图饰，仿佛在低语着其内在的深厚与严谨。我并非半导体领域的科班出身，对这个行业更多的是停留在大众媒体的泛泛之谈，诸如“芯片”、“摩尔定律”之类的概念，但我的工作领域却与信息技术紧密相连，因此，我对那些支撑起现代科技基石的底层材料和技术，总有一种莫名的求知欲。这本书的标题本身就透露出一种专业性，特别是“宽禁带”这个词，在我听来，带着一股神秘感，似乎预示着某种超越常规的性能，一种能够突破现有技术瓶颈的可能。我好奇，究竟是什么样的材料，能够拥有如此“宽广”的禁带，又为何它会在当前这个信息爆炸、能源转型的时代，被赋予如此重要的地位？这本书是否会像一位循循善诱的老师，带领我这个门外汉，一步步揭开宽禁带化合物半导体材料的神秘面纱？我期待着它能从最基础的物理原理讲起，用清晰易懂的语言，解释清楚禁带宽度是如何影响半导体性能的，以及为什么某些特定的化合物，例如碳化硅、氮化镓等，会脱颖而出，成为研究的热点。我希望书中能够深入浅出地介绍这些材料的晶体结构、电子特性，以及它们在生长、制备过程中面临的挑战和取得的突破。当然，作为一本关于“材料与器件”的书，我也同样期待它能将材料的特性与实际的器件应用紧密地联系起来，比如，宽禁带半导体在功率电子、高频通信、LED照明等领域是如何大显身手的，它们又比传统的硅基器件有哪些优势，例如更高的耐压、更快的开关速度、更低的功耗等等。我希望这本书能够提供丰富的案例分析，让我看到理论知识如何在实际应用中落地生根，开花结果。同时，我也对书中可能涉及的最新研究进展和未来发展趋势感到好奇，这个领域是否还存在未被发掘的潜力，又有哪些新的材料和器件正在孕育之中，将为我们未来的生活带来怎样的变革？总之，带着这份求知欲，我将怀着敬畏之心，去探索这本书所蕴含的知识宝库。

评分☆☆☆☆☆

当我拿到《宽禁带化合物半导体材料与器件》这本书时，首先映入眼帘的是其朴实而充满智慧的封面设计。这种低调却极具学术氛围的风格，让我立刻感受到这本书的专业性和深度。虽然我并非半导体领域的专家，但我对科技发展的幕后英雄——高性能材料，一直抱有浓厚的兴趣。“宽禁带”这个词语，对我来说，仿佛描绘了一种超乎寻常的能量和潜力，一种能够突破现有技术瓶颈的希望。我非常渴望通过阅读这本书，能够深入理解“禁带宽度”这一关键的物理概念，以及它如何深刻地影响着半导体材料的电子特性和器件性能。我期待书中能够详细介绍，诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等主流的宽禁带化合物半导体，它们的晶体结构、能带特征、以及生长和制备过程中所面临的独特挑战。这些材料的制备，是否充满了精密的工艺和高超的技术？例如，如何获得高质量的晶体，如何控制薄膜的界面，这些微观层面的难题，又是如何被克服的？而将这些优异的材料，转化为实际的电子器件，更是凝聚了无数工程师的智慧。我希望书中能够深入解析，各种宽禁带半导体器件（如功率MOSFETs、肖特基二极管、以及高电子迁移率晶体管HEMTs）的结构设计、工作原理，以及它们在诸如新能源汽车、智能电网、5G通信等领域的应用。这些器件的出现，又是如何通过提升能源效率、降低损耗、以及实现更高频率的运行，来推动这些关键产业的革新的？我希望通过阅读这本书，不仅能学习到扎实的专业知识，更能感受到科技进步的力量，以及科学家和工程师们在不断探索前沿领域时所付出的不懈努力。

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京东商城什么书都有啊，货品挺齐全的，真不错。

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挺好的………………………

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不错，性价比高。内容还没读。

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不错的一本书，准备好好学习一下！

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好书

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可以，希望学习

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书的内容挺新的，不错

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